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公开(公告)号：CN101023473A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031237.5
申请日：2005-09-15
Abstract: 一种垂直磁记录介质，其通过退火具有较高的矫顽力，为了实现该目的，本发明提供一种制造垂直磁记录介质的方法，该垂直磁记录介质包括沉积在非磁性基底上的磁记录层，其中至少相互层叠包含Co的磁性层和扩散层，并且对所层叠的层进行退火以制成磁记录层。
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公开(公告)号：CN101002256A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580025592.1
申请日：2005-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 冈正裕
Abstract: 本发明的特征是非磁性基底、在非磁性基底的每个表面上的靶构件和在每个靶构件背向基底一侧的表面上的磁板平行放置在成膜设备中，向靶构件施加一高频电压，在磁板的表面上以相等的间隔交替排列相反的极性，以及把溅射气体导入到成膜设备中以在靶构件附近产生等离子体，从而通过溅射在非磁性基底上形成薄膜。本发明一般增加磁道密度，以及相应地增加磁记录介质的面记录密度，同时保持其记录/再现特性等于或更优于现有技术的。
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公开(公告)号：CN1892827A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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公开(公告)号：CN101151662B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200680009912.9
申请日：2006-03-29
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝
Abstract: 通过提高软磁性衬层的磁各向异性功能，本发明可以提供一种具有高记录密度的垂直记录介质，以及一种磁记录和再现装置，所述垂直记录介质在非磁性基底上至少具有软磁性衬层和垂直磁记录层，其中，当Ku⊥(erg/cm3)被定义为所述软磁性衬层的垂直磁各向异性能，而Ms(emu/cm3)被定义为所述软磁性衬层的饱和磁化强度时，所述软磁性衬层的Ku⊥具有负值并且Ku⊥＜-2πMs2。于是，软磁性衬层的易磁化轴被强烈地定向在所述基底表面平面内，这对于抑制WATE现象和尖锐噪声是有效的。
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公开(公告)号：CN100458923C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610094256.9
申请日：2006-06-28
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种用于磁记录介质的基底(11)，包括与记录磁道相应的圆周形凸起和与记录磁道之间的沟槽相应的圆周形凹陷，其中所述基底(11)满足以下条件中的至少一项：(a)所述凹陷表面的表面能小于所述凸起表面的表面能；(b)利用可热分解或可热变形的物质改性所述凹陷的表面；(c)所述凹陷表面的表面粗糙度小于所述凸起表面的表面粗糙度；(d)结晶取向在所述凹陷表面上比在所述凸起表面上更加受干扰；(e)利用引起与磁性材料反应或扩散到所述磁性材料中的物质来改性所述凹陷的表面；以及(f)利用可溶于溶剂中的物质或利用可变形物质改性所述凹陷的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101044555A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035627.X
申请日：2005-10-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 冈正裕
CPC classification number: C23C14/3464 , G11B5/64 , G11B5/82 , G11B5/851
Abstract: 为了通过大大地增加磁道密度而增加表面记录密度，同时又保持记录和再现特性不比现有技术中的特性差，将非磁性基底11、靶材料12和磁板21平行地安置在薄膜沉积装置10中。在所述靶材料上施加高频电压，在所述磁板的表面上交替产生间隔均匀的不同极性。将溅射气体引入所述薄膜沉积装置中以在所述靶材料的周围产生等离子体。通过溅射方法在所述非磁性基底上形成薄层。
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公开(公告)号：CN100527229C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610168781.0
申请日：2006-12-20
Applicant: 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/1278 , G11B5/82
Abstract: 一种磁记录介质(10)，其中形成多层底层(7)，多层底层(7)包括包含对齐在(111)平面的Cu的第一底层(3)，以及形成在第一底层上的并且包含Cu和氮作为主要成分的第二底层(4)。
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公开(公告)号：CN100446090C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610094230.4
申请日：2006-06-27
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , H01J2237/30466 , H01J2237/3174
Abstract: 一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括：在基底(15，35，51，61)上的记录磁道部分以及伺服部分上形成具有铁磁性材料(54，64)的凸起和凹陷的图形；在该铁磁性材料(54，64)上形成平化膜(56，66)，该平化膜的顶表面高于铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面；以及在该平化膜(56，66)上进行离子束蚀刻直到铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面，并且通过离子计数器(13，33)基于入射颗粒的总数的变化来确定平化蚀刻的终点，该离子计数器被安装成根据平化膜(56，66)的材料相对于基底(15，35，51，61)的垂直方向成角度θ。
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公开(公告)号：CN100412953C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610094232.3
申请日：2006-06-27
Abstract: 一种磁记录装置，包括：磁记录介质(11)，所述磁记录介质包括基底(21)，所述基底具有与伺服区域和数据区域对应的凸起和凹陷，还包括沉积在基底上的磁性层(23)；以及，读/写磁头，其包括一对磁屏蔽罩(31)和巨磁阻元件(33)，其中介质(11)上的磁道间距在50nm至300nm之间，磁记录介质(11)的线速度为11m/s，以及当将磁屏蔽罩(31)至介质(11)的凸起上的磁性层(23)间的距离定义为“m”，而将介质(11)伺服区域的凸起和凹陷上的磁性层(23)间的距离定义为“d”时，则满足下列条件即d/m在0.2至3之间。
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公开(公告)号：CN101151662A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680009912.9
申请日：2006-03-29
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝
Abstract: 通过提高软磁性衬层的磁各向异性功能，本发明可以提供一种具有高记录密度的垂直记录介质，以及一种磁记录和再现装置，所述垂直记录介质在非磁性基底上至少具有软磁性衬层和垂直磁记录层，其中，当Ku┴(erg/cm3)被定义为所述软磁性衬层的垂直磁各向异性能，而Ms(emu/cm3)被定义为所述软磁性衬层的饱和磁化强度时，所述软磁性衬层的Ku┴具有负值并且Ku┴＜－2πMs2。于是，软磁性衬层的易磁化轴被强烈地定向在所述基底表面平面内，这对于抑制WATE现象和尖锐噪声是有效的。
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