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公开(公告)号：CN102255040A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110091978.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 双面超导带材缓冲层的连续制备方法，属于超导材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)将基带安装在两个转盘之间；2)将金属钇靶分别安置在对靶上，两个转盘之间的基带平面的法线与相对的对靶上的金属钇靶连线垂直；3)将生长室(9)抽背底真空至5.0×10-4Pa以下，对基带进行加热，使温度保持在600℃～660℃，向生长室内充入氩氢混合气体，并保持2～3Pa，再充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa的水蒸气；4)步进电机通过第一转盘或者第二转盘带动基带匀速运动；5)开启辉光，溅射金属钇靶材，在基片上沉积Y2O3薄膜；6)关闭溅射。本发明采用离轴溅射，基带与靶材成90度夹角，提高了双面缓冲层面内外织构。
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公开(公告)号：CN104021880B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410243268.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域，本发明包括下述步骤：1)基带预处理：在基带底面和顶面制备非晶薄膜，使基带表面粗糙度达到预设标准；2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层，在基带的顶面沉积IBAD?MgO薄膜；3)将金属保护层与基带底面分离，并在基带顶面的IBAD?MgO薄膜表面覆盖金属保护层，然后在基带底面沉积IBAD?MgO薄膜，得到双面沉积有IBAD?MgO薄膜的基带；4)以双面沉积有IBAD?MgO薄膜的基带作为基底，在基底的一面沉积一层自外延MgO薄膜；5)在基底另一面上也沉积一层自外延MgO薄膜。本发明采用二次沉积技术，实现双面IBAD?MgO薄膜的沉积，为开发双面带材，大幅度提高带材载流能力，降低成本提供了关键基础。
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公开(公告)号：CN104021880A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410243268.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域，本发明包括下述步骤：1)基带预处理：在基带底面和顶面制备非晶薄膜，使基带表面粗糙度达到预设标准；2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层，在基带的顶面沉积IBAD-MgO薄膜；3)将金属保护层与基带底面分离，并在基带顶面的IBAD-MgO薄膜表面覆盖金属保护层，然后在基带底面沉积IBAD-MgO薄膜，得到双面沉积有IBAD-MgO薄膜的基带；4)以双面沉积有IBAD-MgO薄膜的基带作为基底，在基底的一面沉积一层自外延MgO薄膜；5)在基底另一面上也沉积一层自外延MgO薄膜。本发明采用二次沉积技术，实现双面IBAD-MgO薄膜的沉积，为开发双面带材，大幅度提高带材载流能力，降低成本提供了关键基础。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102255040B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110091978.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 双面超导带材缓冲层的连续制备方法，属于超导材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)将基带安装在两个转盘之间；2)将金属钇靶分别安置在对靶上，两个转盘之间的基带平面的法线与相对的对靶上的金属钇靶连线垂直；3)将生长室(9)抽背底真空至5.0×10-4Pa以下，对基带进行加热，使温度保持在600℃～660℃，向生长室内充入氩氢混合气体，并保持2～3Pa，再充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa的水蒸气；4)步进电机通过第一转盘或者第二转盘带动基带匀速运动；5)开启辉光，溅射金属钇靶材，在基片上沉积Y2O3薄膜；6)关闭溅射。本发明采用离轴溅射，基带与靶材成90度夹角，提高了双面缓冲层面内外织构。
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公开(公告)号：CN103695859B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310676482.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域。包括以下步骤：（1）将柔性基带安装在两个转盘之间；（2）将长400毫米，宽40毫米，厚度5毫米的锰镧合金靶分别安置在对靶上，基带正反面分别与对靶上的锰镧合金靶相对；（3）将生长室抽背底真空至1×10-3Pa以下，对基带加热，使温度保持在750℃左右，充入氩气至0.5Pa并维持，再用U型进气管充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa氧气；（4）开启中频电源，在靶材附近形成辉光区域；（5）步进电机带动基带匀速通过辉光区域沉积薄膜；（6）关闭溅射。本发明采用中频溅射和超长对靶结构，提高了薄膜的沉积速率，有利于长带材的快速、连续制备。
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公开(公告)号：CN103695859A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310676482.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域。包括以下步骤：（1）将柔性基带安装在两个转盘之间；（2）将长400毫米，宽40毫米，厚度5毫米的锰镧合金靶分别安置在对靶上，基带正反面分别与对靶上的锰镧合金靶相对；（3）将生长室抽背底真空至1×10-3Pa以下，对基带加热，使温度保持在750℃左右，充入氩气至0.5Pa并维持，再用U型进气管充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa氧气；（4）开启中频电源，在靶材附近形成辉光区域；（5）步进电机带动基带匀速通过辉光区域沉积薄膜；（6）关闭溅射。本发明采用中频溅射和超长对靶结构，提高了薄膜的沉积速率，有利于长带材的快速、连续制备。
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