公开(公告)号：CN104269420A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410527757.6

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白野贵士 ,  谷田一真 ,  山口直子 ,  本乡悟史 ,  松村刚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，经由粘接层，将第1基板和第2基板贴合。

公开(公告)号：CN100529039C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。

公开(公告)号：CN102403324A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110251738.1

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白野贵士 ,  谷田一真 ,  山口直子 ,  本乡悟史 ,  松村刚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，间隔着粘接层，将第1基板和第2基板贴合。

公开(公告)号：CN102403324B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201110251738.1

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白野贵士 ,  谷田一真 ,  山口直子 ,  本乡悟史 ,  松村刚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，间隔着粘接层，将第1基板和第2基板贴合。

公开(公告)号：CN1706925A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。