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公开(公告)号：CN1224244A
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：CN99101264.X
申请日：1999-01-20
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/00
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L2924/351
Abstract: 本发明的二维图像检像器,用各向异性导电粘接剂粘接具有电荷储存电容和TFT的有源矩阵基片和具有半导体基片的对置基片。因此,上述TFT不必在已形成的有源矩阵基片上成膜形成半导体层便可完成,从而能够采用CdTe或CdZnTe等。因此,通过将CdTe或CdZnTe等用于具光导电性的半导体层材料,响应性可得到改善,还可适应活动影像。
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公开(公告)号：CN1174491C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN99101264.X
申请日：1999-01-20
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/00
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L2924/351
Abstract: 本发明的二维图像检像器，用各向异性导电粘接剂粘接具有电荷储存电容和TFT的有源矩阵基片和具有半导体基片的对置基片。因此，上述TFT不必在已形成的有源矩阵基片上成膜形成半导体层便可完成，从而能够采用CdTe或CdZnTe等。因此，通过将CdTe或CdZnTe等用于具光导电性的半导体层材料，响应性可得到改善，还可适应活动影像。
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公开(公告)号：CN102590844A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110400089.7
申请日：2011-12-02
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/00 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器以及放射线摄影装置。驱动控制部根据有无像素合并、即在由栅极驱动电路每次多列地驱动开关元件的进行像素合并的情况和由栅极驱动电路每次一列地驱动开关元件的无像素合并的情况中，使由偏置电源对转换层施加的偏置电压改变。因此，在以像素合并的方式进行摄影的透视模式时，能够抑制动态范围的下降。另外，在无像素合并地进行摄影的摄影模式时，能够提高空间分辨率。即，能够与动作模式相应地使高的动态范围和空间分辨率最优化。
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公开(公告)号：CN107407735B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680014450.3
申请日：2016-01-26
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/2006 , A61B6/4241 , G01T1/20 , G01T1/2018 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/14638
Abstract: 提供一种能够进行可诊断性高的双能拍摄的、X射线敏感度更高的X射线检测器。X射线检测器(1)包括：闪烁体元件(15)，其由遮光壁(17)划分，将低能量的X射线转换成光；以及闪烁体元件(19)，其由遮光壁(21)划分，将高能量的X射线转换成光。从X射线的入射方向来看，遮光壁(17)的位置图案与遮光壁(21)的位置图案构成为未对齐。因此，入射到X射线检测器(1)的X射线被至少任意一方的闪烁体元件转换成光，最终作为X射线检测信号输出。即，即使在X射线检测器(1)中形成有遮光壁的情况下，无法检测到X射线的区域也不再存在。因而，能够利用遮光壁提高X射线图像的分辨率，并且能够提高X射线检测器的X射线敏感度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107427269A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580077485.7
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00
Abstract: 提供一种将相位光栅与放射线检测器之间的分离距离最优化的放射线相位差摄影装置。即，根据本发明，以检测面(4a)中拍进的自身像被噪声扰乱了何种程度为基准来决定相位光栅(5)与FPD(4)的检测面(4a)之间的分离距离。即，在本发明的结构中，将噪声的影响的大小确定为分离距离的评价的基准。而且，根据本发明，基于在将相位光栅(5)与FPD(4)的检测面(4a)之间的距离设为某个距离(Zd)时得到的自身图像上的自身像被噪声扰乱了何种程度来判断距离(Zd)是否适于摄影。这样，能够基于照射多个种类的X射线的实际的X射线源(3)的实际情况来实现分离距离的最优化。
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公开(公告)号：CN103443653B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280014189.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。
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公开(公告)号：CN1452938A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03110679.X
申请日：2003-04-22
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676
Abstract: 一种用于探测X射线的X射线探测器，它包括X射线一入射而在其中生成电荷的一个半导体以及在该半导体相对侧上形成的用于施加某一预定偏压的电极。这种半导体是掺入了预定量的某种碱金属的非晶硒(a－Se)。
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公开(公告)号：CN107427271B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201680021003.0
申请日：2016-03-01
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00
Abstract: 在实施例1所涉及的X射线摄影装置(1)中，X射线检测器(5)具有利用格子状的遮光壁划分闪烁体元件的结构。向X射线检测器(5)入射的X射线中的向遮光壁入射的X射线不被转换为闪烁光而透过X射线检测器(5)。因而，通过向利用格子状的遮光壁划分闪烁体元件所得到的X射线检测器(5)入射X射线，能够与使该X射线通过检测掩膜的情况同样地将透过了被检体(M)的X射线(3a)向X射线检测器(5)入射的区域进一步限制在任意的范围内。因而，能够在EI‑XPCi中使用的X射线摄影装置(1)中省略检测掩膜，因此能够降低X射线摄影装置(1)的制造成本。
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公开(公告)号：CN107427269B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201580077485.7
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00
Abstract: 提供一种将相位光栅与放射线检测器之间的分离距离最优化的放射线相位差摄影装置。即，根据本发明，以检测面(4a)中拍进的自身像被噪声扰乱了何种程度为基准来决定相位光栅(5)与FPD(4)的检测面(4a)之间的分离距离。即，在本发明的结构中，将噪声的影响的大小确定为分离距离的评价的基准。而且，根据本发明，基于在将相位光栅(5)与FPD(4)的检测面(4a)之间的距离设为某个距离(Zd)时得到的自身图像上的自身像被噪声扰乱了何种程度来判断距离(Zd)是否适于摄影。这样，能够基于照射多个种类的X射线的实际的X射线源(3)的实际情况来实现分离距离的最优化。
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