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公开(公告)号：CN1892834A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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公开(公告)号：CN1892831A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094232.3
申请日：2006-06-27
Abstract: 一种磁记录装置，包括：磁记录介质(11)，所述磁记录介质包括基底(21)，所述基底具有与伺服区域和数据区域对应的凸起和凹陷，还包括沉积在基底上的磁性层(23)；以及，读/写磁头，其包括一对磁屏蔽罩(31)和巨磁阻元件(32)，其中介质(11)上的磁道间距在20nm至300nm之间，磁记录介质(11)的线速度为11m/s，以及当将磁屏蔽罩(31)至介质(11)的凸起上的磁性层(23)间的距离定义为“m”，而将介质(11)伺服区域的凸起和凹陷上的磁性层(23)间的距离定义为“d”时，则满足下列条件即d/m在0.2至3之间。
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公开(公告)号：CN1892830A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094224.9
申请日：2006-06-27
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种磁记录介质包括：具有记录磁道(11)和隔离记录磁道(11)的隔离区域(12)的基底(1)，有凸起和凹陷图形形成于其上的隔离区域(12)，以及沉积在基底(1)上的记录薄膜(2，3)，其中，记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于2nm且小于等于7nm，记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于10nm。
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公开(公告)号：CN101002256A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580025592.1
申请日：2005-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 冈正裕
Abstract: 本发明的特征是非磁性基底、在非磁性基底的每个表面上的靶构件和在每个靶构件背向基底一侧的表面上的磁板平行放置在成膜设备中，向靶构件施加一高频电压，在磁板的表面上以相等的间隔交替排列相反的极性，以及把溅射气体导入到成膜设备中以在靶构件附近产生等离子体，从而通过溅射在非磁性基底上形成薄膜。本发明一般增加磁道密度，以及相应地增加磁记录介质的面记录密度，同时保持其记录/再现特性等于或更优于现有技术的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101044555A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035627.X
申请日：2005-10-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 冈正裕
CPC classification number: C23C14/3464 , G11B5/64 , G11B5/82 , G11B5/851
Abstract: 为了通过大大地增加磁道密度而增加表面记录密度，同时又保持记录和再现特性不比现有技术中的特性差，将非磁性基底11、靶材料12和磁板21平行地安置在薄膜沉积装置10中。在所述靶材料上施加高频电压，在所述磁板的表面上交替产生间隔均匀的不同极性。将溅射气体引入所述薄膜沉积装置中以在所述靶材料的周围产生等离子体。通过溅射方法在所述非磁性基底上形成薄层。
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公开(公告)号：CN101138025B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680007908.9
申请日：2006-03-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 冈正裕
Abstract: 提供一种磁记录介质的制造方法，其中当以氧化物磁性材料为垂直磁记录层并通过等离子体CVD方法形成碳保护层时，可防止碳保护层的剥离以及润滑层的分离，并可获得符合要求的记录和再现特性。在磁记录介质的制造过程中，磁记录介质至少由基底1构成，在基底1上提供垂直磁记录层和碳保护层，其中垂直磁记录层由包括Co合金和氧化物材料的磁性材料构成，该方法包括在基底1上形成垂直磁记录层的垂直磁记录层形成过程，采用加热部分28加热在其上形成有垂直磁记录层的基底的加热过程，以及通过等离子体CVD方法在其上形成有垂直磁记录层的基底1上形成碳保护层的保护层形成过程。
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公开(公告)号：CN101194306A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020799.4
申请日：2006-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 冈正裕
Abstract: 本发明提供一种用于硬盘驱动器或类似装置中的垂直磁记录介质、一种制造该垂直磁记录介质的方法、和一种磁记录和再现装置。所述记录介质具有出色的记录和再现特性，它至少包括非磁性基底、对齐控制层、垂直磁性层以及保护层，其中，该垂直磁性层的易磁化轴沿着实质上是基底的法向取向。所述垂直磁性层包含Co作为主要组分，并且至少由三个磁性层构成，即，主要由至少包含Cr、Pt的材料和一种金属氧化物或半导体氧化物所构成的第一垂直磁性层、主要由CoCr合金构成的第二垂直磁性层、以及主要由CoCrPtB基合金构成的第三垂直磁性层。
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公开(公告)号：CN101138025A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007908.9
申请日：2006-03-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 冈正裕
Abstract: 提供一种磁记录介质的制造方法，其中当以氧化物磁性材料为垂直磁记录层并通过等离子体CVD方法形成碳保护层时，可防止碳保护层的剥离以及润滑层的分离，并可获得符合要求的记录和再现特性。在磁记录介质的制造过程中，磁记录介质至少由基底1构成，在基底1上提供垂直磁记录层和碳保护层，其中垂直磁记录层由包括Co合金和氧化物材料的磁性材料构成，该方法包括在基底1上形成垂直磁记录层的垂直磁记录层形成过程，采用加热部分28加热在其上形成有垂直磁记录层的基底的加热过程，以及通过等离子体CVD方法在其上形成有垂直磁记录层的基底1上形成碳保护层的保护层形成过程。
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公开(公告)号：CN100543843C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200680020799.4
申请日：2006-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 冈正裕
Abstract: 本发明提供一种用于硬盘驱动器或类似装置中的垂直磁记录介质、一种制造该垂直磁记录介质的方法、和一种磁记录和再现装置。所述记录介质具有出色的记录和再现特性，它至少包括非磁性基底、对齐控制层、垂直磁性层以及保护层，其中，该垂直磁性层的易磁化轴沿着实质上是基底的法向取向。所述垂直磁性层包含Co作为主要组分，并且至少由三个磁性层构成，即，主要由至少包含Cr、Pt的材料和一种金属氧化物或半导体氧化物所构成的第一垂直磁性层、主要由CoCr合金构成的第二垂直磁性层、以及主要由CoCrPtB基合金构成的第三垂直磁性层。
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