公开(公告)号：CN102522462A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210008282.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  青木智幸 ,  伊佐敏行 ,  藤井严

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: G04C10/02 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法，目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。

公开(公告)号：CN1894803B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200480037686.6

申请日：2004-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  丸山纯矢 ,  高山彻 ,  福本由美子 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786 ,  G06K19/067

CPC classification number: G06K19/07749 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684

Abstract: IC卡比磁卡要贵得多，电子标签作为条形码的替代物也要贵得多。因此，本发明的目的是提供与传统硅晶片的芯片不同、能低成本大量生产的极薄集成电路以及该集成电路的制造方法。本发明的一个特征是通过能够选择性地形成图形的形成方法，在除大块基板之外的玻璃基板、石英基板、不锈钢基板、由例如丙烯的具有柔性的合成树脂所制成的基板等上面形成薄型集成电路。此外，本发明的一个特征是形成其中装配有根据本发明的薄膜集成电路和天线的ID芯片。

公开(公告)号：CN101030536B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710087615.2

申请日：2007-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C26/00 ,  C03C17/42 ,  C23C4/01 ,  C23C28/00 ,  H01C17/06 ,  H01L51/0004 ,  H05K3/0082 ,  H05K3/1208 ,  H05K3/1241 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2203/0551 ,  H05K2203/1173

Abstract: 本发明揭示一种电路图案、薄膜晶体管及电子设备的制造方法。通过进行如下步骤形成电路图案：在具有透光性的衬底的主表面上形成具有遮光性的掩模；在所述衬底及所述掩模上的第一区域中形成第一膜；在所述第一膜上的所述第一区域的至少一部分中形成光催化膜；通过从与所述衬底的所述主表面相反的背面照射光，改变第二区域中的所述第一膜的润湿性，所述第二区域在所述第一区域中并与所述光催化膜接触而不重叠于所述掩模；去除所述光催化膜；以及在所述第二区域中形成包含图案形成材料的组成物。

公开(公告)号：CN100593244C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200580008835.0

申请日：2005-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  城口裕子 ,  藤井严

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L29/78678 ,  G03F7/70791 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78675

Abstract: 根据本发明的一种形成图案的方法包括步骤：在具有透光性质的衬底上形成掩模；在衬底和掩模上形成具有包含光吸收材料的物质的第一区域；通过使用具有可由光吸收材料吸收的波长、通过衬底的光照射该物质以修改物质表面的一部分而形成第二区域；以及通过将包含图案形成材料的化合物排放到第二区域来形成图案。

公开(公告)号：CN100573833C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580009603.7

申请日：2005-03-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  藤井严

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通过使用微滴排放方法以自对准的方式制造薄膜晶体管的方法，其不必考虑微滴排放装置的排放位置精度。根据本发明，可以采用有机树脂膜或类似物，并通过内腐蚀、曝光、显影等处理成为预定的形状。通过利用具有预定形状的有机树脂膜作为掩模，可以刻蚀掉含有一种导电类型杂质的半导体层。通过利用具有预定形状的有机树脂膜，可以对区域进行不同的润湿。

公开(公告)号：CN101174675A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710184973.5

申请日：2007-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  高桥绘里香

IPC: H01L51/40 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤：在透光衬底上形成栅电极；在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层；在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层；将所述栅电极用作掩模，且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层；通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分，形成有机聚合层；在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜；通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极；以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。

公开(公告)号：CN1905136A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107560.2

申请日：2006-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0272 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76874 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244

Abstract: 半导体装置制造方法，包括步骤：在具有透光性能的衬底上形成栅电极层；在该栅电极层上形成栅绝缘层；在该栅绝缘层上形成光催化剂材料；将该光催化剂材料浸没在包含电镀催化剂材料的溶液中，以栅电极层为掩模在包含该电镀催化剂材料的溶液中将该光催化剂材料曝光于透射穿过衬底的光线，从而将该电镀催化剂材料吸附或沉积到被曝光的光催化剂材料上；将该电镀催化剂材料浸没在包含金属材料的电镀溶液中，从而在吸附或沉积该电镀催化剂材料的光催化剂材料表面上形成源电极层和漏电极层；以及在该源电极层和漏电极层上形成半导体层。

公开(公告)号：CN1890698A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480035706.6

申请日：2004-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  桑原秀明 ,  前川慎志 ,  藤井严 ,  伊佐敏行

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1292 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够通过利用改进的材料以及通过简化的制造步骤来制造的显示器件，并且提供其制造技术。本发明的显示器件的一个特征是包括具有开口的绝缘层、形成在所述开口中的第一导电层、以及形成在所述绝缘层和第一导电层上的第二导电层，其中第一导电层比第二导电层更宽和更厚，以及其中通过喷溅含有导电材料的微滴来形成第二导电层。

公开(公告)号：CN1649454A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510007056.0

申请日：2005-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  前川慎志 ,  藤井严 ,  伊佐敏行

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0022 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/055 ,  H01L51/529

Abstract: 本发明通过提高材料的有效性以及简化步骤来提供了一种显示器件及其制造方法。本发明还提供了形成诸如用于形成显示器件的引线之类的图形的技术，使之具有极佳的可控性的预定形状。制造显示器件的方法包括以下步骤：形成疏液性区域；将激光束选择性地照射到疏液性区域，以形成亲液性区域；在亲液性区域中排放包含导电材料的合成物，以形成栅极电极层；在栅极电极层上形成栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上排放包含导电材料的合成物，以形成源极电极层和漏极电极层；以及在源极电极层或漏极电极层上形成像素电极层。

公开(公告)号：CN1649096A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006162.7

申请日：2005-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  城口裕子

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H05B33/10 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触空穴的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触空穴的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触空穴。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。