公开(公告)号：CN110033804A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811594121.8

申请日：2018-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 薮内诚 ,  新居浩二

IPC: G11C15/04

Abstract: 提供了可以执行高速搜索操作的半导体器件。半导体器件包括：多个搜索存储单元，以矩阵形式布置；多个搜索线对，分别设置为与存储单元列相对应，并且分别传输将与存储在搜索存储单元中的数据进行比较的多个搜索数据；多个搜索驱动器，分别布置为对应于搜索线对的一端侧，并且根据搜索数据驱动搜索线对；以及多个辅助电路，分别设置为对应于搜索线对的另一端侧，并且根据搜索数据辅助驱动对应的搜索线对。

公开(公告)号：CN108986868A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810533547.6

申请日：2018-05-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 薮内诚

IPC: G11C29/10

Abstract: 本发明涉及一种内容可寻址存储器和半导体装置。本公开的目的是提供实现了更高搜索访问速度的内容可寻址存储器。该内容可寻址存储器包括：多个存储单元；匹配线，其耦合至所述多个存储单元；搜索线，其耦合至所述多个存储单元中的每个；匹配线输出电路，其耦合至所述匹配线；以及电位改变电路，其耦合至所述匹配线并且改变所述匹配线的电位。

公开(公告)号：CN108986858A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810531259.7

申请日：2018-05-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 泽田阳平 ,  薮内诚 ,  森本薰夫

IPC: G11C15/04

Abstract: 本申请涉及一种内容可寻址存储器。该内容可寻址存储器包括：多个TCAM单元，其构成一个条目；第一字线，其被耦合到所述TCAM单元；第二字线，其被耦合到所述TCAM单元；以及匹配线，其被耦合到所述TCAM单元，并且还包括有效单元，其存储指示所述条目的有效或无效的有效位；位线，其被耦合到所述有效线；以及选择电路，其被耦合到所述第一字线和所述第二字线，并且根据其中所述第一字线或所述第二字线被设定为选定状态的情形将所述有效单元设定为选定状态。

公开(公告)号：CN108133726A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711239759.5

申请日：2017-11-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 田中信二 ,  薮内诚

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/4063

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其能够降低因布线的寄生电阻或者寄生电容的影响而使信号波形变钝的现象。半导体器件具有向由驱动信号驱动的布线的远端部分供给升压电压的供给电路。所述供给电路具有：反相器电路，该反相器电路的输入与所述布线耦合；以及开关元件，其由所述反相器电路的输出信号控制。所述开关元件使所述升压电压与所述布线的远端部分连接。

公开(公告)号：CN104464812A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410482392.X

申请日：2014-09-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 薮内诚

IPC: G11C16/24 ,  G11C29/56

CPC classification number: G11C29/1201 ,  G11C7/12 ,  G11C7/14 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419 ,  G11C29/12015 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/1204 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其测试方法。提供了一种半导体存储装置，其包括：第一存储单元；第一字线；第一公共位线；第二存储单元；第二字线；第二位线；第二公共位线；第一选择电路，将第一公共位线连接到从第一位线中选择出的第一位线；第二选择电路，将第二公共位线连接到从第二位线中选择出的第二位线；字线驱动器，激活第一和第二字线中的任一个；参考电流供应单元，将参考电流供应到第一和第二公共位线之中的未电气连接到数据读取目标存储单元的公共位线；以及感测放大器，放大第一和第二公共位线之间的电位差。

公开(公告)号：CN108962315B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201810494579.X

申请日：2018-05-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 薮内诚 ,  田中信二

IPC: G11C15/04

Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。本发明的目的是提供一种高度可靠的内容可寻址存储器。提供了一种内容可寻址存储器，该内容可寻址存储器包括：多个CAM单元；与CAM单元接合的字线；与CAM单元接合的多个位线；与CAM单元接合的多个搜索线；与CAM单元接合的匹配线；与匹配线接合的匹配放大器；以及能够根据字线的值来选择匹配放大器的输出的选择电路。

公开(公告)号：CN114067880A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110837496.8

申请日：2021-07-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 田中信二 ,  石井雄一郎 ,  薮内诚

IPC: G11C11/413 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G11C7/06 ,  G11C5/14 ,  G06F1/12

Abstract: 本公开涉及半导体器件。提供了包括SRAM的半导体器件，该SRAM能够感测不满足期望特性的有缺陷的存储器单元。该半导体器件包括存储器单元、位线对以及用于从位线对中指定位线的指定电路，该位线对被耦合到存储器单元，并且在读取模式下根据存储器单元的数据使电压向电源电压和地电压改变。在该半导体器件中，布线电容被耦合到由指定电路指定的位线，并且指定位线的电压在测试模式下被设置为电源电压与地电压之间的电压。

公开(公告)号：CN113764008A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110587495.2

申请日：2021-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 薮内诚

IPC: G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：与匹配线连接的多个存储器单元；与字线连接的字线驱动器；被配置为存储有效位的有效单元，有效位指示条目的有效或无效；第一预充电电路，与匹配线的一端连接并且被配置为将匹配线预充电到高电平；以及第二预充电电路，与匹配线的另一端连接并且被配置为将匹配线预充电到高电平。多个存储器单元被布置在第一预充电电路和第二预充电电路之间，并且第二预充电电路被布置在字线驱动器和多个存储器单元之间。

公开(公告)号：CN105374828B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201510505825.3

申请日：2015-08-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈垣健 ,  涩谷宏治 ,  薮内诚 ,  津田信浩

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: 谋求具有FINFET的半导体器件的省面积化。分别通过2个局域互连部(LIC2)将n沟道型的FINFET(NFT)和p沟道型的FINFET(PFT)的漏极区域(Dp、Dn)从栅电极(GE)与其相邻的虚设栅极(DG)之间的Y栅格(YG2)引出到其相邻的Y栅格(YG3)。并且，用在Y栅格(YG3)沿X方向延伸的局域互连部(LIC1)将这些局域互连部(LIC2)之间连接。根据这样的单元布局，通过局域互连部(LIC1)的配置，虽然栅格数增加了一个，但能够缩短X方向的长度。结果，能够确保局域互连部(LIC1，LIC2)间的空间，并谋求单位单元的单元面积的缩小化。

公开(公告)号：CN111863064A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010201893.1

申请日：2020-03-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 横山佳巧 ,  薮内诚

IPC: G11C11/4063

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件以及驱动半导体器件的方法，其目的是为具有大寄生电阻或大负载容量的布线提供能够提高在远离驱动器的位置处的布线的电压的升高或降低速度的技术。半导体器件包括：第一布线，具有第一部、第二部、在第一部和第二部之间提供的第三部；连接到第三部的多个存储器单元；具有栅极和连接到第二部的漏极的场效应晶体管以及与第一布线并联提供的第二布线。第一布线的第三部包括靠近第一部的第四部、靠近第二部的第五部、设置在第一部与第四部之间的第六部。多个存储器单元包括连接到第四部的第一存储器单元和连接到第五部的第二存储器单元。第二布线电连接在第六部与场效应晶体管的栅极之间。