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公开(公告)号：CN104641553A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201480002450.2
申请日：2014-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/523 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/426 , H03F2200/451 , H03F2200/462
Abstract: 本发明不依赖用于向功率放大电路供电的结构，限制流过功率放大电路的电流。功率放大模块，包括：第一放大晶体管，该第一放大晶体管放大并输出无线频率信号；第二放大晶体管，该第二放大晶体管与第一放大晶体管并联连接，且比第一放大晶体管的尺寸小；偏置电路，该偏置电路向第一放大晶体管以及第二放大晶体管提供偏置电压或偏置电流；电流检测电路，该电流检测电路检测流过第二放大晶体管的电流；以及偏置控制电路，该偏置控制电路根据电流检测电路的检测结果，对从偏置电路提供至第一放大晶体管以及第二放大晶体管的偏置电压或偏置电流进行控制。
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公开(公告)号：CN115603678A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210714732.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所(JP)
Abstract: 本发明提供一种能够提高输出功率的控制性的功率放大电路。功率放大电路(10)具有：晶体管(101)，在基极被供给偏置电流(IB1)，将输入信号(RFin)放大并输出电流(I1)；晶体管(102)，基极与晶体管(101)的基极连接，在集电极被输入与电流(I1)相应的电流(I2)；以及晶体管(103)，输出对偏置电流(IB1)的供给进行控制的偏置控制信号，功率放大电路(10)还具备：控制电路(104)，与晶体管(102)的集电极以及晶体管(103)的栅极连接，并根据基于参照信号(Vramp)的参照电流(I3)以及电流(I2)对偏置控制信号进行控制。
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公开(公告)号：CN118740067A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410340559.2
申请日：2024-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 曾我高志
Abstract: 本发明提供一种能够在进行高输出的功率放大的情况下保持线性的功率放大电路。功率放大电路(10)具有：晶体管(101)，在基极被供给偏置电流(IB1)或偏置电压，将输入信号(RFin)放大并输出电流(I1)；以及晶体管(102)，发射极与晶体管(101)的基极连接，从发射极向晶体管(101)的基极供给偏置电流(IB1)。功率放大电路具备：比较电压生成电路(103)，基于晶体管(102)的发射极电流或电压来生成比较电压(Vcomp)；以及补偿电路(104)，与比较电压生成电路连接，被供给比较电压和基准电压(Vref)，并基于比较电压和基准电压，伴随着偏置电流或偏置电压的减少而生成电流(Ic)。
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公开(公告)号：CN112214061B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010656170.0
申请日：2020-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 曾我高志
IPC: G05F1/567
Abstract: 提供一种能够提高信号放大的线性度的偏置电路。偏置电路具备第1至第4晶体管和相位补偿电路，在第1晶体管中，基准电流或电压被供给到第1端子，第1端子和第2端子连接，在第2晶体管中，第1端子与第1晶体管的第3端子连接，第3端子连接于接地，在第3晶体管中，电源电压被供给到第1端子，第2端子与第1晶体管的第1端子连接，从第3端子向放大晶体管供给偏置电流或电压，在第4晶体管中，第1端子与第3晶体管的第3端子连接，第2端子与第2晶体管的第2端子连接，第3端子连接于接地，相位补偿电路设置在从第4晶体管经由第2和第1晶体管到达第3晶体管的路径上。
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公开(公告)号：CN117397171A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280037773.X
申请日：2022-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明提供一种根据负载的阻抗变动来适当地控制输出功率的发送电路。发送电路(10)具备：晶体管(1031)，被供给偏置电流(IB1)，将输入信号(RFin)放大并输出；晶体管(1032)，被供给偏置电流(IB2)，集电极与晶体管(1031)的集电极连接，将输入信号放大并输出；电流生成电路(106)，基于来自晶体管(1032)的发射极的电流(I1)来生成电流(I2)；和偏置控制电路(107)，基于电流(I2)来输出对偏置电流(IB1)进行控制的第1偏置控制信号和对偏置电流(IB2)进行控制的第2偏置控制信号。
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公开(公告)号：CN109617531B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201811128026.9
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 曾我高志
Abstract: 本发明提供一种在宽频带可抑制增益的线性劣化的功率放大电路，功率放大电路具备：第1晶体管，放大第1信号而输出第2信号；第2晶体管，放大与第2信号相应的信号而输出第3信号；第3晶体管，向第1晶体管的基极提供第1偏置电流或者电压；和第4晶体管，向第2晶体管的基极提供第2偏置电流或者电压，第3晶体管的发射极面积相对于第1晶体管的发射极面积的比例大于第4晶体管的发射极面积相对于第2晶体管的发射极面积的比例。
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公开(公告)号：CN108111135B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710872537.0
申请日：2017-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/22 , H03F1/56 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/516
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电路规模的增大，并且实现最大输出功率的增大的功率放大电路。本发明的功率放大电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第一偏置电路，其提供第一偏置电流或电压；第二偏置电路，其提供第二偏置电流或电压；第一电感器；以及第一电容器，对第一晶体管的集电极提供电源电压，第一晶体管的发射极接地，对第一晶体管的基极提供无线频率信号以及第一偏置电流或电压，对第二晶体管的集电极提供电源电压，第二晶体管的发射极通过第一电容器与第一晶体管的集电极连接，并且通过第一电感器接地，对第二晶体管的基极提供第二偏置电流或电压，从第二晶体管的集电极输出将无线频率信号放大后的放大信号。
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公开(公告)号：CN109617531A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811128026.9
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 曾我高志
Abstract: 本发明提供一种在宽频带可抑制增益的线性劣化的功率放大电路，功率放大电路具备：第1晶体管，放大第1信号而输出第2信号；第2晶体管，放大与第2信号相应的信号而输出第3信号；第3晶体管，向第1晶体管的基极提供第1偏置电流或者电压；和第4晶体管，向第2晶体管的基极提供第2偏置电流或者电压，第3晶体管的发射极面积相对于第1晶体管的发射极面积的比例大于第4晶体管的发射极面积相对于第2晶体管的发射极面积的比例。
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