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公开(公告)号：CN1892827A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号：CN100446090C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610094230.4
申请日：2006-06-27
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J2237/30466 , H01J2237/3174
Abstract: 一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括：在基底(15，35，51，61)上的记录磁道部分以及伺服部分上形成具有铁磁性材料(54，64)的凸起和凹陷的图形；在该铁磁性材料(54，64)上形成平化膜(56，66)，该平化膜的顶表面高于铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面；以及在该平化膜(56，66)上进行离子束蚀刻直到铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面，并且通过离子计数器(13，33)基于入射颗粒的总数的变化来确定平化蚀刻的终点，该离子计数器被安装成根据平化膜(56，66)的材料相对于基底(15，35，51，61)的垂直方向成角度θ。
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公开(公告)号：CN1892833A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094230.4
申请日：2006-06-27
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J2237/30466 , H01J2237/3174
Abstract: 一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括：在基底(15，35，51，61)上的记录磁道部分以及伺服部分上形成具有铁磁性材料(54，64)的凸起和凹陷的图形；在该铁磁性材料(54，64)上形成平化膜(56，66)，该平化膜的顶表面高于铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面；以及在该平化膜(56，66)上进行离子束蚀刻直到铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面，并且通过离子计数器(13，33)基于入射颗粒的总数的变化来确定平化蚀刻的终点，该离子计数器被安装成根据平化膜(56，66)的材料相对于基底(15，35，51，61)的垂直方向成角度θ。
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公开(公告)号：CN100458923C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号：CN100412697C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G03F7/20 , G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1892834A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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公开(公告)号：CN206768236U
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201690000257.X
申请日：2016-03-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C25B1/10 , C25B1/26 , C25B1/46 , C25B11/03 , Y02E60/366
Abstract: 实施方式涉及的电解用电极包含：具有多个贯通孔的电极基材，在其表面开口的多个第1凹部，及在另一表面开口且与第1凹部相比面积宽、数量少的多个第2凹部；贯通孔的至少一部分连通第1凹部和第2凹部；在将通过各贯通孔的开口中心的最小开口径设定为W，将1个贯通孔的开口径的端部与通过邻接的贯通孔的开口中心的最小开口径的端部的距离中的最小距离设定为F时，F/W为0.6～1.5，F为0.1～0.8mm。
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公开(公告)号：CN206768237U
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201690000258.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的电极是具有第1表面、与所述第1表面对置的第2表面、和从所述第1表面贯通至所述第2表面的多个贯通孔的电解用的同一基材电极，其具有在所述第1表面开口的多个第1凹部、和在所述第2表面开口并且开口面积宽于所述第1凹部的多个第2凹部，所述第1凹部的开口的除去催化剂后的基材的边缘部的曲率半径为0.01mm以上。
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公开(公告)号：CN117836872A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056820.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 提供能够在低温下制作、实现小的方块电阻、高透射且轻量、挠性的太阳能电池或大面积的照明等的透明电极及其制造方法和使用了上述透明电极的电子器件。实施方式的透明电极具有银纳米线的网络。该透明电极具有曲线的最小曲率半径r为2μm以下、弯曲角度Θ为90°以上的银纳米线，以及包含沸点为160℃以下、具有炔基和羟基的化合物。
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公开(公告)号：CN114302773B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202080058863.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 根据实施方式，涂敷装置包括第1管、第1泵、第1、第2喷嘴以及保持部。第1管包括第1流入口、第1流出口以及第2流出口。第1泵可朝向第1流入口供给液体。第1喷嘴包括第1喷嘴流入口以及第1喷嘴排出口。第1喷嘴流入口与第1流出口连接。第1喷嘴排出口可将通过了第1管的液体排出。第2喷嘴包括第2喷嘴流入口以及第2喷嘴排出口。第2喷嘴流入口与第2流出口连接。第2喷嘴排出口可将通过了第1管的液体排出。保持部保持第1、第2喷嘴。保持部可形成第1、第2状态。在第1状态下，第1喷嘴排出口的高度以及第2喷嘴排出口的高度在第1管的高度以上。在第2状态下，第1喷嘴排出口的高度以及第2喷嘴排出口的高度也比第1管的高度低。
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