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公开(公告)号：CN1256065C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03110679.X
申请日：2003-04-22
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社
IPC: A61B6/00 , H05G1/02 , H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676
Abstract: 一种用于探测X射线的X射线探测器，它包括X射线一入射而在其中生成电荷的一个半导体以及在该半导体相对侧上形成的用于施加某一预定偏压的电极。这种半导体是掺入了预定量的某种碱金属的非晶硒(a-Se)。
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公开(公告)号：CN1601760A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410011867.3
申请日：2004-09-24
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 山梨电子工业株式会社 , 新电元工业株式会社
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 根据本发明的辐射检测器具有用于偏置电压施加的公共电极，形成在对辐射敏感的无定形硒半导体膜(a－Se半导体膜)的表面上。公共电极是具有100到1,000厚度的金薄膜。可以在相对较低的气相沉积温度，在较短的气相沉积时间内，在a－Se半导体膜的表面上形成充当公共电极的金薄膜。该特征抑制了由于公共电极的形成而在a－Se半导体膜中产生缺陷。用于公共电极的金薄膜没有现有技术中的厚，而是1,000或更薄。利用减小的厚度，公共电极具有对a－Se半导体膜改进的粘结性能。
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公开(公告)号：CN1157796C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01121679.4
申请日：2001-03-28
Applicant: 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社 , 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 在设置于衬底上的第1电极膜的表面上，依次形成以三硫化二锑为主成分的电荷移动层，以无定型硒为主成分的X射线检测层，第2电极膜，按照第1电极膜侧为正极，第2电极膜侧为负极的方式，施加电压，对第2电极膜的表面辐射X射线，此时在该X射线检测层内部产生的载流子便收集于第1，第2电极膜中。
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公开(公告)号：CN101416119A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012153.6
申请日：2007-01-25
Applicant: 山梨电子工业株式会社 , 株式会社理光
Abstract: 提供电子照相感光体，随着复写机、印刷机装置的小型化、高速化，该感光体能够满足感光体的小径化、线速度快的工艺的要求，并且在长波长区具有高灵敏度，即使反复使用电特性也不会劣化，而且稳定性高。该电子照相感光体是在导电性支撑体上层合至少含有电荷产生剂、电荷转移剂和粘合树脂的感光层而形成，该感光体的特征在于：该电荷产生剂为酞菁氧钛，该酞菁氧钛在以CuKα为射线源的X射线衍射图谱中在布拉格角(2θ±0.2°)27.2°处有最大峰，上述电荷转移剂含有下式表示的化合物。
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公开(公告)号：CN1148807C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN00123847.7
申请日：2000-08-22
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14609 , H01L31/0376 , Y02E10/50
Abstract: 在厚的非晶形半导体层与加压电极之间的整个区域形成载流子选择高阻薄膜，无电极区在加压电极四周。于是，利用载流子选择高阻薄膜的载流子选择性，使暗电流受到抑制，而不消弱信号响应特性。被载流子选择高阻薄膜覆盖的厚的非晶形半导体层保持有效的表面电阻。在加压电极四周的无电极区产生足够的表面电压耐受能力，抑制因偏压所致的蠕缓放电。因此，通过给加压电极加以较高的偏压而得到充分的检测灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1286406A
公开(公告)日：2001-03-07
申请号：CN00123847.7
申请日：2000-08-22
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14609 , H01L31/0376 , Y02E10/50
Abstract: 在厚的非晶形半导体层与加压电极之间的整个区域形成载流子选择高阻薄膜,无电极区在加压电极四周。于是,利用载流子选择高阻薄膜的载流子选择性,使暗电流受到抑制,而不消弱信号响应特性。被载流子选择高阻薄膜覆盖的厚的非晶形半导体层保持有效的表面电阻。在加压电极四周的无电极区产生足够的表面电压耐受能力,抑制因偏压所致的蠕缓放电。因此,通过给加压电极加以较高的偏压而得到充分的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN101446779A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178141.7
申请日：2008-11-24
Applicant: 株式会社理光 , 山梨电子工业株式会社
Abstract: 本发明的名称是电子照相光电导体和电子照相仪器。提供了电子照相光电导体，其包括：导电载体，和在所述导电载体上形成的光敏层，其中所述光敏层含有电荷产生剂、电荷输运剂和粘结剂用树脂，并且其中所述电荷产生剂含有下列通式(I)表示的不对称双偶氮颜料，所述电荷输运剂含有下列通式(IX)表示的三苯胺化合物，并且所述电荷输运剂与所述粘结剂用树脂的比率按质量计为0.3到2.0，通式(I)其中R1和R2每一个表示取代的或未取代的烷基、烷氧基、芳基或杂环基，条件是R1和R2不同，通式(IX)其中R3至R5每一个表示氢、卤素原子、具有1到6个碳原子的烷基——其可以具有取代基、具有1到6个碳原子的烷氧基——其可以具有取代基、或具有6到12个碳原子的取代或未取代的芳基。
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公开(公告)号：CN1759349A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03826149.9
申请日：2003-03-14
Applicant: 株式会社帕玛化学 , 山梨电子工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: G03G5/06
CPC classification number: G03G5/0521 , G03G5/0517 , G03G5/0614 , G03G5/0616 , G03G5/0618 , G03G5/062 , G03G5/0629 , G03G5/0631 , G03G5/0637 , G03G5/0638 , G03G5/065 , G03G5/0661 , G03G5/0668
Abstract: 使用包含由下述通式(1)表示的化合物的电子传输材料、具有由下述通式(25)～(27)表示的化合物的空穴传输材料、电荷发生材料，可以获得灵敏度高的感光体。
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公开(公告)号：CN1452938A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03110679.X
申请日：2003-04-22
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676
Abstract: 一种用于探测X射线的X射线探测器，它包括X射线一入射而在其中生成电荷的一个半导体以及在该半导体相对侧上形成的用于施加某一预定偏压的电极。这种半导体是掺入了预定量的某种碱金属的非晶硒(a－Se)。
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公开(公告)号：CN1336785A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN01121679.4
申请日：2001-03-28
Applicant: 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社 , 株式会社岛津制作所
IPC: H05G1/26
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 在设置于衬底上的第1电极膜的表面上,依次形成以三硫化二锑为主成分的电荷移动层,以无定型硒为主成分的X射线检测层,第2电极膜,按照第1电极膜侧为正极,第2电极膜侧为负极的方式,施加电压,对第2电极膜的表面辐射X射线,此时在该X射线检测层内部产生的载流子便收集于第1,第2电极膜中。
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