公开(公告)号：CN111919171A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980022551.9

申请日：2019-03-15

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 石川彰 ,  大久保敦 ,  小野阳介 ,  高村一夫

IPC: G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种支撑框，其能够设置能够装卸地设置了过滤器的通气孔，粘贴极端紫外光光刻用的防护膜。本发明的一实施方式的支撑框是用于配置防护膜的支撑框，具备：贯通孔，其具有在与上述防护膜的面方向大致平行的第一方向上延伸的孔以及在与上述第一方向相交的第二方向上延伸的孔；以及过滤器，其设于上述贯通孔的内部或上述贯通孔的端部，并且从上述防护膜离开地配置。

公开(公告)号：CN110545997A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027357.5

申请日：2018-04-24

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 镰田润 ,  高村一夫 ,  茅场靖刚

IPC: B32B7/12 ,  C09J11/06 ,  C09J179/02 ,  C09J183/04 ,  C09J201/02 ,  H01L21/02

Abstract: 一种基板层叠体，其依次层叠有第1基板、粘接层以及第2基板，所述粘接层包含化合物(A)与交联剂(B)的反应产物，所述化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一个的阳离子性官能团，且重均分子量为90以上40万以下，所述交联剂(B)在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基)，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，且重均分子量为200以上600以下，上述化合物(A)包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺、以及具有硅氧烷键(Si-O键)和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物所组成的组中的至少1种。

公开(公告)号：CN107924117A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047788.9

申请日：2016-08-15

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  河关孝志 ,  种市大树 ,  前川真太朗 ,  小野阳介 ,  美谷岛恒明

IPC: G03F1/64

CPC classification number: G03F1/64 ,  B32B15/08 ,  B32B2311/24 ,  B32B2379/08 ,  C25D11/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即便照射准分子光等短波长光也难以劣化，进而难以产生逸气或异物的防护膜组件框、使用其的防护膜组件。为了实现上述目的，设为如下的防护膜组件框，其为支撑防护膜的外周的防护膜组件框，包括框架和形成于所述框架的表面的含有聚酰亚胺树脂的膜。

公开(公告)号：CN106796391A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046926.7

申请日：2015-09-18

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  种市大树 ,  河关孝志 ,  小野阳介 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明 ,  大久保敦 ,  佐藤泰之 ,  广田俊明

IPC: G03F1/64 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：配置有防护膜的第1框体；支持上述第1框体的第2框体；贯通上述第1框体的贯通孔；以及在上述第1框体的配置有上述防护膜的面侧覆盖上述贯通孔的过滤器。上述贯通孔可以贯通上述防护膜，上述过滤器可以配置在上述防护膜上。此外，上述过滤器可以与上述防护膜相邻地配置在上述第1框体上。

公开(公告)号：CN106662806A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580046947.9

申请日：2015-09-17

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  种市大树 ,  小野阳介 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明 ,  大久保敦 ,  佐藤泰之 ,  广田俊明

IPC: G03F1/64 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F7/2008 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：第1框体，该第1框体配置有防护膜；第2框体，该第2框体具有厚部和第2面，并将上述防护膜和上述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面；贯通孔，该贯通孔配置在上述第2框体的上述厚部；以及过滤器，该过滤器配置在与配置有上述防护膜的上述第1框体的面交叉的上述第2框体的外侧的侧面，并覆盖上述贯通孔。

公开(公告)号：CN104412376B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201380036029.9

申请日：2013-07-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C09D179/02 ,  C09K13/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02093 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。

公开(公告)号：CN104081503B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201380005535.1

申请日：2013-01-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司 ,  三尾茂

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/04 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: C08G73/0206 ,  C08G73/0213 ,  C08G73/0226 ,  C08G2190/00 ,  C09J179/02 ,  C09K3/1006 ,  C09K2003/1087 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明中提供一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。

公开(公告)号：CN103081076B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180040488.5

申请日：2011-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: H01L21/312 ,  C09K3/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/02334 ,  C09K3/1006 ,  C09K2200/0645 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的冲洗液，上述半导体装置的制造方法依次包括以下工序：密封组合物赋予工序，对半导体基板的表面的至少一部分赋予半导体用密封组合物而形成半导体用密封层，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～600000的树脂，并且钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下；以及洗涤工序，利用25℃时的pH值为6以下的冲洗液，将半导体基板的形成有上述半导体用密封层的面进行洗涤。

公开(公告)号：CN105051872A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017656.2

申请日：2014-03-11

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  小野升子 ,  田中博文 ,  铃木常司 ,  三尾茂 ,  高村一夫

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/02 ,  C08K5/09 ,  C08L79/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C08K5/0091 ,  C08L79/02 ,  C09J179/04 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。

公开(公告)号：CN1331745C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN03821314.1

申请日：2003-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  大池俊辅 ,  洼田武司 ,  村上雅美 ,  藏野义人

IPC: C01B33/12 ,  H01L21/316 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明为一种主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si-A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。