公开(公告)号：CN117694024A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202280051810.2

申请日：2022-07-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正

IPC: H05K1/02

Abstract: 本发明提供电路基板，其为具备电路形成部和虚设部的电路基板，所述电路基板具备陶瓷板和接合于陶瓷板的主面的多个导体部，多个导体部包含设置于虚设部的第1导体部和设置于电路形成部的第2导体部，在第1导体部的表面具有第1识别标记。虚设部中的第1导体部的外缘的一部分相较于陶瓷板的主面而言向外侧伸出。

公开(公告)号：CN110945974B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201880048695.7

申请日：2018-07-25

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  原田祐作 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: H05K1/09 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/30 ,  C22C5/06 ,  H01L23/13 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明提供一种具有高接合性及优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其在陶瓷基板上隔着钎料层设置电路图案，利用由电路图案的外周溢出的钎料层形成有溢出部，钎料层含有Ag、Cu及Ti；和Sn或In，从溢出部外周起沿着陶瓷基板与电路图案的接合界面朝着内侧连续地形成300μm以上的富Ag相，接合空隙率为1.0％以下。

公开(公告)号：CN113226610B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201980086356.2

申请日：2019-12-26

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  中村贵裕 ,  西村浩二

IPC: B23K1/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H01L23/14 ,  C04B37/02 ,  H05K1/09

Abstract: 陶瓷‑铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层的平板状陶瓷‑铜复合体，其中，将陶瓷‑铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时，在铜层的切面中，将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(102)％、具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(101)％、具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(111)％、具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(112)％时，满足特定的式(1)。

公开(公告)号：CN109075136B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201780026320.6

申请日：2017-04-25

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  西村浩二

IPC: H01L23/13 ,  H05K3/28

Abstract: 本发明的课题在于得到一种功率模块用陶瓷电路基板，其在陶瓷电路基板中不使生产率降低，不使因绝缘树脂位置偏离而导致部分放电特性恶化及绝缘特性降低的情况发生，涂布有：防止焊料流动、芯片偏离的绝缘树脂以及防止部分放电、绝缘性降低的绝缘树脂。通过对于陶瓷电路基板，将防止焊料流动、芯片偏离的绝缘树脂以及防止部分放电、绝缘性降低的绝缘树脂分别涂布在金属电路的主面上以及金属电路的外周部或金属电路间，从而得到功率模块用陶瓷电路基板。

公开(公告)号：CN114830837A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080078894.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  小桥圣治 ,  江嶋善幸 ,  汤浅晃正

IPC: H05K1/02 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  C04B35/587

Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在与由其一对对角线形成的交叉点错开的位置形成有至少一个凸状部分，所述至少一个凸状部分朝向其板厚方向的一侧或另一侧成为凸状，前述至少一个凸状部分的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为2μm/mm以下。

公开(公告)号：CN114127918A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051787.8

申请日：2020-07-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  H01L23/544 ,  H01L21/48

Abstract: 提供下述陶瓷基板，其具备具有由划分线所划分的多个划分部、和对准标记的主面，该主面在比对准标记更靠近主面中心的位置具有至少一条划分线。提供陶瓷基板的制造方法，其包括得到在主面具有对准标记的陶瓷基材的工序，和对主面照射激光而形成将主面划分成多个划分部的划分线从而得到陶瓷基板的工序，并具有陶瓷基板的主面在比对准标记更靠近中心的位置具有至少一条划分线。

公开(公告)号：CN113646149A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080021035.7

申请日：2020-03-12

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  江嶋善幸 ,  藤吉大树 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/364 ,  C04B41/91 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

Abstract: 首先，利用激光，在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着，沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成为一列。多个凹部(112)各自的深度(d)为多个凹部(112)各自的开口宽度(w)的0.70倍以上、1.10倍以下。多个凹部(112)各自的开口宽度(w)为多个凹部(112)的中心间距离(p)的1.00倍以上、1.10倍以下。

公开(公告)号：CN113508016A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202080011345.0

申请日：2020-01-30

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  江嶋善幸 ,  渡边龙平 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: B28B11/14

Abstract: 本发明的单张生片的制造方法包括下述工序：搬运工序，将包含陶瓷而构成的带状生片沿其长度方向进行搬运；及照射工序，通过对被搬运的上述带状生片照射激光来切割上述带状生片而得到单张生片。

公开(公告)号：CN110691762A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201880036114.8

申请日：2018-05-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  原田祐作 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H05K3/20

Abstract: 提供一种耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，在陶瓷基板的至少一个主面介由接合钎料接合有金属板，以金属成分计，相对于Ag93.0～99.4质量份、Cu0.1～5.0质量份、Sn0.5～2.0质量份的合计100质量份，上述接合钎料含有0.5～4.0质量份的选自钛、锆、铪、铌中的至少1种活性金属，陶瓷基板与金属板之间的接合钎料层组织中的富Cu相的平均尺寸为3.5μm以下，个数密度为0.015个/μm2以上。一种陶瓷电路基板的制造方法，其包含：在接合温度855～900℃、保持时间10～60分钟的条件下进行接合。

公开(公告)号：CN110537256A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201880026676.4

申请日：2018-04-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 原田祐作 ,  汤浅晃正 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。