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公开(公告)号：CN100398571C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN01123292.7
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/14 , C09D133/08
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 一种具有下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种含有所述有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物、和由其制得抗反射涂层的制备方法。该包含所公开聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，并提高生产产率。而且，还能控制K值并且增加疏水性，有助于形成EBR(流珠式除水)。
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公开(公告)号：CN101145514A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710130153.8
申请日：2007-07-20
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/3213 , G03F7/00
摘要： 本发明公开一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在包括基层的半导体基板之上形成第一光阻图案；在所述第一光阻图案的侧壁上形成交联层；除去所述第一光阻图案，以形成包括硅聚合物的精细图案；形成与所述精细图案连接的第二光阻图案；利用所述精细图案和所述第二光阻图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述基层。结果，所述精细图案具有比最小间距更小的尺寸。
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公开(公告)号：CN101140854A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710000593.1
申请日：2007-01-12
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： 本发明公开一种用于制造半导体器件的细微图案的方法，包括：在底层上形成具有厚度t1的硬掩模图案；在所述硬掩模图案上形成具有厚度t2的光可穿透性薄膜；在所述光可穿透性薄膜上形成光可吸收性薄膜；在不使用曝光掩模的情况下，在产生的结构上执行曝光工序，同时控制曝光能量的量以使曝光的光达到深度T，所述深度从所述光可穿透性薄膜的顶面测量到所述底层的顶面，其中t2＜T≤t1+t2；在产生的结构上执行显影工序以在所述硬掩模图案之间形成有机掩模图案；以及使用所述硬掩模图案和所述有机掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述底层以形成底层图案。
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公开(公告)号：CN100354755C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200310120313.2
申请日：2003-12-05
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0395
摘要： 本发明揭示了用于光致抗蚀剂的外涂层组合物及降低光致抗蚀剂图案线宽的方法。更具体地，在由常规光刻过程所制得的光致抗蚀剂图案的整个表面上涂布包含酸的外涂层组合物，从而使酸扩散入光致抗蚀剂图案中。其中酸扩散到达的部分的光致抗蚀剂以碱性溶液显影而移除。结果，可降低正性光致抗蚀剂图案的线宽，还可避免负性光致抗蚀剂图案的线宽在随后的使用SEM测量线宽的过程中变细。
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公开(公告)号：CN101025569A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610167776.8
申请日：2006-12-18
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/027 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/2022 , G03F7/70466
摘要： 一种用于形成半导体器件的微细图案的方法，包括：形成光阻剂层，所述光阻剂层包括具有第一图案密度的第一光阻剂图案区以及具有比所述第一图案密度更密集的第二图案密度的第二光阻剂图案区；使用曝光掩模来执行曝光工序，以便曝光第一和第二光阻剂图案区的其中一个；以及在所获得的结构上执行阻剂流动工序。
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公开(公告)号：CN1992155A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610151548.1
申请日：2006-09-11
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/40
CPC分类号： H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，其包括在形成包含Si的光致抗蚀剂膜之后进行O2等离子体处理步骤。
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公开(公告)号：CN1983029A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610159600.8
申请日：1997-12-31
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G03F7/0395 , C08F232/04 , G03F7/039
摘要： 一种光致抗蚀剂，包括从双环烯衍生物、马来酸酐和/或碳酸亚乙烯酯制备的共聚物，其中共聚物分子量范围是3000－100000。该光致抗蚀剂可用于使用远紫外光作光源的亚微级平版印刷。除耐刻蚀性和耐热性高以外，该光致抗蚀剂具有良好粘附性并可在TMAH溶液中显影。
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公开(公告)号：CN1819156A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510137500.0
申请日：2005-12-26
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/8229 , H01L21/02 , H01L21/00
摘要： 提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在基片上形成层间绝缘层；形成穿透到层间绝缘层中的存储节点接触塞；形成通过在层间绝缘层上堆叠第一保护阻挡层和牺牲层所形成的堆叠结构；以具有使存储节点接触塞的上部开放的沟槽的方式来对第一保护阻挡层和牺牲层执行蚀刻工艺；在沟槽内部形成具有柱型的存储节点；形成填充具有柱型的存储节点的内部的第二保护阻挡层；通过执行湿汲出工艺来移除牺牲层；移除第一保护阻挡层和第二保护阻挡层；以及在存储节点上依次形成电介质层和板节点。
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公开(公告)号：CN1237399C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03103572.8
申请日：2003-01-29
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C09D183/04 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/128 , Y10T428/24802 , C08L2666/04
摘要： 本发明涉及一种有机抗反射涂布组合物以及使用该组合物形成光阻图案的方法，该方法能避免下层膜或光阻层的基板产生反射波及降低光和光阻本身厚度不均匀所导致的驻波，从而在半导体装置制造中使用157nm波长的F2光源，利用光阻层进行照相平版形成微光阻图案的过程中，增加了光阻图案的均匀性。本发明特别涉及一种有机抗反射涂布组合物以及使用该组合物形成光阻图案的方法，通过使用包括特殊有机硅-基的聚合物添加到传统的有机抗反射涂布组合物中，可避免抗反射层的过度吸收，从而使膜对光的反射降至最低，有效地消除驻波并增进光阻图案的均匀性。
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公开(公告)号：CN1231503C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN01123291.9
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F22/10 , C09D133/08
CPC分类号： C08F220/36 , C07C251/54 , C08F220/40 , G03F7/091 , Y10S430/111 , C08F2220/281 , C08F216/38
摘要： 式10的一种化合物，一种由式1化合物合成的具有式1结构的有机抗反射聚合物及其制备方法。一种含有以上有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物，以及抗反射涂料的制备方法。含有所公开聚合物的该抗反射涂层消除了由晶片上的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了回射，还解决了由于从该下层衍射和反射的光引起的CD变换问题。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案且产品的产率增加。而且，还能控制K值。
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