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公开(公告)号：CN111615788B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201980008602.2
申请日：2019-01-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长谷昌俊
Abstract: 本发明提供一种能够在增大输出功率的同时抑制交调失真的影响的功率放大电路。功率放大电路具备：分配器，对输入信号进行分配并输出到主路径和副路径；失真补偿电路，设置在副路径；合成器，对经由了主路径的输入信号的基波和经由了副路径的输入信号的二倍波进行合成；以及第1放大器，对从合成器输出的合成信号进行放大并输出放大信号，失真补偿电路包含：谐波生成电路，生成输入信号的二倍波；滤波器电路，使基波衰减，并使二倍波通过；以及相位调整电路，对二倍波的相位进行调整。
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公开(公告)号：CN114639723A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111533698.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L27/06 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够抑制形成在发射极与基极之间的寄生电容的功率放大器。功率放大器是具有基板、和在基板的主面依次层叠的发射极层、基极层及集电极层的功率放大器，具有：绝缘物，与发射极层相邻地设置；发射极电极，设置在发射极层及绝缘物与基板之间；基极电极，与基极层电连接；以及集电极电极，与集电极层电连接，在与基板的主面垂直的方向上，在基板与基极电极之间设置有发射极电极、绝缘物以及基极层。
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公开(公告)号：CN114388457A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111220186.8
申请日：2021-10-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L29/737
Abstract: 提供能够实现从晶体管的散热特性的提高的半导体装置。在由半导体构成的基板的表层部之上配置有在俯视时包含至少一个金属区域的粘合层。在粘合层之上配置有半导体元件。半导体元件包含配置在作为粘合层的一个金属区域的第一金属区域之上的第一晶体管。第一晶体管包含与第一金属区域电连接的集电极层、配置在其上的基极层、以及配置在其上的发射极层。在第一晶体管的发射极层之上配置有第一发射极电极。在第一发射极电极之上配置有第一导体突起。基板的表层部的半导体材料的导热率比第一晶体管的集电极层、基极层、以及发射极层的任何一个的导热率都高。
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公开(公告)号：CN111541424A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010056911.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制基板的基准电位的变动的功率放大电路。功率放大电路(10)具备基板(301)和设置在基板的半导体芯片(201)，半导体芯片具有：功率放大部(211)，对RF信号进行放大；接地端子(231a)，连接功率放大部(211)的接地；以及电路元件(411)，一端不经由半导体芯片的外部而与接地端子电连接。基板具有：电路元件(412)，一端与功率放大部的输出电连接，另一端与电路元件(411)的另一端电连接。电路元件(411)以及电路元件(412)构成高次谐波终止电路(410)，高次谐波终止电路使作为来自功率放大部的放大信号的RF信号(RF2)的高次谐波分量(RF3)向功率放大部反射。
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公开(公告)号：CN108111135A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710872537.0
申请日：2017-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/22 , H03F1/56 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/516 , H03F3/21 , H03F1/0222 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/504
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电路规模的增大，并且实现最大输出功率的增大的功率放大电路。本发明的功率放大电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第一偏置电路，其提供第一偏置电流或电压；第二偏置电路，其提供第二偏置电流或电压；第一电感器；以及第一电容器，对第一晶体管的集电极提供电源电压，第一晶体管的发射极接地，对第一晶体管的基极提供无线频率信号以及第一偏置电流或电压，对第二晶体管的集电极提供电源电压，第二晶体管的发射极通过第一电容器与第一晶体管的集电极连接，并且通过第一电感器接地，对第二晶体管的基极提供第二偏置电流或电压，从第二晶体管的集电极输出将无线频率信号放大后的放大信号。
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公开(公告)号：CN107508558A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710343985.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种维持可靠性并提高功率附加效率的功率放大电路。功率放大电路包括：基极输入有无线频率信号的第1晶体管；输出与电源电压相对应的第1电压的第1电压输出电路；以及基极或栅极被提供有第1电压、发射极或源极连接至第1晶体管的集电极、并从集电极或漏极输出对无线频率信号进行放大后而得的第1放大信号的第2晶体管。
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公开(公告)号：CN119234390A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380042055.6
申请日：2023-06-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 功率放大电路包括一个或多个放大级。第一放大级包括：进行差动信号的放大的第一放大器及第二放大器；电连接在第一放大器的输出端子与第二放大器的输入端子之间的第一电容器；电连接在第一放大器的输入端子与第二放大器的输出端子之间的第二电容器；相互串联地电连接且电连接在第一放大器的输出端子与输入端子之间的第一谐振电路及第一电阻；以及相互串联地电连接且电连接在第二放大器的输出端子与输入端子之间的第二谐振电路及第二电阻。
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公开(公告)号：CN118017960A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311454524.3
申请日：2023-11-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种仅使用无源元件就能够充分除去干扰波的平衡不平衡变换电路以及放大电路。主线路具有第1端以及第2端，并由传输线路构成。与主线路耦合的副线路具有第3端以及第4端，并由传输线路构成。从与第1端连接的不平衡节点进行不平衡信号的输入输出。从第1平衡节点以及第2平衡节点进行平衡信号的输入输出。主线路和副线路耦合，使得从主线路的第1端朝向第2端的方向和从副线路的第3端朝向第4端的方向成为相同的方向。第2端以及第3端与基准电位连接。第1平衡节点以及第2平衡节点分别与不平衡节点以及第4端连接。进而，在第2端与基准电位之间以及第3端与基准电位之间当中的任一者连接有第1LC谐振电路。
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