公开(公告)号：CN118659136A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410792738.X

申请日：2024-06-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 肖功利 ,  裴玲珑 ,  杨宏艳 ,  李汇 ,  李凯 ,  陈赞辉 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  孙堂友 ,  李海鸥

IPC: H01Q17/00 ,  H01Q15/00 ,  G02B5/00

Abstract: 本发明公开一种Ni和Ge多层纳米环阵列结构的近红外吸波器，吸波器是由Ni和Ge多层纳米环阵列组成，这些纳米环周期性地排列在金衬底上，环与金属衬底之间有一层SiO2电介质。所提出的吸收器实现了对近红外光近乎完美的吸收，这归因于来自顶部纳米环的多种谐振模式的集成，包括电极性和磁极性。纳米环的组成、几何形状和排列显著影响该器件的吸收性能，具有较小的公差。通过不断优化结构，可以得到对300–2400nm波长的电磁波近乎完美吸收的吸波器，该吸波器在整个波段的平均吸收率超过95％。该吸波器浸没在水中部分，可以充当太阳能蒸发器，可能应用于太阳能产生、消毒和海水处理，从而生产淡水。未浸没在水中的部分，也可能充当太阳能发电装置。