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公开(公告)号：CN1473358A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN01818564.9
申请日：2001-10-03
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/042 , B24B37/24 , B24B49/16 , B24D3/28 , B24D3/344 , B24D11/001
Abstract: 本发明披露了一种具有擦光层的抛光布，所述擦光层包含在含水介质中可水解的聚合物材料并且在没有进行必须的整修处理下能够显示出相对长时间的稳定的抛光性能。
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公开(公告)号：CN110999553B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201880053736.1
申请日：2018-09-07
Abstract: 关于本发明，在陶瓷基板的至少一个面介由含有Ag、Cu及活性金属的钎料层接合铜板而得到的陶瓷电路基板的制造方法中，其具备以下工序：准备在陶瓷基板上介由钎料层而接合铜板、上述钎料层的一部分在上述铜板的图案形状间变得裸露的陶瓷电路基板，对上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的第一化学研磨工序；和用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH6以下的蚀刻液，对化学研磨后的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的第一钎料蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN117062326A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311255880.2
申请日：2018-09-07
IPC: H05K3/06 , H05K3/26 , H05K3/20 , H05K3/38 , H05K1/09 , H05K1/03 , C04B41/88 , C23F1/02 , C23F1/16
Abstract: 关于本发明，在陶瓷基板的至少一个面介由含有Ag、Cu及活性金属的钎料层接合铜板而得到的陶瓷电路基板的制造方法中，其具备以下工序：准备在陶瓷基板上介由钎料层而接合铜板、上述钎料层的一部分在上述铜板的图案形状间变得裸露的陶瓷电路基板，对上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的第一化学研磨工序；和用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH6以下的蚀刻液，对化学研磨后的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的第一钎料蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN110573080B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880028268.2
申请日：2018-05-11
IPC: A61B6/03 , G01N23/046 , G01N23/083 , G01T1/24 , H01L31/108
Abstract: 本发明的实施方式的光子计数型放射线检测器具备第一单元及第二单元。上述第一单元使放射线透过。上述第二单元与上述第一单元层叠，对从上述第一单元透过后的上述放射线进行吸收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110720132B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201880036705.5
申请日：2018-08-02
IPC: H01G11/00 , H01G11/56 , H01M4/13 , H01M4/48 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 本发明的超级电容器的特征在于，其具有在晶格间能够储藏氧离子的金属氧化物层、进行氧导电的金属氧化物层和成为氧供给源的金属氧化物层的3层结构。另外，在晶格间能够储藏氧离子的金属氧化物层优选为选自氧化镧(La2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)中的1种。另外，进行氧导电的金属氧化物层优选为选自氧化铈(CeO2)、钇稳定化氧化锆(YSZ)中的1种。
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公开(公告)号：CN111727521A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201980013389.4
申请日：2019-04-17
Abstract: 本发明提供一种电极层，其具备由以钨、钼及氧作为构成元素的复合氧化物形成的固溶体。另外，在将钨、钼及氧的合计设为100at％时，优选钨为1at％以上且40at％以下、钼为1at％以上且40at％以下、剩余部分为氧。复合氧化物优选为固溶体。另外，固溶体中，优选钨与氧的键合或钼与氧的键合具有钨-氧-钨、钼-氧-钼、钨-氧-钼这3种。
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公开(公告)号：CN110024154A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073814.X
申请日：2017-12-21
IPC: H01L49/00
Abstract: 本发明提供一种半导体固体电池，其特征在于，在N型半导体与P型半导体之间设置有第一绝缘层。另外，第一绝缘层优选膜厚为3nm～30μm，并且相对介电常数为10以下。另外，第一绝缘层优选膜密度为主体的60％以上。另外，半导体层优选导入俘获电位。若是半导体固体电池，则能够消除电解液的漏液的产生。
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公开(公告)号：CN105321854A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510458287.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/02054 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/67017 , H01L21/02052
Abstract: 有关实施方式的处理装置具备：第1供给部，向多个被处理物的表面供给第1流动体；第2供给部，向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体；气体供给部，向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体；以及升华部，使形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有升华性物质的层升华。上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面上的上述气体的流速，来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有上述升华性物质的层的厚度。
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公开(公告)号：CN102692817B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210076341.8
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及模板、模板的表面处理方法、模板的表面处理装置和图案形成方法。具体地，涉及一种包括具有凹凸图案的转写面的模板。所述模板被构造成在树脂的表面中形成反映所述凹凸图案的结构。所述树脂通过将处于在光固化性树脂液用光固化之前的状态下的光固化性树脂液充填入所述凹凸图案的凹部并使用光来固化所述光固化性树脂液而形成。所述模板包括基材和表面层。所述基材包括具有凹凸的主表面。所述表面层覆盖所述基材的凹凸并用于形成反映所述凹凸的结构的凹凸图案。所述表面层与处于在光固化性树脂液用光固化之前的状态下的光固化性树脂液之间的接触角不大于30度。
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