公开(公告)号：CN1492241A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03134833.5

申请日：2003-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G02B5/08 ,  G02B1/10 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/06

Abstract: 一种曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法。所述曝光装置具备，反射型掩模(20)和第一反射镜(30a)、第二反射镜(30b)、第三反射镜(30c)以及第四反射镜(30d)。反射型掩模(20)具有，选择性地形成在掩模基板上且反射极紫外线的反射层、形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域的红外线吸收层。反射镜具有形成在镜面基板上并反射极紫外线的反射层和形成在反射层上并吸收红外线的吸收层。根据本发明，向抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后，通过显影而得到的抗蚀图的形状不会劣化。

公开(公告)号：CN1406392A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN01805602.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社PD服务

Inventor： 笹子胜 ,  远藤政孝 ,  久继德重

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。

公开(公告)号：CN101673051A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910128224.X

申请日：2002-09-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸村真治 ,  远藤政孝 ,  笹子胜 ,  上田充 ,  藤之谷刚彦

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

Abstract: 一种具有含以[化1]所表示的单元与以[化2]所表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，(其中，R1和R3是相同或不同，是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是氢原子、烷基、脂环基、芳基、杂环、酯基或醚基，是不由酸而离去的原子或基团；R4是由酸而离去的保护基；m为0～5的整数；a和b满足0＜a＜1、0＜b＜1和0＜a+b≤1。)

公开(公告)号：CN100442436C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480000583.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76801 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76817

Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压构件具有凸部的推压面推压到流动性膜，将所述凸部转印到流动性膜的工序，且所述凸部包括用于形成金属布线的第1凸部与用于形成插塞的第2凸部；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了所述凸部的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。

公开(公告)号：CN100394559C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200310114943.9

申请日：2003-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L23/5222 ,  C08K3/34 ,  C08L83/02 ,  C09D183/04 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4-n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。

公开(公告)号：CN100349258C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200410007839.4

申请日：2004-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/2041

Abstract: 一种图案形成方法，在形成由含基础聚合物、照射光线后能产生酸的酸发生剂、和内酯的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)后，在向抗蚀膜(102)提供边循环边暂时被储存在溶液储备部中的水(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)，以进行图案曝光。对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)实施后烘焙之后，利用碱性显影液进行显影，就可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好形状的抗蚀图案(105)。根据本发明，可以改善通过浸渍光刻法得到的抗蚀图案的形状。

公开(公告)号：CN1967387A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610148582.3

申请日：2006-11-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，该图案形成方法可以防止浸液曝光用液体穿过保护抗蚀膜免受该液体影响的阻挡膜而向抗蚀膜浸透的情况，从而能够获得具有良好形状的微细图案。该图案形成方法在形成于基板(101)上的抗蚀膜(102)上，形成含有聚合物和利用热使该聚合物产生交联反应的交联剂的阻挡膜(103)。接下来，将所形成的阻挡膜(103)加热而将聚合物交联后，在阻挡膜(103)上配置了液体(104)的状态下，藉由阻挡膜(103)向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光而进行图案曝光。接下来，在将阻挡膜(103)除去后，通过对进行了图案曝光的抗蚀膜(103)进行显影，由抗蚀膜(102)形成抗蚀图案(102a)。

公开(公告)号：CN1881084A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610073601.0

申请日：2006-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08L59/00 ,  C08L2205/02 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  C08L2666/16

Abstract: 本发明公开了一种化学放大型抗蚀材料及使用了该化学放大型抗蚀材料的图案形成方法。目的在于：能够在浸液光刻中防止化学放大型抗蚀膜的溶解性的降低，形成具有良好形状的微细图案。在衬底101上形成抗蚀膜102，该抗蚀膜102由含聚合物的化学放大型抗蚀材料构成，该聚合物具有半缩醛或半缩酮。接着，在将液体104提供到已形成的抗蚀膜102上的状态下，对抗蚀膜102选择性地照射曝光光105来进行图案曝光。然后，能够通过将已图案曝光的抗蚀膜102进行显像，来由抗蚀膜102获得具有良好的图案形状的抗蚀图案102a。

公开(公告)号：CN1873537A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610073222.1

申请日：2006-04-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/162

Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。目的在于：能够防止在浸液光刻中使用的浸液曝光用液体对抗蚀膜的影响，获得具有良好形状的微细图案。在形成在衬底101上的抗蚀膜102上形成可溶于碱的第1阻挡膜103。接着，在形成的第1阻挡膜103上形成不溶于碱的第2阻挡膜104。接着，在将由水构成的液体105提供到第2阻挡膜104上的状态下，透过第2阻挡膜104及第1阻挡膜103对抗蚀膜102选择性地照射曝光光106，进行图案曝光。然后，除去第2阻挡膜104，且通过对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像，来除去第1阻挡膜103，同时，由抗蚀膜102形成具有微细图案的抗蚀图案102a。

公开(公告)号：CN1233022C

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN03131014.1

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0047

Abstract: 本发明提供一种在半导体装置的制造过程中使用的图形形成材料、水溶性材料及图形形成方法。形成由含有通过酸的作用改变显影液可溶性的聚合物、照射能量光束就产生酸的酸发生剂、吸收聚合物或酸发生剂产生的脱气的化合物的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)；对于抗蚀膜(11)选择性照射远紫外线(12)进行图形曝光后，对图形抗蚀膜(11)通过显影液进行显影并形成抗蚀层图形(13)。根据本发明可以减少由抗蚀膜产生的脱气的量并改善抗蚀层图形的形状和提高生产率。