公开(公告)号：CN103855221B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201310634761.8

申请日：2013-12-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.迈泽 ,  T.施勒泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中形成的晶体管。该晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区和邻近于沟道区域的栅电极。栅电极被配置为控制在沟道区域中形成的沟道的传导性，沟道区域和漂移区在源极区域和漏极区域之间被沿着第一方向置放，第一方向平行于第一主表面。沟道区域具有沿着第一方向延伸的第一突脊的形状，并且晶体管包括邻近于漂移区布置的第一场板。

公开(公告)号：CN105742337A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201511002180.8

申请日：2015-12-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.卡多 ,  T.施勒泽

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/308 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/78 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明涉及包括隔离结构的半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件（100）的实施例包括半导体主体（106）的第一侧（104）处的第一负载端子接触区域（102）。第二负载端子接触区域（108）处于与第一侧（104）相对的半导体主体（106）的第二侧（110）处。控制端子接触区域（109）处于半导体主体（106）的第二侧（110）处。隔离结构（112）延伸通过第一和第二侧（104,110）之间的半导体主体（106）。隔离结构（112）使半导体主体（106）的第一部分（1061）与半导体主体（106）的第二部分（1062）电气隔离。半导体主体（106）的第一部分（1061）的第一厚度（d1）小于半导体主体（106）的第二部分（1062）的第二厚度（d2）。

公开(公告)号：CN103681864A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310443573.7

申请日：2013-09-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.施勒泽 ,  M.聪德尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66666

Abstract: 一种半导体器件包括晶体管，其包括源极区域，漏极区域，和栅极电极。栅极电极被设置在布置于半导体衬底的顶部表面中的第一沟槽中。该器件进一步包括控制电极。该控制电极被设置在布置于半导体衬底的顶部表面中的第二沟槽中。该第二沟槽具有与第一沟槽的第一形状不同的第二形状。