公开(公告)号：CN102157349A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110044298.2

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  森末将文 ,  木村肇 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133603 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种使用剥离方法的半导体装置和显示装置的制造技术，其中转移过程能在保留元件剥离前形状和性质的良好状态下进行。此外，本发明提供一种更可靠的半导体装置和显示装置的高产量制造技术且未使用于制造的设备和方法复杂化。根据本发明，在具有透光性的第一基板上形成包含光催化剂物质的有机化合物层，在包含光催化剂物质的有机化合物层上形成元件层，用穿过第一基板的光照射包含光催化剂物质的有机化合物层，并且从第一基板剥离元件层。

公开(公告)号：CN1815686B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200510129682.7

申请日：2005-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  前川慎志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/14621

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件和显示器件及其制造方法，通过简化了的工艺，能够以改进了的材料效率来制作这种半导体器件和显示器件。另一目的是提供一种技术，此技术能够以良好的可控性在所需的形状中形成诸如包括在半导体器件或显示器件中的布线之类的图形。制造本发明半导体器件的方法的一个特点是包括下列步骤：形成具有粗糙表面的层；在粗糙表面上形成对包含导电材料的组分浸润性低的区域以及对此组分浸润性高的区域；以及用此组分在浸润性高的区域中形成导电材料。由于能够形成浸润性非常不同的各个区域(浸润性差别大的区域)，故液体导电材料或绝缘材料仅仅被精确地固定到形成区。因此，能够在所需图形中精确地形成导电层或绝缘层。

公开(公告)号：CN100565909C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610006625.4

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  藤井厳 ,  森末将文

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0023 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有结节的导电层邻接地形成为其间具有均匀的距离。排放导电层的微滴以在配线的长度方向上交错微滴的中心，使得排放微滴的中心在相邻导电层之间的线宽方向上不在同一线上。由于交错了微滴中心，所以各自具有最宽线宽(结节的最宽宽度)的导电层部分彼此不连接，且导电层邻接地形成为其间具有更短的距离。

公开(公告)号：CN100490091C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510129683.1

申请日：2005-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  森末将文 ,  小路博信 ,  丸山纯矢 ,  大力浩二 ,  青木智幸

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/11 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L28/10 ,  H01L29/78621 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种具有导电层的衬底的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成具有期望形状的有机树脂层；在所述无机绝缘层的第1暴露区域上形成对含有导电颗粒的混合物的低可湿性层；去除所述有机树脂层；用所述含有导电颗粒的混合物涂覆所述无机绝缘层的第2暴露区域并烘焙，从而形成导电层。

公开(公告)号：CN101030526A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710084421.7

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  森末将文 ,  木村肇 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133603 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种使用剥离方法的半导体装置和显示装置的制造技术，其中转移过程能在保留元件剥离前形状和性质的良好状态下进行。此外，本发明提供一种更可靠的半导体装置和显示装置的高产量制造技术且未使用于制造的设备和方法复杂化。根据本发明，在具有透光性的第一基板上形成包含光催化剂物质的有机化合物层，在包含光催化剂物质的有机化合物层上形成元件层，用穿过第一基板的光照射包含光催化剂物质的有机化合物层，并且从第一基板剥离元件层。

公开(公告)号：CN1661775A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510004768.7

申请日：2005-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  城口裕子 ,  森末将文

IPC: H01L21/02 ,  B05D1/12

CPC classification number: G02B5/201 ,  G03F7/0007 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3295 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。

公开(公告)号：CN101677111B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200910205017.X

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  森末将文 ,  川俣郁子

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L27/04 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/0022 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法，其目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。

公开(公告)号：CN102208419B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110081650.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  田中幸一郎

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L21/77 ,  G02F1/167

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  Y02P80/30

Abstract: 半导体器件的制造方法及显示器件的制造方法。本发明的课题在于提供提高材料的利用效率并使制造工序简化，来制造高可靠性的半导体器件的方法。其包括如下工序：在衬底上形成导电层；在该导电层上形成透光层；以及从该透光层上照射飞秒激光来选择性地除去该导电层及该透光层。也可以按照将该透光层的端部配置在比该导电层的端部更靠内侧的方式来除去该导电层及该透过层。此外，也可以在照射飞秒激光之前对该透光层的表面进行憎液处理。

公开(公告)号：CN101136312B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200710142266.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明的课题在于提供提高材料的利用效率并使制造工序简化，来制造高可靠性的半导体器件的方法。其包括如下工序：在衬底上形成导电层；在该导电层上形成透光层；以及从该透光层上照射飞秒激光来选择性地除去该导电层及该透光层。也可以按照将该透光层的端部配置在比该导电层的端部更靠内侧的方式来除去该导电层及该透过层。此外，也可以在照射飞秒激光之前对该透光层的表面进行憎液处理。

公开(公告)号：CN101030526B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200710084421.7

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  森末将文 ,  木村肇 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133603 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种使用剥离方法的半导体装置和显示装置的制造技术，其中转移过程能在保留元件剥离前形状和性质的良好状态下进行。此外，本发明提供一种更可靠的半导体装置和显示装置的高产量制造技术且未使用于制造的设备和方法复杂化。根据本发明，在具有透光性的第一基板上形成包含光催化剂物质的有机化合物层，在包含光催化剂物质的有机化合物层上形成元件层，用穿过第一基板的光照射包含光催化剂物质的有机化合物层，并且从第一基板剥离元件层。