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公开(公告)号：CN111238673A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010009982.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01K7/21
Abstract: 本发明提出了一种薄膜温度传感器的测量电路，涉及薄膜温度传感器技术领域，包括：第一运算放大器的反相输入端和输出端均连接到薄膜电阻的第一端；薄膜电阻的第二端连接到一恒流源；第一电阻的第一端与第一运算放大器的输出端相连，第二端与第一运算放大器的同相输入端相连；第一电阻的第二端通过第二电阻接地；第二运算放大器的输出端连接到电位器的第一端；电位器的第二端分别连接到所述恒流源和第二运算放大器的同相输入端；第三电阻的第一端与第二运算放大器的输出端相连，第二端与第二运算放大器的反相输入端相连；第三电阻的第二端通过第四电阻接地；电位器的第二端的电压值为输出信号。该测量电路可满足不同传感器的互换性使用要求。
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公开(公告)号：CN110146832B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910555343.7
申请日：2019-06-25
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供了一种微型磁通门传感器，涉及磁场检测传感器技术领域，用以解决目前磁通门传感器体积尺寸大、批量生产成本高，装配误差较大，电路复杂，小型化难度大的问题，本微型磁通门传感器包括双铁芯组件、自振荡模块、电流叠加与放大模块以及电压采集模块；所述双铁芯组件包括第一铁芯和第二铁芯，所述第一铁芯上有第一绕组线圈，第二铁芯上有第二绕组线圈，所述第一绕组线圈和第二绕组线圈分别和自振荡模块的输入端连接，自振荡模块的输出端分别和电流叠加与放大模块以及电压采集模块连接。本磁通门传感器处理电路简单，不需要人为调试，容易集成化。
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公开(公告)号：CN105088153B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510504862.2
申请日：2015-08-17
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/165 , C23C14/022 , C23C14/34 , H01L21/02052 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02631
Abstract: 一种半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：对单晶硅基片进行清洗，清洗后置于衬底台上；分别进行溅射硅的单一薄膜和锗的单一薄膜；采用共溅法，在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜，测得所沉积薄膜的厚度，得到具有不同成分比的硅锗合金薄膜。与现有技术相比，本发明的优点在于：采用偏置靶材离子束沉积，结合了离子束沉积技术和磁控溅射沉积技术的优点，能够有效克服磁控溅射沉积技术和离子束沉积技术两者的缺点。
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公开(公告)号：CN116153898B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310437436.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/495 , H10N52/80
Abstract: 本发明公开了一种用于封装的引线框架结构及传感器封装结构，应用于传感器制备领域，该引线框架结构包括：焊盘部件和多个引脚部件，焊盘部件在与多个引脚部件形成共面的平面方向，形成向内的凹陷。在平面方向，焊盘部件在凹陷内轮廓和凹陷外轮廓对位形成抵消应力的弧形封装界面。本发明通过将焊盘部件在平面方向形成向内的凹陷，并在凹陷内轮廓和凹陷外轮廓对位封装界面设计成能够抵消内外应力的弧形结构，使封装好的塑封体与框架接触的内部界面和外部界面处形成大小相等、方向相反的应力，彼此之间通过将应力互相抵消，能够使得整体封装结构在温度变化环境下处于力平衡阶段，不易发生界面分层或结构形变，提高产品的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116153898A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310437436.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/495 , H10N52/80
Abstract: 本发明公开了一种用于封装的引线框架结构及传感器封装结构，应用于传感器制备领域，该引线框架结构包括：焊盘部件和多个引脚部件，焊盘部件在与多个引脚部件形成共面的平面方向，形成向内的凹陷。在平面方向，焊盘部件在凹陷内轮廓和凹陷外轮廓对位形成抵消应力的弧形封装界面。本发明通过将焊盘部件在平面方向形成向内的凹陷，并在凹陷内轮廓和凹陷外轮廓对位封装界面设计成能够抵消内外应力的弧形结构，使封装好的塑封体与框架接触的内部界面和外部界面处形成大小相等、方向相反的应力，彼此之间通过将应力互相抵消，能够使得整体封装结构在温度变化环境下处于力平衡阶段，不易发生界面分层或结构形变，提高产品的稳定性。
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公开(公告)号：CN113703512B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111281765.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种霍尔传感器温度补偿电路及其补偿方法，属于传感器技术领域，包括霍尔传感模块，根据外部磁场和电流产生模拟电压信号；模拟补偿模块，与霍尔传感模块相连接，用于对产生的模拟电压信号进行模拟补偿；数字补偿模块，包括补偿计算单元，补偿计算单元根据外界环境温度信息获得补偿码字，进而由补偿码字对模拟补偿过程进行增益补偿，并对模数转换过程进行漂移补偿。本发明采用数字和模拟补偿相结合的方式进行温度补偿，对工艺依赖性低，使得霍尔传感器的精度更高，电路一致性更好，所需存储空间小，输出信号的响应速度更快，且补偿范围更大，便于设计实现以及客户应用。
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公开(公告)号：CN111238673B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010009982.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01K7/21
Abstract: 本发明提出了一种薄膜温度传感器的测量电路，涉及薄膜温度传感器技术领域，包括：第一运算放大器的反相输入端和输出端均连接到薄膜电阻的第一端；薄膜电阻的第二端连接到一恒流源；第一电阻的第一端与第一运算放大器的输出端相连，第二端与第一运算放大器的同相输入端相连；第一电阻的第二端通过第二电阻接地；第二运算放大器的输出端连接到电位器的第一端；电位器的第二端分别连接到所述恒流源和第二运算放大器的同相输入端；第三电阻的第一端与第二运算放大器的输出端相连，第二端与第二运算放大器的反相输入端相连；第三电阻的第二端通过第四电阻接地；电位器的第二端的电压值为输出信号。该测量电路可满足不同传感器的互换性使用要求。
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公开(公告)号：CN109459715B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811211444.4
申请日：2018-10-17
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及一种闭环霍尔效应电流传感器仿真方法，计算结构矩阵C、K、D和梯度矩阵G这些闭环霍尔效应传感器磁芯相关矩阵系数，建立闭环霍尔效应电流传感器的磁芯电路模型，并获取闭环霍尔效应电流传感器的磁芯网表文件，通过线路网表转换器产生闭环霍尔效应电流传感器的电路网表文件，进而在HSPICE软件中输入闭环霍尔效应电流传感器的磁芯网表文件和电路网表文件并进行运算，仿真分析闭环霍尔效应电流传感器。本发明的闭环霍尔效应电流传感器仿真方法，更准确综合反映磁芯结构、气隙位置等因素的影响，未知量少，仿真过程更容易收敛。
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公开(公告)号：CN111398878A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010499343.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有纹波抑制功能的霍尔可编程芯片，具体涉及芯片设计领域，主要包括霍尔阵列、斩波放大器、纹波抑制模块、编程控制模块、存储模块、基准电压模块、可调放大器和稳压器，其通过纹波抑制模块对纹波电压进行积分，将纹波电压补偿至斩波放大器的输入端，从而达到抑制纹波的作用，同时通过基准电压模块、存储模块和编程控制模块，可以精确的对基准电压和可调放大器进行调节，从而调节最终的芯片输出。本发明通过个模块之间的配合，能够有效的提高霍尔芯片的电压输出精度，同时不受外部供电电压变化影响，保证了输出的稳定。
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