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公开(公告)号:CN109524363B
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201710840250.X
申请日:2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种压接式子单元和制造其的方法,该压接式子单元具有塑料框,其具有上下贯彻的通孔;芯片单元,其具有从下到上依次设置的第一垫块、芯片和第二垫块,其中,第一垫块延伸到通孔内,芯片通过绝缘胶固定在塑料框的上表面上,该压接式子单元通过塑料框代替了需要灌注成型的绝缘胶框,其结构简单,尤其是,该结构的生产工艺简单,避免了使用额外的复杂的灌注成型模具,其生产效率大幅提高,另外,由于上述结构的塑料框通过绝缘胶与芯片单元粘附为一体,避免了高温导致的塑料框脱附问题,增加了子单元的使用安全性。
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公开(公告)号:CN111129132A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201811277607.9
申请日:2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提出了一种IGBT器件,其包括:从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N-区,N-区的顶部形成有台阶型的沟槽,沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于,相比于单一结构的沟槽型IGBT器件,本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构,因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成,可以具有同样的栅极氧化层厚度。
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公开(公告)号:CN107768340A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710827140.X
申请日:2017-09-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种功率模块陶瓷衬板,包括:从上至下依次布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层与第二金属层之间布置有第一陶瓷层,第二金属层与第三金属层之间布置有第二陶瓷层。第一金属层设置为彼此隔离的发射极区和控制信号端子区,第二金属层设置为集电极区。第二金属层还可以进一步通过布置在第一陶瓷层中的通孔延伸至第一陶瓷层的上表面。在衬板上表面沿厚度方向开设有分别用于安装第一功率芯片和第二功率芯片的凹槽,凹槽自第一金属层延伸至第二金属层。本发明能够解决现有功率模块陶瓷衬板电路互连结构杂散电感大,芯片焊接需要使用焊接工装,衬板正面金属层为强电和弱电的结合层,衬板间互连较复杂的技术问题。
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公开(公告)号:CN105957861A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610480973.9
申请日:2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/041 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种芯片模块封装结构,涉及电力技术领域,能够简化工艺过程,可缩短封装时间,降低生产成本。芯片模块封装结构,包括:多个芯片;定位件,所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元,每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片;壳体,所述壳体包括顶壳、中环和底壳,所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合,所述顶壳上固定设置有多个第一钼片,所述第一钼片与孔洞单元的位置对应,所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触;多个凸台,所述凸台设置于所述壳体的底壳上,所述凸台上固定设置有所述第二钼片,所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号:CN105914205A
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201610300210.1
申请日:2016-05-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L25/18 , H01L23/4951 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/83365 , H01L2224/83379
Abstract: 本发明公开了一种功率模块结构和功率模块制造方法,其中,功率模块结构包括:主开关器件和续流二极管的电压等级一致,电流大小相同,主开关器件的集电极与续流二极管的阴极键合后,主开关器件倒装焊接在衬板上,衬板上设置有多个分立的覆铜层,其中,主开关器件的发射极与衬板上的第一覆铜层焊接,栅极与衬板上的第二覆铜层焊接,主开关器件的集电极引出线与衬板上的第三覆铜层键合,续流二极管的阳极引出线与衬板上的第四覆铜层键合。所述功率模块结构及功率模块制造方法,通过将键合后的主开关器件和续流二极管倒装焊接在衬板上,实现功率模块的紧凑化和小型化,提高功率模块功率密度。
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公开(公告)号:CN209804600U
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201920255168.5
申请日:2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块用焊接底座,涉及电子功率器件技术领域,用于用于为IGBT模块实现结构紧凑化、功率密度高效化提供有力的条件。本实用新型的功率模块用焊接底座包括焊接部和插针部,插针可设置在插针部中,通过焊接部就可在绝缘衬板上直接焊接墩子与插针,从而使模块的结构更加紧凑,功率密度得以提高。
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公开(公告)号:CN205723548U
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201620667076.4
申请日:2016-06-27
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构,涉及电力技术领域,能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组,包括:IGBT芯片;发射极钼片,所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触;集电极钼片,所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触;栅极连接件,所述栅极连接件的一端为自由端,并与所述IGBT芯片的栅极接触;定位件,用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件;所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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公开(公告)号:CN206931600U
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201720774531.5
申请日:2017-06-29
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L29/739 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型公开一种压接式IGBT模块,涉及电力电子技术领域,用于提高压接式IGBT模块的生产效率。所述压接式IGBT模块包括壳体,壳体上设有发射极和集电极;发射极和集电极之间设有至少一个IGBT子单元,且发射极面向IGBT子单元的表面设置PCB板,PCB板与IGBT子单元的栅极连接;发射极开设有引线柱容置通孔,引线柱容置通孔内设置栅极引线柱,且引线柱容置通孔与栅极引线柱绝缘;栅极引线柱靠近PCB板的一端与PCB板连接,栅极引线柱远离PCB板的一端悬空在引线柱容置通孔内。本实用新型提供的压接式IGBT模块用于半导体集成。
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公开(公告)号:CN209913085U
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201822209212.7
申请日:2018-12-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种联结插座,其在纵向方向上延伸,包括第一端和与第一端呈相对设置的第二端;第一凸缘设置在第一端远离第一端端面的位置;凹槽设置在第二端,用于插设联结插销;联结插座以第一凸缘在前的方式放置在与纵向方向垂直的平面上时,第一端端面与平面相接触。一种功率半导体模块,包括电路载体和联结插座,电路载体设置有平坦导体区域,联结插座以第一凸缘在前的方式焊接在平坦导体区域,第一端端面的面积小于平坦导体区域的面积,联结插座的纵向方向与平坦导体区域垂直。一种电路装置,包括印刷电路板和功率半导体模块,联结插销的末端伸出壳体后与印刷电路板连接。本实用新型能够解决联结插座与金属层之间焊接不牢靠和爬锡的问题。
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公开(公告)号:CN209822625U
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201920260298.8
申请日:2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块用焊接底座,包括导电接触元件,所述导电接触元件在纵向方向上延伸,所述导电接触元件的第一端设置有固定部,所述导电接触元件的第二端设置成自由端,所述第一端与所述第二端呈相对布置,在所述导电接触元件上设置有贯穿所述第一端和所述第二端的插针孔。本实用新型能够解决焊料焊接面积小,焊接可靠性差的技术问题,且能够提高自动化程度。
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