公开(公告)号：CN111146274B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202010002975.3

申请日：2020-01-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  苏芳文 ,  包梦恬 ,  于成浩 ,  曹菲 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  吕钢

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种碳化硅沟槽IGBT结构，包括N‑漂移区、N‑型缓冲层、P型阱区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+沟槽集电极区、沟槽集电极、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加沟槽集电极，并且在沟槽集电极上方加入P+沟槽集电极，由于新器件P+沟槽集电极区上方没有N+缓冲层，增强了正向导通时的空穴注入效率，使得新器件开启电压降低；新器件关断时，沟槽集电极提供了低电阻通道，加快了电子的抽取，进一步降低了关断损耗。

公开(公告)号：CN111162117A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010002987.6

申请日：2020-01-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  张飞 ,  包梦恬 ,  于成浩 ,  曹菲 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  吕钢

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开一种抗单粒子烧毁的GaN器件，包括从下到上依次层叠设置的GaN底部缓冲层、GaN中间缓冲层、GaN沟道层、势垒层、钝化层；GaN中间缓冲层中设有夹层，夹层将GaN中间缓冲层分为上下两层；GaN中间缓冲层上表面的两端分别设有源电极和漏电极，钝化层上设有凹槽绝缘栅结构，源电极、漏电极和凹槽绝缘栅结构贯穿钝化层、势垒层和GaN沟道层，并延伸至GaN中间缓冲层上表面；凹槽绝缘栅结构包括凹槽，凹槽内壁设有栅介质，凹槽内设有栅电极；本发明有效降低了粒子入射后器件中的瞬态电流，从而提高了GaN器件的抗单粒子烧毁性能。

公开(公告)号：CN111146274A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN202010002975.3

申请日：2020-01-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  苏芳文 ,  包梦恬 ,  于成浩 ,  曹菲 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  吕钢

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种碳化硅沟槽IGBT结构，包括N-漂移区、N-型缓冲层、P型阱区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+沟槽集电极区、沟槽集电极、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加沟槽集电极，并且在沟槽集电极上方加入P+沟槽集电极，由于新器件P+沟槽集电极区上方没有N+缓冲层，增强了正向导通时的空穴注入效率，使得新器件开启电压降低；新器件关断时，沟槽集电极提供了低电阻通道，加快了电子的抽取，进一步降低了关断损耗。