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公开(公告)号：CN107539944B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201710485605.8
申请日：2017-06-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制埋入配线中的碟形凹陷的MEMS器件及其制造方法、液体喷射头以及液体喷射装置。所述MEMS器件的特征在于，具备：配线(46)，其通过在于基板(33)的第一面开口的凹部(47)中埋入导电部(48)而形成；和凸块电极(42)，其与配线电连接，在第一面上的与配线所延伸的第一方向交叉的第二方向上，配线与凸块电极被连接的连接区域内的凹部的开口的总宽度窄于连接区域以外的区域内的凹部的开口宽度。
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公开(公告)号：CN106994824B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610894441.X
申请日：2016-10-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种液体喷射头以及液体喷射头的制造方法，即使施加有热量或外力等，也能够对贯穿配线从贯穿孔伸出的情况进行抑制。液体喷射头具备：压力室形成基板(29)，其上设置有压电元件(32)；密封板(33)，其第一面(35)上连接有压力室形成基板(29)，密封板(33)具备在板厚方向上贯穿该密封板(33)的贯穿孔(44)以及形成在该贯穿孔(44)的内部的由导体构成的贯穿配线(45)，贯穿孔(44)以及贯穿配线(45)的在与第一面(35)平行的面上的截面面积从密封板(33)的板厚方向上的中途趋向第一面(35)以及与第一面(35)相反的一侧的第二面(36)而变大。
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公开(公告)号：CN107257735B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201680010204.0
申请日：2016-01-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/14
Abstract: 本发明提供一种电子装置，所述电子装置能够抑制由于凸块电极的恢复力而引起的变形。所述电子装置包括：压力室形成基板(29)，其设置有在能够弯曲变形的驱动区域(a1)上的压电元件(32)，所述压电元件引起所述驱动区域(a1)变形；密封板(33)，其以具有弹性的凸块电极(40)介于压力室形成基板和密封板之间的状态布置为相对于所述压力室形成基板存在间隔；以及粘合剂(43)，其将所述压力室形成基板(29)与所述密封板(33)在保持所述间隔的状态下接合，并且所述粘合剂(43)至少设置在所述凸块电极(40)与所述驱动区域(a1)之间的区域上。
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公开(公告)号：CN104981352A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201480008068.2
申请日：2014-02-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 依田刚
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1643 , B41J2/1646 , B41J2002/14241 , B41J2002/14491 , H05K1/0284 , H05K1/0306 , H05K1/11 , H05K3/10 , H05K2201/09036 , Y10T29/4913
Abstract: 一种液滴喷射头包括：振动板，具有第一和第二端子的第一端子组以及具有第三和第四端子的第二端子组形成在所述振动板上；储液器形成基板，其具有：具有第一和第二倾斜表面的第一布线形成部分以及具有第三和第四倾斜表面的第二布线形成部分；第一布线，其形成在第一倾斜表面上并且电连接至第一端子；第二布线，其形成在第二倾斜表面上并且电连接至第二端子；第三布线，其形成在第三倾斜表面上并且电连接至第三端子；以及第四布线，其形成在第四倾斜表面上并且电连接至第四端子。
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公开(公告)号：CN104827775A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510063749.5
申请日：2015-02-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/14
CPC classification number: C23F1/02 , B41J2/14233 , B41J2/1612 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B41J2/1646 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2002/14491 , H01L2224/18
Abstract: 本发明提供容易实现基板间的布线的高密度化并且制造容易的导通构造、能够高效地制造这样的导通构造的制造方法、具备上述导通构造且容易小型化的液滴排出头、以及具有这样的液滴排出头的打印装置。本发明的导通构造具有：设备基板(10B)(第一基板)；具备上表面(92)和端面(94a)的IC(9)(第二基板)；具备上表面(265)和端面的密封板(10A)(第三基板)；导电层，其具备被设置于设备基板的上表面的第一部分、被设置于IC的端面并与第一部分连接的第二部分、被设置于IC的上表面并与第二部分连接的第三部分、及被设置于密封板的端面并与第一部分以及第二部分双方连接的第四部分；以及与导电层重叠的镀层。
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公开(公告)号：CN104827771A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510064088.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/01
CPC classification number: C23C18/1603 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1643 , B41J2002/14491 , H01L2224/18 , Y10T428/24488
Abstract: 本发明提供容易实现基板间的布线的高密度化的导通构造、能够高效地制造该导通构造的制造方法、具备上述导通构造且小型化容易的液滴排出头、以及具备该液滴排出头的印刷装置。本发明的导通构造的特征在于，具有：器件基板(10B)，其具备导电部(291)；IC(9)，其具备上表面(92)、相对于该上表面(92)倾斜的端面(94a)以及导电部(292)；密封板(10A)，其具备上表面(265)、相对于该上表面(265)倾斜的端面(272a)以及导电部(293)；以及电镀层(282)，其将导电部(291)与导电部(293)之间以及导电部(292)与导电部(293)之间分别电连接。
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公开(公告)号：CN100526078C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610006343.4
申请日：2006-01-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 依田刚
IPC: B41J2/01 , B41J2/045 , B41J2/135 , B41J2/16 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种液滴喷头(1)，具备：具有喷出液滴的喷嘴开口(15)和第1面的压力产生室(12)，其中，所述第1面上形成有驱动元件(300)以及与驱动元件(300)导通连接的第1配线(36)；配置在所述压力产生室的所述第1面上并且覆盖所述驱动元件(300)的保护基板(20)，所述保护基板具有第2面和侧面(20b)，其中，所述第2面上配置在与所述压力产生室相反一侧并且形成有第2配线(34)，所述侧面上形成连接所述第1配线和所述第2配线的第3配线(35)；配置在所述保护基板的所述第2面上、驱动所述驱动元件的半导体元件(200)；使所述第1配线、所述第2配线、所述第3配线、所述半导体元件的连接端子(44)相互导通的镀层(46)。
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公开(公告)号：CN100414682C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200510092150.0
申请日：2005-08-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C28/02
CPC classification number: H05K3/143 , H01L51/56 , H05K3/244 , H05K2201/0347 , Y10T428/12882 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种不但能削减贵金属材料用量，而且还能以高生产能力形成低电阻电配线的成膜方法等。所述方法是在基板(50)上形成薄膜(52)的图案(12)的成膜方法，其中具有：借助于掩膜通过气相生长法使金属基底膜(60)在基板(50)上成膜，形成图案(12)的第一工序；和对基板(50)实施电镀处理使金属膜(65)在由金属基底层构成的图案(12)上成膜的第二工序。
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公开(公告)号：CN1750250A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510092150.0
申请日：2005-08-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C28/02
CPC classification number: H05K3/143 , H01L51/56 , H05K3/244 , H05K2201/0347 , Y10T428/12882 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种不但能削减贵金属材料用量，而且还能以高生产能力形成低电阻电配线的成膜方法等。所述方法是在基板(50)上形成薄膜(52)的图案(12)的成膜方法，其中具有：借助于掩膜通过气相生长法使金属基底膜(60)在基板(50)上成膜，形成图案(12)的第一工序；对基板(50)实施电镀处理使金属膜(65)在由金属基底层构成的图案(12)上成膜的第二工序。
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公开(公告)号：CN1359141A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01145605.1
申请日：2001-10-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 依田刚
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , H01L21/3205 , G03F7/00 , H05K3/00
CPC classification number: H01L24/11 , H01L2224/05118 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05164 , H01L2224/0558 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , H01L2224/11901 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/013 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655
Abstract: 提供一种与衬垫的狭小间距相对应且具有耐无电解电镀处理性能的缓冲垫形成方法、半导体器件及其制造方法、电路基片和电子设备。缓冲垫形成方法包括:以在衬垫12的上方具有穿透孔22的方式使抗蚀剂层20形成图形的工序,在抗蚀剂层20上施加产生交联反应的能量36且使抗蚀剂层20至少表面硬化的工序,在穿透孔22内形成与衬垫12电连接的金属层40、42的工序。
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