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公开(公告)号：CN111505766B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010380891.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12 , G02B6/122 , G02F1/095 , G01S17/02 , G01S7/4913 , G01S7/4861 , G01S7/481 , G01S7/48
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成磁光环行器的光学全双工收发组件。本发明中的硅基集成磁光环行器件结构采用硅基集成的马赫‑曾德尔干涉结构或硅基集成的微环结构，结合互易与非互易移相对收发信号的相位进行调控，达到分离收发信号的目的。最终本发明大大降低了整体组件的尺寸及制备成本，改善了整体组件对回波信号的耦合性能；有效规避了在分立光学探测组件中存在的装调误差和低信噪比等问题，并提供了硅基集成磁光环行器、激光器、光探测器和激光天线一起集成的更优的技术方案，可以显著提高激光雷达等激光主动探测系统的性能，对降低系统的体积、重量、成本，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112921273A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110079670.7
申请日：2021-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于热辐射技术领域，具体为一种基于相变材料二氧化钒的动态热辐射制冷器件。本发明基于经典的金属‑介质‑金属超表面结构设计，引入过渡介质层有效提高了相变材料二氧化钒薄膜的附着力，并通过介质层材料的选择调控整个器件与室温下黑体辐射率的峰值相对应，有效解决了当前热辐射制冷器件存在的制冷效果相对较差的技术问题。本发明在温度较高时通过中红外8‑14μm大气窗口对外辐射能量，并且反射太阳光，而在温度较低时几乎不对外辐射能量，达到智能控温、动态制冷的功能；具有智能动态控温，结构简单，便于大面积制备，零能耗，极化不敏感等特点；对解决过度制冷问题、缓解城市热岛效应有重要意义，且在红外伪装等领域也具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN111198414B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010031484.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及非互易超构表面，具体涉及一种自偏置的磁光非互易超构表面器件。本发明通过将亚波长尺寸的硬磁材料结构层按矩阵周期排列在微波频段折射率为1～5的材料层上，通过改变结构层的结构单元的长宽高实现对电磁波的相位和振幅的调控，只需一次磁化，无需持续外加磁场。最终本发明基于磁光效应通过高矫顽力的硬磁材料实现了自偏置的磁光效应非互易器件；且采用亚波长尺寸的结构，利于器件的小型化和集成化。在雷达屏蔽(单向透射)、自由空间隔离器、非互易透镜、非互易全息成像等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109100900B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810810074.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明属于半导体器件及非线性光学应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明将用于半导体存储行业的HfO2基铁电材料作为非线性光学材料应用于非线性光学元器件，利用铁电材料具有自发极化特性，并且自发极化可随外电场进行反转并在断电时仍可保持的先天非线性光学性能。还利用所设计的器件金属结构将电场局域在铁电HfO2层，从而得到更强的二次谐波激发，具有优异的CMOS兼容性和突出的可小型化能力，在更广的温度范围内具有更高的稳定性。可应用于电光开光、激光调频、传感检测等领域。对发展具有半导体兼容性且可小型化的光学元器件具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN111505766A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010380891.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12 , G02B6/122 , G02F1/095 , G01S17/02 , G01S7/4913 , G01S7/4861 , G01S7/481 , G01S7/48
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成磁光环行器的光学全双工收发组件。本发明中的硅基集成磁光环行器件结构采用硅基集成的马赫-曾德尔干涉结构或硅基集成的微环结构，结合互易与非互易移相对收发信号的相位进行调控，达到分离收发信号的目的。最终本发明大大降低了整体组件的尺寸及制备成本，改善了整体组件对回波信号的耦合性能；有效规避了在分立光学探测组件中存在的装调误差和低信噪比等问题，并提供了硅基集成磁光环行器、激光器、光探测器和激光天线一起集成的更优的技术方案，可以显著提高激光雷达等激光主动探测系统的性能，对降低系统的体积、重量、成本，具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106756787B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611041955.7
申请日：2016-11-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。
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公开(公告)号：CN115561922B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211108748.4
申请日：2022-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器。本发明通过在氮化硅磁光波导器件的磁光波导上制备金属导线和软磁材料薄膜，实现利用微弱的电流控制软磁材料薄膜的磁化方向，进而控制磁光波导磁化方向的效果，从而达到在氮化硅波导平台上以低功耗控制光强的效果。本发明对氮化硅波导平台低功耗的光调制功能实现具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115047654B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210757802.1
申请日：2022-06-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及偏振光学控制和纳米光学领域，具体涉及一种全固态可调控偏振成像器件。本发明通过制备VO2相变材料的光栅结构，配合光栅结构两侧的电极通过电调控的方式实现CCD强度成像和偏振成像间的切换，从而实现器件的全固态、小型化、集成化、高可靠性和高速电切换。并易于光电集成封装，解决了现有技术机械旋转方式带来的体积大、重量重、抗负载能力差、切换速度慢等问题。可应用于机载、星载和弹载等成像系统，具有着重要的应用前景和意义。
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公开(公告)号：CN115494589B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211135557.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种氮化硅平台的SMF‑28光纤到芯片超低损端面耦合器。本发明基于端面耦合的模式耦合理论，通过采用具有不同折射率氮氧化硅和SiN两种材料的三层结构，再配合倒锥结构，通过将低折射率的氮氧化硅材料做成扁平层以大幅度扩大模场，使其电场分布与光纤电场分布更接近，提高了波导端面模式与SMF‑28光纤模式的重叠效率，从而有效提高了端面耦合效率，实现芯片与SMF‑28光纤的高效耦合。本发明对于硅基集成光学系统中的光通信、光互连、光传感和激光探测等模块具有重大意义。
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公开(公告)号：CN117389069A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311520694.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及纳米光学与光电集成领域，具体涉及一种基于相变材料的全固态可调谐偏振控制器。本发明包括透明衬底、底层透明电极和偏振调控单元，本发明通过底层透明(如ITO)电极施加电压，实现电调控相变材料折射率大小，通过椭圆柱结构的相变材料偏振调控单元实现对正交偏振入射光的双折射相位连续调控，进而改变出射光的偏振态。本发明具有平面化、全固态的优势，可有效地解决现有偏振控制器体积大、重量重以及难以全固态集成的问题；适用于偏振光产生与调控，偏振成像与加密，具有着重要的应用前景和意义。
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