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公开(公告)号：CN100446090C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610094230.4
申请日：2006-06-27
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J2237/30466 , H01J2237/3174
Abstract: 一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括：在基底(15，35，51，61)上的记录磁道部分以及伺服部分上形成具有铁磁性材料(54，64)的凸起和凹陷的图形；在该铁磁性材料(54，64)上形成平化膜(56，66)，该平化膜的顶表面高于铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面；以及在该平化膜(56，66)上进行离子束蚀刻直到铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面，并且通过离子计数器(13，33)基于入射颗粒的总数的变化来确定平化蚀刻的终点，该离子计数器被安装成根据平化膜(56，66)的材料相对于基底(15，35，51，61)的垂直方向成角度θ。
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公开(公告)号：CN1892833A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094230.4
申请日：2006-06-27
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J2237/30466 , H01J2237/3174
Abstract: 一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括：在基底(15，35，51，61)上的记录磁道部分以及伺服部分上形成具有铁磁性材料(54，64)的凸起和凹陷的图形；在该铁磁性材料(54，64)上形成平化膜(56，66)，该平化膜的顶表面高于铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面；以及在该平化膜(56，66)上进行离子束蚀刻直到铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面，并且通过离子计数器(13，33)基于入射颗粒的总数的变化来确定平化蚀刻的终点，该离子计数器被安装成根据平化膜(56，66)的材料相对于基底(15，35，51，61)的垂直方向成角度θ。
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公开(公告)号：CN100458923C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号：CN100412697C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G03F7/20 , G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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公开(公告)号：CN1892827A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号：CN1892834A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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公开(公告)号：CN1941090A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139389.3
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/667 , G11B5/743 , G11B5/855 , G11B2005/0029
Abstract: 一种磁记录介质包括：形成在基底(1)上的磁记录层(4)，其中记录磁道和伺服区被指定为形成在磁记录层上(4)的凸起和凹陷的图形，其中在凹陷下形成磁记录层(4)的薄膜部分，伺服区中的薄膜部分处的磁记录层(4)的厚度小于凸起处磁记录层(4)的厚度，伺服区中的凸起的磁化方向反平行于薄膜的磁化方向。
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公开(公告)号：CN101542607A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000647.7
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在基底上形成凸出的磁图形；在所述磁图形之间的凹陷中以及在所述磁图形上沉积非磁性材料；以及使用含氧蚀刻气体回蚀刻所述非磁性材料，同时改良所述非磁性材料的表面。
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