公开(公告)号：CN106978582A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610917404.6

申请日：2016-10-20

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 市冈圣菜 ,  吉牟田利典 ,  德田敏 ,  吉冈尚规 ,  上野智子 ,  尾崎悟

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/205 ,  C23C14/02 ,  C23C14/022 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种即便在高速地执行溅射的情况下也能够提高金属薄膜的反射率的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法包括：加热工序，将树脂制的工件加热至构成该工件的树脂的软化温度以下的温度；搬入工序，将通过加热工序进行了加热的工件搬入成膜腔室内；减压工序，对成膜腔室内进行减压；非反应性气体供给工序，将非反应性气体供给至成膜腔室内；等离子体工序，对配设于成膜腔室内的等离子体电极施加高频电压；以及溅射工序，对包含靶材材料且配设于成膜腔室内的溅射电极施加电压。

公开(公告)号：CN105939847A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201580006176.0

申请日：2015-01-20

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 市冈圣菜 ,  吉牟田利典 ,  德田敏 ,  今井大辅 ,  尾崎悟 ,  德嵩佑

IPC: B32B15/08 ,  B32B15/082 ,  C23C14/02 ,  C23C14/14 ,  C23C16/42 ,  G02B5/08

CPC classification number: C23C14/024 ,  C22C21/00 ,  C23C14/205 ,  C23C16/402 ,  C23C16/505 ,  G02B5/0808

Abstract: 本发明涉及如下构造体及成膜方法，即使在使用了甲基丙烯酸系树脂等与金属薄膜之间的密接性低的树脂的情况下，所述构造体的树脂与金属薄膜仍牢固密接地层叠，所述成膜方法能制造以高密接性在与金属薄膜之间的密接性低的树脂制的工件上制成金属薄膜而成的构造体，所述构造体是利用溅射法，在甲基丙烯酸树脂制的工件W上形成Al薄膜102，由工件W与Al薄膜102层叠而成，在工件W与Al薄膜102之间包括混合有Al、Si、O、C的混合区域101。在混合区域101中，Al与Si、O、C中的任一者共价键结，或者Al与Si、O、C形成扩散混合层。

公开(公告)号：CN1235059C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN02105818.0

申请日：2002-04-11

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治 ,  吉牟田利典 ,  德田敏

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L27/14676 ,  H01L31/0203

Abstract: 以覆盖非晶半导体厚膜的整个表面这样一种方式在放射线灵敏型非晶半导体厚薄膜与电压施加电极之间形成抗溶解和载流子可选高阻薄膜。此外，在非晶半导体厚膜、抗溶解和载流子可选高阻薄膜、和电压施加电极的上面形成的、和以覆盖顶层表面这样一种方式通过高耐压硬化合成树脂固定在上面的顶层表面上，形成热胀系数与绝缘基底的热胀系数相当的绝缘辅助板件。

公开(公告)号：CN1174491C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN99101264.X

申请日：1999-01-20

Applicant: 夏普株式会社 ,  株式会社岛津制作所

Inventor： 和泉良弘 ,  寺沼修 ,  四宫时彦 ,  佐藤敏幸 ,  德田敏

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L2924/351

Abstract: 本发明的二维图像检像器，用各向异性导电粘接剂粘接具有电荷储存电容和TFT的有源矩阵基片和具有半导体基片的对置基片。因此，上述TFT不必在已形成的有源矩阵基片上成膜形成半导体层便可完成，从而能够采用CdTe或CdZnTe等。因此，通过将CdTe或CdZnTe等用于具光导电性的半导体层材料，响应性可得到改善，还可适应活动影像。

公开(公告)号：CN112955735A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201980072319.6

申请日：2019-07-22

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: G01N23/041 ,  A61B6/00 ,  A61B6/02

Abstract: 本发明涉及一种X射线相位摄像系统(100)，具备X射线源(1)、检测器(2)、第1光栅组(3)、第2光栅组(4)、移动机构(5)和图像处理部(6)。移动机构构成为使被摄体和摄像系统(9)相对移动，从而使被摄体(T)通过第1光栅区域(R1)以及第2光栅区域(R2)。图像处理部构成为生成第1相位对比度图像(14a)和第2相位对比度图像(14b)。

公开(公告)号：CN112041669A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980026382.6

申请日：2019-01-22

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  木村健士 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  白井太郎 ,  土岐贵弘 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: G01N23/041

Abstract: 本X射线成像装置(100)具备X射线源(1)、多个光栅、移动机构(8)以及图像处理部(6)，图像处理部(6)构成为：将多个被摄体图像(10)中的被摄体(T)的各像素的像素值与各像素的莫尔条纹(30)的相位值进行对应，并且对多个被摄体图像中的被摄体的同一位置的像素进行位置对准，由此生成相位对比度图像(16)。

公开(公告)号：CN111656171A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201880087778.7

申请日：2018-02-21

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治 ,  德田敏 ,  和泉拓朗 ,  米田哲弥 ,  足立晋

IPC: G01N23/203

Abstract: 化学状态分析装置(10)具备：激发源(11)，其向包含电池材料的试样(S)中的规定面内的照射区域(A)照射用于使该电池材料产生特征X射线的激发射线；分光晶体(13)，其由面向照射区域(A)设置的平板构成；狭缝(12)，其设置于照射区域(A)与分光晶体(13)之间，且与照射区域(A)及分光晶体(13)的规定的晶面平行；X射线线性传感器(15)，其是在平行于该狭缝的方向上具有长度的线状的检测元件(151)以沿垂直于狭缝(12)的方向排列的方式设置而成的；波长谱制作部(161)，其基于X射线线性传感器(15)检测出的特征X射线的强度来制作波长谱；峰值波长决定部(162)，其求出峰值波长，该峰值波长是所述波长谱的峰值处的波长；以及化学状态确定部(163)，其根据由峰值波长决定部(162)求出的峰值波长、以及标准曲线来求出用于确定试样(S)中的电池材料的化学状态的值，该标准曲线表示峰值波长与代表试样S中的电池材料的化学状态的值之间的关系。

公开(公告)号：CN102590844A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110400089.7

申请日：2011-12-02

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 吉松圣菜 ,  田边晃一 ,  德田敏 ,  吉牟田利典 ,  岸原弘之 ,  贝野正知 ,  佐藤敏幸 ,  桑原章二

IPC: G01T1/00 ,  H01L27/146

CPC classification number: G01T1/247 ,  H04N5/32 ,  H04N5/347 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供一种放射线检测器以及放射线摄影装置。驱动控制部根据有无像素合并、即在由栅极驱动电路每次多列地驱动开关元件的进行像素合并的情况和由栅极驱动电路每次一列地驱动开关元件的无像素合并的情况中，使由偏置电源对转换层施加的偏置电压改变。因此，在以像素合并的方式进行摄影的透视模式时，能够抑制动态范围的下降。另外，在无像素合并地进行摄影的摄影模式时，能够提高空间分辨率。即，能够与动作模式相应地使高的动态范围和空间分辨率最优化。