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公开(公告)号：CN104066186A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410292847.1
申请日：2014-06-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于容量受限下的CoMP模式数据传递方式，其实现方法是：引入X2接口为基站间传输数据信息，联合S1接口和X2接口，将CoMP用户根据其所使用的协作传输技术分为CoMP-CB用户和CoMP-JP用户，再根据用户类型将数据细分为CoMP-CB数据、CoMP-JP数据和exchange数据，exchange数据为CoMP-JP用户数据的一部分，由中心控制单元完成为各个基站分配各类型数据大小的任务，通过求解线性最优方程，得到最优的数据分配方案，中心控制单元根据方案将各类型数据通过S1接口传输到各基站，各基站间再通过X2接口完成exchange数据的交互，最终在S1和X2接口容量受限的条件下，最大化利用接口容量，提高网络吞吐量。可用于LTE网络中CoMP技术的数据传递方式制定。
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公开(公告)号：CN113791448B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110993201.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 电子科技大学成都学院
Abstract: 本发明属于数据处理技术领域，具体的说是一种基于地质结构特征的多维数据可视化方法及系统，该方法包括以下步骤：S1：将专业人员采集到的用来描述地质信息的离散数据输入电脑系统中；S2：利用结构特征提取算法来处理描述地质信息的离散数据，得到最具有结构特征的序列；S3：将通过S2得到的最具有结构特征的序列通过电脑显示屏显示出来；所述结构特征提取算法包括数据预处理算法和同相轴提取；所述同相轴提取采用相关法；所述数据预处理算法包括平滑滤波和特征选择；分析所有的离散数据之间的联系，从中找出能够代表地质结构特征的数据序列，并且通过显示屏显示出来。
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公开(公告)号：CN115714931A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211317176.0
申请日：2022-10-26
Applicant: 电子科技大学成都学院
Abstract: 本发明提出了一种基于5G的智能通信装置，包括支撑板和支撑台，支撑台内设置有供电装置、BZT装置和散热机构，BZT装置包括第一轴承、第三轴承和电控缸，第一轴承上设有第一齿轮、第二齿轮，第一齿轮、第二齿轮与第一轴承固定连接，第三轴承位于第一轴承的一侧，第一轴承与第三轴承转动配合，第三轴承上设有从动盘，从动盘与第三轴承固定连接，电控缸位于第一轴承远离第三轴承的一侧，第一轴承的输出轴上设有凹槽，电控缸的输出轴上设有挡片，挡片与电控缸的输出轴固定连接，挡片位于凹槽内，电控缸与第一轴承通过挡片连接，供电装置包括主电源、备用电源和控制器，供电装置与BZT装置电连接。
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公开(公告)号：CN114397627A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111599300.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 电子科技大学成都学院
Abstract: 本申请提供一种有源干扰宽带频谱监视及识别方法、硬件平台，能够解决相关技术中复杂电磁环境中雷达抗干扰难以工程实现的问题，从而提供复杂电磁环境中雷达干扰宽带监视和识别工程实现方案，为后续的雷达抗干扰措施的选取提供先验信息，扭转了目前雷达抗有源干扰的被动局面。该有源干扰宽带频谱监视及识别方法方法包括：接收宽带模拟中频信号；从宽带模拟中频信号中进行数模转换和量化接收，以获得数字信号化后的窄带中频信号；将窄带中频信号进行信道化检测，并根据测频、干扰强度估计算法，获取干扰信号的信息；从窄带中频信号中提取时域和频域的干扰特征参数；根据干扰信号的信息和时域和频域的干扰特征参数，确定窄带中频信号中的干扰信号。
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公开(公告)号：CN114098374A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111351154.1
申请日：2021-11-16
Applicant: 电子科技大学成都学院
Abstract: 本发明提供了一种用于通信电子器件功能展示设备，涉及展示设备技术领域，包括：便携组件；所述开关盖板转动连接在器件箱的顶部,展示架能够隐藏在器件箱的内部，从而增强了该装置对展示架及其内部显示屏的保护效果，经久耐用，且控制机构能够控制展示机构的使用状态，使得展示机构的展开使用和收缩隐藏更为方便灵活，器件箱的内部能够开设储物腔存放各类电子器件，从而实现该装置能够同时展示和存放电子器件的功能，解决了现有展示设备对显示屏的保护效果差，显示屏很容易因为外力撞击损坏，且展示设备内部没有储物空间，导致在推销展示时不仅要携带展示设备，还需要通过其他的物件对电子器件进行转运储存的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109440071B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811597481.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法。本发明通过在基片上沉积一层SiO2扩散阻挡层，以阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜与基片的Si相互扩散，同时不影响YIG,Ce：YIG材料的结晶性能和器件的模场分布；并且通过选择50‑60nm厚的YIG薄膜，以降低损耗。最终制备的硅集成YIG/Ce:YIG薄膜材料，YIG薄膜损耗为100‑150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50‑80dB/cm。对于提高材料磁光优值，发展低损耗硅基光隔离器件提供了极大的帮助。
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公开(公告)号：CN107678190B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710933019.5
申请日：2017-10-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。
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公开(公告)号：CN109597222A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811391158.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种平面硅波导器件中集成TE型光隔离器的制备方法。本发明采用两种方式沉积总厚度在500纳米以上的包层材料，第一层SiO2包层的厚度大于硅波导的高度并且低于450纳米，通过步骤2旋涂的方式，将步骤1制得基片的图案平面化，退火后不产生开裂现象和影响波导的透光性能；还采用CHF3和Ar混合的方式刻蚀SiO2包层，利用CHF3在刻蚀SiO2的过程中由于化学反应产生的有机物附着在硅波导表面，阻止了CHF3对硅波导的刻蚀，对部分暴露的硅波导表面起保护作用。本发明制备的隔离器，与微环结构相比，提高了器件的带宽，并解决了用晶元键合无法制备TE器件的难题。
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公开(公告)号：CN106226765B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610815675.0
申请日：2016-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01S13/88
Abstract: 本发明公开一种建筑物布局成像方法及系统，首先利用墙体与天线的几何位置关系，估算墙体参数，计算电磁波穿透墙体时延，将真实穿透墙体的时延用作后续成像补偿。墙体在整个建筑物内部空间内的数量少，具有稀疏性，同时利用墙体具有块状，连续性的特点。运用分布式压缩感知方法，对目标距离域划分子空间，将计算得到的真实传播时延在子空间中对数据补偿，矫正电磁波在墙体中传播时延，去除前墙对内墙影响。构造一个新的矩阵，使矩阵也具有块状、连续性的特点，通过矩阵将场景与投影联系起来，将点连成块，呈现墙体形状。该方法运算量小，从而能够应用于实时测试系统。
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公开(公告)号：CN106756787A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611041955.7
申请日：2016-11-24
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/28 , G02F1/0036
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。
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