公开(公告)号：CN114270510A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080058077.8

申请日：2020-08-06

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 小野寺健一 ,  高桥聪一郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H02M7/00

Abstract: 一种功率模块(1A)，具备：多个第一功率半导体元件(40A)；与多个第一功率半导体元件(40A)的栅极电极(43)电连接的第一控制层(21、22)；与多个第一功率半导体元件(40A)的源极电极(42)电连接的第一驱动层(23、24)；与第一控制层(21、22)电连接的第一控制端子(53A)；与第一驱动层(23、24)电连接的第一检测端子(54A)。第一控制层(21)及第一驱动层(24)具有：以多个第一功率半导体元件(40A)中的栅极电极(43)与第一控制端子(53A)之间的第一控制侧导电路径的长度和源极电极(42)与第一检测端子(54A)之间的第一驱动侧导电路径的长度之和彼此接近的方式迂回的第一控制侧迂回部(21b)及第一驱动侧迂回部(24b)。

公开(公告)号：CN117337490A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202280033796.3

申请日：2022-04-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 小野寺健一 ,  林口匡司

IPC: H01L25/07

Abstract: 半导体装置具有：切换导通状态和切断状态的开关电路。所述开关电路包含并联电连接的第一开关元件和第二开关元件。所述第一开关元件是IGBT，所述第二开关元件是MOSFET。在所述开关电路中流过的电流小于第一电流值时，所述第二开关元件的电压比所述第一开关元件低。在所述开关电路的电流为第二电流值以上且第三电流值以下时，所述第二开关元件的阈值电压相对于所述第一开关元件的阈值电压在‑1.0V以上且+0.4V以下的范围内。所述第三电流值为所述开关电路的额定电流以下。所述第一电流值小于所述第三电流值。

公开(公告)号：CN116018683A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180055481.4

申请日：2021-09-09

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 林口匡司 ,  小野寺健一

IPC: H01L25/07

Abstract: 半导体装置具备：相互并联连接的多个半导体元件；与上述多个半导体元件反向并联连接的整流元件；与上述多个半导体元件导通的电力端子；以及包含上述多个半导体元件所接合的焊盘部而且与上述电力端子及上述多个半导体元件导通的导电体。上述多个半导体元件包含第一元件以及第二元件。上述第一元件的至上述电力端子的最短导通路径比上述第二元件的至上述电力端子的最短导通路径短。上述焊盘部包含上述第一元件所接合的第一部、以及上述第二元件所接合的第二部。上述整流元件配置在上述焊盘部的上述第一部。