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公开(公告)号：CN105047653A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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公开(公告)号：CN104992934A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510284780.1
申请日：2015-05-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件子模组，包括：导电组件，导电组件包括第一导电体，与第一导电体相对设置的第二导电体，以及叠置于第一导电体与第二导电体之间的芯片，容纳导电组件的夹持组件，夹持组件能向第一导电体以及第二导电体施加沿叠置方向的夹持力。通过使用这种功率半导体器件子模组能防止芯片与第一导电体和第二导电体发生错位。
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公开(公告)号：CN102569276B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210031820.8
申请日：2012-02-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块，包括：衬板，所述衬板为十字形结构，该衬板具有两两相对的四个翼；位于衬板上的一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排；其中，一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排分别位于所述衬板的不同翼上，两组IGBT芯片分别位于十字形衬板相对的两翼上，所述FRD芯片和母排分别位于剩余相对的两翼上。本发明实施例将两组IGBT芯片对称的分布在十字形衬板的相对的两翼，并将FRD芯片和母排分别设置于剩余相对的两翼上，以使母排远离各个芯片，即母排转弯处下方的磁通密集区域内，没有设置任何芯片，从而避免了杂散电感对IGBT芯片或FRD芯片的干扰，保证了整个IGBT模块的稳定运行。
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公开(公告)号：CN103594458A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310536791.5
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种衬板结构，包括AlN陶瓷层、正面覆铜层、背面覆铜层以及正面的阻焊层，所述正面覆铜层上的母排焊接区处和/或芯片焊接区的周沿处设置限位件，所述限位件用来在焊接过程中对焊片以及芯片和/或母排的引脚进行定位。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、能够提高封装焊接工艺效率等优点。
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公开(公告)号：CN103367299A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310276065.4
申请日：2013-07-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L21/60 , H05K1/18 , H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块功率互联装置及其方法，装置包括：母排、侧框、基板、印制电路板、辅助端引线组件和衬板组件。基板的边缘处设置有侧框，母排和衬板组件均设置在基板上。辅助端引线组件的一端与位于基板上的功率模块电极相连，辅助端引线组件的另一端与印制电路板相连，基板与印制电路板之间通过辅助端引线组件可活动的连接。本发明解决了现有技术存在的需要大量手工操作、效率低下、质量问题发生率高的问题，工艺流程得到了极大的简化，在提高效率的同时，避免了人为因素导致的操作失误，同时半导体模块可以随时取下或重新组装，返修变得非常方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103051159A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310006151.3
申请日：2013-01-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/13055 , H03K17/0406 , H03K17/0412 , Y02B70/1483 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种电力电子装置及其混合功率模块，和该混合功率模块的形成方法。其中，所述混合功率模块包括：IGBT开关器件；阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连，阳极与所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管；与所述IGBT开关器件栅极相连的栅极偏置电路，所述栅极偏置电路包括：相互并联的第一电阻和第一二极管，以及与所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电阻，以解决现有技术中碳化硅肖特基势垒二极管在反向恢复过程中存在的振荡现象，并消除IGBT开关器件的开通过程中存在的振荡现象，使得具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象的问题，使其正常工作。
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公开(公告)号：CN102522353A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210002416.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法，将陶瓷衬板密封在非金属外壳中，并在所述非金属外壳内灌注绝缘胶，使所述陶瓷衬板与周围环境保持绝缘，所述陶瓷衬板的两面均覆盖有金属层，所述金属层通过引出电极延伸出所述非金属外壳，通过引出电极向所述陶瓷衬板加载电压，对陶瓷衬板进行局部放电测试，由于该装置能够将测试电压直接加载到所述陶瓷衬板上，能够得到陶瓷衬板的准确绝缘性能数据、而且，利用该装置能够在功率IGBT模块封装前，对陶瓷衬板进行局部放电测试，从而确保了陶瓷衬板的绝缘质量，进而提高了功率IGBT模块的绝缘质量。
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公开(公告)号：CN105047653B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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公开(公告)号：CN104465536B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410614116.4
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/15
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷衬板，包括陶瓷层和分设在陶瓷层的上下表面的金属层，其中至少在陶瓷层的上下表面的其中一个表面上设有用于分散电场集中的分散电场结构。所述分散电场结构设在陶瓷层未被金属层覆盖的两外侧，两外侧的分散电场结构呈轴对称布置。该陶瓷衬板能更好地分散电场集中从而使得绝缘性能更好。
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公开(公告)号：CN104134648B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410335689.3
申请日：2014-07-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通，而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止，使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后，第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通，因此，在芯片失效后，该功率半导体器件仍能正常工作。
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