公开(公告)号：CN102403324B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201110251738.1

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白野贵士 ,  谷田一真 ,  山口直子 ,  本乡悟史 ,  松村刚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，间隔着粘接层，将第1基板和第2基板贴合。

公开(公告)号：CN102651379A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210043827.1

申请日：2012-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本乡悟史 ,  谷田一真 ,  堀哲浩 ,  高桥健司 ,  沼田英夫

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469

Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。

公开(公告)号：CN102280461A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110153488.8

申请日：2011-06-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  山口直子 ,  本乡悟史 ,  沼田英夫

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置，根据实施方式，具备：半导体基板；活性层，形成在上述半导体基板的一个面上；布线层，形成在上述活性层上，在不与上述活性层接触的面侧具有形成为凸部的布线；绝缘层，形成在上述布线层上，以使该绝缘层具有凹部；埋层，设在上述绝缘层的凹部上；接合层，设在上述绝缘层及上述埋层上；和基板，与上述接合层接合，以使该基板对置于上述半导体基板的上述一个面。

公开(公告)号：CN102610492A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210018300.3

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  本乡悟史 ,  山口直子 ,  高桥健司 ,  沼田英夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/681 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6838 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明提供半导体制造装置及半导体基板接合方法。根据实施例的半导体制造装置，具备：第1部件，保持第1半导体基板；第2部件，保持第2半导体基板，使接合面与第1半导体基板的接合面相对向；距离检测单元，检测第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；调节单元，调节第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；第3部件，在第1半导体基板和第2半导体基板之间形成接合开始点。

公开(公告)号：CN102403324A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110251738.1

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白野贵士 ,  谷田一真 ,  山口直子 ,  本乡悟史 ,  松村刚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，间隔着粘接层，将第1基板和第2基板贴合。

公开(公告)号：CN105280657A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510321410.0

申请日：2015-06-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  吉田贵光 ,  内海邦朗 ,  川崎敦子

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80365 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 根据实施方式，提供一种半导体装置。半导体装置具备绝缘层、电极和槽。绝缘层设在基板的表面上。电极埋设在绝缘层中，一方的端面从绝缘层露出。槽形成在基板表面的电极的周围。此外，槽以电极的外侧面为一方的侧面，绝缘层的表面侧被开放。埋设在绝缘层中的电极其一方的端面从绝缘层的表面突出。

公开(公告)号：CN102651379B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210043827.1

申请日：2012-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本乡悟史 ,  谷田一真 ,  堀哲浩 ,  高桥健司 ,  沼田英夫

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469

Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。

公开(公告)号：CN104269420A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410527757.6

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白野贵士 ,  谷田一真 ,  山口直子 ,  本乡悟史 ,  松村刚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，经由粘接层，将第1基板和第2基板贴合。

公开(公告)号：CN100539090C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200580001557.6

申请日：2005-06-09

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  森藤忠洋 ,  宫田修

IPC: H01L23/12 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，包括：第1半导体芯片，其具有形成有第1功能元件的第1功能面及与该第1功能面相反侧的面即第1背面；第2半导体芯片，其具有第2功能面，该第2功能面形成第2功能元件，并具有与所述第1半导体芯片的第1功能面相对的相对区域和该相对区域以外的区域即非相对区域；连接构件，其在所述第1功能面与所述第2功能面的相对部分，将所述第1功能元件和所述第2功能元件电连接；绝缘膜，其按照覆盖所述第2半导体芯片的非相对区域以及所述第1半导体芯片的第1背面的方式连续形成；重新布线层，其形成在该绝缘膜的表面，与所述第2功能元件电连接；覆盖所述重新布线层的保护树脂；和由所述重新布线层贯通所述保护树脂而被竖立设置的外部连接端子。

公开(公告)号：CN101015053A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580029878.7

申请日：2005-10-17

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置(1、21)的制造方法，包括：准备由多个布线基板(2)制成，在至少一表面(2a)具有跨相互邻接的上述布线基板的边界而形成的导电构件(13)的原基板(11)的工序；使具有形成有功能元件(4)的功能面(3a)的半导体芯片(3)对着各布线基板，使其功能面与上述一表面隔有规定间隔而相对地连接的芯片连接工序；在此芯片连接工序后，在上述原基板与上述半导体芯片的间隙，以及上述导电构件上形成密封树脂层(7)的密封树脂层形成工序；在该密封树脂层形成工序之后，使上述原基板和切割工具(B)相对移动，以使该切割工具从与上述原基板的上述一表面呈相反侧的另一表面(2b)穿到上述一表面，由此沿着互相邻接的上述布线基板的边界切割上述原基板的切割工序。