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公开(公告)号：CN105679750A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410661590.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/33
Abstract: 本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。IGBT（或MOSFET）芯片的集电极（漏极）烧结在下钼片上，上钼片烧结在IGBT（或MOSFET）芯片的发射极（源极）上。PCB设置在下钼片上或底座上，IGBT（或MOSFET）芯片的栅极通过引线键合方式互连至PCB上，并通过PCB的内部线路汇集至栅极引出端。本发明能够有效地解决现有压接式半导体模块制作方法过于复杂，压接过程中芯片受到的应力大，绝缘性能较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN104465536A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410614116.4
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/15
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷衬板，包括陶瓷层和分设在陶瓷层的上下表面的金属层，其中至少在陶瓷层的上下表面的其中一个表面上设有用于分散电场集中的分散电场结构。所述分散电场结构设在陶瓷层未被金属层覆盖的两外侧，两外侧的分散电场结构呈轴对称布置。该陶瓷衬板能更好地分散电场集中从而使得绝缘性能更好。
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公开(公告)号：CN104409484A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410534231.0
申请日：2014-10-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/04 , H01L21/68 , H01L23/48 , H01L23/32
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L29/7393 , H01L21/68 , H01L23/04 , H01L23/32 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种压接式绝缘栅双极型晶体管，包括壳体，以及设置在所述壳体内且沿第一方向依次布置的发射极、电路板、模块定位件、钼板和集电极，其中在模块定位件上开设有多个定位孔，在各定位孔内沿第一方向依次设有钼块、芯片和固定设在钼板的表面上的由钼材料制成的定位凸起，在部分的定位孔内的钼块内设有用于把相应的芯片与电路板相接通的电连组件。根据本发明的压接式绝缘栅双极型晶体管能够采用贴片机顺利进行组装，避免了停机修整，从而提高了企业的生产效率。
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公开(公告)号：CN104269392A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410537512.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供的一种功率器件，包括：芯片、两片电极、钼片组、陶瓷外壳和短路结构；其中，短路结构包括：压缩状态的金属弹簧、套设于金属弹簧外侧的套管和将金属弹簧封装于套管内的低熔点合金；其中，短路结构设置于两片电极之间，短路结构的一端与一电极的靠近另一电极的内侧相连，另一端靠近另一电极的内侧；当金属弹簧处于放松状态时，金属弹簧的两端分别与两片电极的内侧接触。采用该短路结构，当功率器件短路发散热量时，低熔点合金熔融，金属弹簧恢复放松状态，连接两片电极，使得该功率器件失效时，两片电极之间仍然具有连接导通结构，保证了该功率器件表现为短路失效模式，无需外接旁路晶闸管，功率器件整体结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN103579131A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310536503.6
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2924/3511
Abstract: 本发明公开了一种用于功率IGBT模块封装的无曲度基板，包括基板体，所述基板体的焊接面上设置有若干个呈凸起状的台面，所述基板体的散热面为平面，所述台面比基板体在应力作用下更容易变形。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作简便、能够提高IGBT模块可靠性等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047653B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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公开(公告)号：CN104465536B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410614116.4
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/15
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷衬板，包括陶瓷层和分设在陶瓷层的上下表面的金属层，其中至少在陶瓷层的上下表面的其中一个表面上设有用于分散电场集中的分散电场结构。所述分散电场结构设在陶瓷层未被金属层覆盖的两外侧，两外侧的分散电场结构呈轴对称布置。该陶瓷衬板能更好地分散电场集中从而使得绝缘性能更好。
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公开(公告)号：CN104134648B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410335689.3
申请日：2014-07-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通，而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止，使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后，第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通，因此，在芯片失效后，该功率半导体器件仍能正常工作。
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公开(公告)号：CN104297348A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410607942.6
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01N29/22
Abstract: 本发明公开了一种超声扫描探头水杯工装，包括杯套，开设在杯套上表面的出水口，所述出水口在X方向的尺寸大于Y方向的尺寸。所述出水口的形状为“一”字型或横“I”字型；还包括护水管，所述护水管管口边缘与杯套外侧面边缘吻合固定，所述护水管由软体材料制成。本发明提出了一种新的杯套出水口形状，它不仅可以增加X方向的水流量，还可以减少晃荡过程中水柱边缘水的流失，护水管的设计还可以降低入水口的水压，拓展了探头的聚焦范围，提高了超声扫描检测的效率。
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公开(公告)号：CN103579143A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310536700.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构，它包括芯片、钼片、门极和外壳组件，所述外壳组件包括外壳和电极铜块，所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件，所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、散热效果好、散热速度快、安全可靠性好等优点。
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