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公开(公告)号：CN103233211A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310151433.2
申请日：2013-04-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C16/46
Abstract: 金属有机物化学气相沉积加热装置，属于低真空MOCVD领域。本发明包括圆筒、设置于圆筒两端的筒盖、主发热丝和辅助发热丝，主发热丝设置于圆筒的内壁，圆筒筒壁的中部设有喷淋头入口和排气口，喷淋头入口为径向相对设置的两个开口，筒盖的中心处设置有衬底出入口，辅助发热丝设置于喷淋头入口处。本发明可以实现在衬底的两面同时生长薄膜，并且保证衬底两面温度的均匀分布和面内温度的一致性，进而保证制备的薄膜的面内均匀性和两面一致性。
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公开(公告)号：CN119482352A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411305002.1
申请日：2024-09-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02J3/00 , H02J3/48 , G06F30/27 , G06F18/231 , G06F113/04
Abstract: 本发明公开了一种考虑分布式光伏不确定性的配电网等值建模及模型调用方法，首先采集配电网区域内光伏出力历史预测值和实际值并计算预测误差；然后根据预测时间和预测值大小对预测误差进行聚类，并计算各聚类结果的概率密度分布；建立配电网的等值模型确定待辨识的参数，接着采集配电网电气量测值对等值模型参数辨识；最后调用等值模型预测配电网中分布式光伏出力。
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公开(公告)号：CN115865047A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211363194.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种对含误差变量模型系统的辨识方法，主要解决现有系统辨识方法在输入和输出信号均受到脉冲噪声污染的情况下对未知含误差变量模型系统辨识精度低甚至无法辨识的问题。其实现方案是：初始化自适应滤波器；利用最大总体分数阶相关熵构建自适应滤波器的代价函数；利用最大总体分数阶相关熵的分数阶梯度方法迭代更新自适应滤波器的权系数，使得自适应滤波器的权系数与未知系统权系数之间的误差不断减小，最终得到未知系统权系数，完成对含误差变量模型系统的识别。本发明能实现在弱脉冲噪声环境与强脉冲噪声环境下对未知含误差变量模型系统的良好辨识，且提高了辨识精度，可用于数字波束形成、信道均衡、噪声消除及心电图信号干扰消除。
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公开(公告)号：CN109066032B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201810814873.4
申请日：2018-07-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 本发明公开了一种Ka波段双面铁氧体薄膜微带线环行器，属于微波铁氧体器件领域。该环行器包括非磁性介质基片、基于镀膜工艺在所述介质基片的两面生长的铁氧体薄膜层、以及在其中一面的铁氧体薄膜层上形成的阻抗匹配微带线，另外一面形成的金属接地板。本发明在单面铁氧体薄膜环行器的基础上，改变环行器的结构形式，即在介质基片上下两面镀上铁氧体薄膜，这样不仅缓解了环行器对单层铁氧体厚膜的需求与单层铁氧体厚膜制作难度大之间的矛盾，同时大大提升了环行器的性能。实验结果表明，适当厚度的双层铁氧体薄膜结构的环行器在经过阻抗匹配优化后，其带宽、插入损耗、隔离度、回波损耗等参数相比传统结构的单层铁氧体薄膜环行器都有明显的提升。
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公开(公告)号：CN111162117A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010002987.6
申请日：2020-01-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种抗单粒子烧毁的GaN器件，包括从下到上依次层叠设置的GaN底部缓冲层、GaN中间缓冲层、GaN沟道层、势垒层、钝化层；GaN中间缓冲层中设有夹层，夹层将GaN中间缓冲层分为上下两层；GaN中间缓冲层上表面的两端分别设有源电极和漏电极，钝化层上设有凹槽绝缘栅结构，源电极、漏电极和凹槽绝缘栅结构贯穿钝化层、势垒层和GaN沟道层，并延伸至GaN中间缓冲层上表面；凹槽绝缘栅结构包括凹槽，凹槽内壁设有栅介质，凹槽内设有栅电极；本发明有效降低了粒子入射后器件中的瞬态电流，从而提高了GaN器件的抗单粒子烧毁性能。
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公开(公告)号：CN110854544A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911203099.4
申请日：2019-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低RCS的相控阵天线及其RCS缩减的方法，天线单元包括四层结构：辐射贴片层、十字形馈电结构层、地板层、直流馈电层，相邻两层之间通过介质基板隔开；通过控制PIN二极管的通断实现天线圆极化模式的切换以及天线馈电点的切换，从而达到天线单元在水平方位的等效旋转的效果，由此实现天线单元散射场得到2倍旋转角的相位差，即180°；天线单元散射场在远场抵消，并分散到更广的角域空间，从而降低阵列天线的RCS，本发明直接对各天线单元的散射相位加以控制，使各阵元散射场无法相干叠加或将其反射至无威胁角度，以此来降低阵列RCS。
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公开(公告)号：CN104796127A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510172330.3
申请日：2015-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/945
Abstract: 本发明公开了一种应用于红外接近感测器的红外发光二极管驱动电路，主要解决现有红外发光二极管驱动电路的输出电流受红外发光二极管阳极电压变化影响较大的问题。该驱动电路包括电流生成电路(1)、电流镜(2)和输出级电路(3)，其中，电流生成电路(1)将基准电压加在电阻两端产生基准电流，电流镜(2)将该电流镜像到输出级电路(3)，输出级电路(3)利用一个运算放大器与一个NMOS管构成的负反馈环路来强制输出级电流镜的两个NMOS管的漏源电压一致，从而精确地镜像电流，为驱动电路提供良好的线性调整率与高摆幅。本发明可用于红外接近感测器中。
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公开(公告)号：CN103368044A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310299903.X
申请日：2013-07-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于温控机制的同步双频脉冲微片激光器装置。本发明装置包括双频激光产生装置和同步双频激光脉冲输出装置。双频激光产生装置包括微片激光器的抽运源、传输光纤、自聚焦透镜、微片增益介质和半导体温控；同步双频激光脉冲输出装置包括滤波片、分束器、偏振分束片、数字示波器、准直器、耦合器、RF分析仪和频谱分析仪。本发明装置通过采用预抽运、对抽运源和微片增益介质的热沉进行温控，移动增益谱线和激光振荡波长，进而调节双频激光脉冲的相对增益以调整激光脉冲的出光时间，得到时间同步的双频激光脉冲输出。本发明得到的时间同步的双频激光脉冲，为下一步光生毫米波应用于光载无线通信（ROF）打下了基础。
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公开(公告)号：CN102899638A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210370795.6
申请日：2012-09-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/48
Abstract: 用于光辅助金属有机物化学气相沉积的气体喷淋头装置，涉及低压MOCVD领域。本发明包括气体管道，其特征在于，在气体管道上设置有紫外线光源；气体管道上还设置有透光窗口，从紫外光源到管道内部形成通光路径；在气体管道上设置有隔热装置。本发明的有益效果是，有效降低了喷淋头的温度，有效抑制了金属有机源蒸气在喷淋头内壁的反应；同时引入紫外线辐照，使得金属有机源大分子在到达衬底前得以提前分解，加快了反应速率，改善了薄膜质量。
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