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公开(公告)号：CN116590660A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310524470.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
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公开(公告)号：CN116454642A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310620401.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种可调谐窄带太赫兹吸收器，该吸收器自下而上分别是完美电导体(PEC)衬底，周期性的电介质纳米阵列单元结构，以及覆盖在电介质结构上的二维黑磷薄膜。其中，电介质纳米阵列单元结构由嵌入了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,n＝1.5)圆柱体的方形硅块(n＝3.42)组成，嵌入的圆柱体与硅块具有相同的高度h。黑磷的电子掺杂浓度为3×1013cm‑2，利用黑磷薄膜与具有折射率差的介质表面发生的等离子体激元共振效应，可以在太赫兹波段内产生共振从而达到完美吸收的效果。本发明可以通过改变电介质圆柱的直径D，电介质层高度h，以及黑磷电子的掺杂浓度，可以在TM、TE偏振下达到高吸收率，并且在66～75μm波段范围内，实现共振吸收峰的动态调控。
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公开(公告)号：CN116299827A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310249284.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于金棒和金孔阵列复合结构的中红外偏振转换器，由二氧化硅衬底和上层金棒—蜂窝状金孔阵列复合的超表面结构组成的。本发明可以实现线偏振—圆偏振光和圆偏振—圆偏振光的转换，具有较高的偏振转换率(PCR)，这为高性能偏振操纵器件的设计提供了可靠的结果；此外还发现了一些关于金棒旋转角度(θ)与手性之间的规律，为手性传感的设计也提供而一些方法。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后微纳偏振操纵器件的设计中。
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公开(公告)号：CN113640251A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110752420.5
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种D型双芯光子晶体光纤双参量等离子体传感器。所述光纤SPR传感器包括具有开口环形通道和曲面侧壁的D型光子晶体光纤；包括纤芯、空气孔、金属膜、TiO2层、温敏介质、液体分析物及完美匹配层。本发明由光子晶体光纤的纤芯和大小一致的空气孔排列而成，基底材料为石英，纤芯的中间的一个空气孔填有温敏介质PDMS，并在其外圈涂有金属薄膜；在开口环形的平面上有金属薄膜与TiO2层。温敏介质的折射率随着温度改变而变化，同时纳米金层表面自由电子共振产生吸收峰，其共振波长会发生偏移，通过观测共振波长的偏移过程实现对温度的传感测量，采用的是表面等离子共振原理。该传感器灵敏度高，检测范围宽，抗腐蚀能力强。
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公开(公告)号：CN120018769A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510168290.9
申请日：2025-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓忆阻器及其制备方法，采用磁控溅射设备制备底电极和顶电极，采用激光脉冲沉积设备制备氧化镓阻变层。其中，底电极用于施加信号，氧化镓作为阻变层，对底电极和顶电极施加外加电场，在电流作用下阻变层可以转变为两种不同的阻值，通过氧化还原反应在阻变层内部形成导电细丝，进而使器件阻值发生变化，可模拟部分神经突触性能。本申请的制备方法简单，易于操作，且所制备的氧化镓忆阻器具有无电铸、可模拟神经突触性能等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119253294A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410874207.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种基于叉指结构石墨烯宽带可调太赫兹吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、聚酰亚胺电介质层及叉指结构石墨烯层。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的叉指结构，金属电极用于对石墨烯费米能级及弛豫时间统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，弛豫时间(0.1～0.3ps)，可以实现在宽带内(2.2～5.1THz)的动态调控。除此之外，该发明还具有易于制备、可与集成电路工艺相结合等优点。因此，该发明在太赫兹领域中，如成像、隐身和开关操作设备等方面，它都具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118659136A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410792738.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种Ni和Ge多层纳米环阵列结构的近红外吸波器，吸波器是由Ni和Ge多层纳米环阵列组成，这些纳米环周期性地排列在金衬底上，环与金属衬底之间有一层SiO2电介质。所提出的吸收器实现了对近红外光近乎完美的吸收，这归因于来自顶部纳米环的多种谐振模式的集成，包括电极性和磁极性。纳米环的组成、几何形状和排列显著影响该器件的吸收性能，具有较小的公差。通过不断优化结构，可以得到对300–2400nm波长的电磁波近乎完美吸收的吸波器，该吸波器在整个波段的平均吸收率超过95％。该吸波器浸没在水中部分，可以充当太阳能蒸发器，可能应用于太阳能产生、消毒和海水处理，从而生产淡水。未浸没在水中的部分，也可能充当太阳能发电装置。
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公开(公告)号：CN118377073A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410467490.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于MIM谐振结构的超宽带高吸收率太阳能吸收器，该吸收器结构以金属钨(W)为衬底，衬底上的多层堆叠圆盘分别由金属钛(Ti)、非晶体态的Ge2Sb2Te5(A‑GST)或砷化镓(GaAs)组成，形成了三层MIM连续层隙等离子体强谐振器。本发明在0.3～2.5μm的波长范围内，平均吸收率为97.48％，太阳能光谱加权吸收效率为98.02％；在0.3～4μm的整个工作波段内，平均吸收率为96.95％，太阳能光谱加权吸收效率为97.54％。吸收率大于95％的带宽为2.37μm，吸收率大于90％的带宽为3.57μm。因此实现了超宽带、高效的太阳能吸收。结构自身的对称性使其具备优良的偏振无关特性，在0.3～2.5μm的波长范围内，该结构还对入射角变化表现出稳定的响应。因此，该技术在太阳能收集与转换、光伏器件以及热发射器件等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN116923288B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310760857.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B60R16/023 , B60Q9/00 , G08C17/02
Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
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公开(公告)号：CN116626797A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310620412.4
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种宽带高效线到圆偏振转换器，该转换器由底部金板、中间介电质层和顶部圆‑椭圆组合金板三层结构组成。本发明可以实现在0.4THz附近和0.5到1.15THz频率范围内的线到圆宽带偏振转换，并且反射系数大小约为0.7。仿真结果表明线到圆偏振转换效率大于0.95。从而实现了宽带、高效的线到圆偏振转换。这为高性能的宽带偏振转换器设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构新颖、性能优越，有望在未来高性能、多功能的偏振器件设计方面得到广泛运用。
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