公开(公告)号：CN1606140A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410083545.X

申请日：2004-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种碳化硅－氧化物层叠体的制造方法，通过热氧化处理，在SiC基板(10)上形成作为主要由SiO2构成的氧化物层即栅极绝缘膜(7’)之后，在腔室(20)内的惰性气体气氛中进行退火。此后，在设置有真空泵(31)的腔室(30)内设置SiC基板(10)，并在超过1100℃且不足1250℃的高温下，将碳化硅－氧化物层叠体A暴露于被减压的NO气体气氛中，则氮会扩散到栅极绝缘膜(7’)内，从而可获得在下部具有氮浓度高的区域且相对介电常数在3.0以上的、作为含V族元素氧化物层的栅极绝缘膜(7)。也可以降低含V族元素氧化物层－碳化硅层之间的界面区域的界面能级密度。本发明提供一种用于制作低损耗且高可靠性的MISFET等的碳化硅－氧化物层叠体，及其制造方法以及半导体装置。

公开(公告)号：CN1577891A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062185.5

申请日：2004-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  北畠真 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  萩尾正博 ,  泽田和幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种采用碳化硅衬底，沟道层表面被平滑化、载流子的迁移率高的半导体装置以及其制造方法。双重注入型MISFET包括：在SiC衬底(1)上设置的高电阻SiC层(2)；p阱区(3)；p+接触区(4)；源区(6)；横跨源区(6)、p阱区(3)以及高电阻SiC层(2)形成的沟道层(5x)；栅绝缘膜(7)；栅极(10)；源极(8)；漏极(9)。高电阻SiC层(2)和p阱区(3)以及源区(6)的表面在堆积碳膜的状态下，通过杂质的活化退火或MCP成为平滑的状态，其后外延生长的沟道层(5x)的表面被进一步平滑化。

公开(公告)号：CN1110068C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN98802095.5

申请日：1998-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田哲久 ,  北川雅俊 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  三露常男

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/861 ,  Y10T29/41

Abstract: 对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2，照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5，或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长，例如9～11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时，照射波长9.5～10μm的激光5。

公开(公告)号：CN1395746A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01803862.X

申请日：2001-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  横川俊哉 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种DMOS器件(或者IGBT)，它包括：SiC衬底2、形成在外延层内的n－SiC层3(漂移区)、栅极绝缘膜6和栅电极7a、将栅电极7a包围起来的源电极7b、形成在SiC衬底2下面的漏电极7c、p－SiC层4、以及从源电极7b端部下方到栅电极7a端部下方的n+SiC层5。外延层的表面部分中除形成有n+SiC层5的区域里，叠层形成了含高浓度氮的n型掺杂层10a和非掺杂层10b。利用量子效果，降低了导通电阻，提高了截止时的耐压。

公开(公告)号：CN1354568A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01135078.4

申请日：2001-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修

IPC: H04B17/00 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28

CPC classification number: H03F3/601 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/105 ,  H01L29/157 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H03D7/125 ,  H03F2200/294

Abstract: 一种通信系统用仪器,包括:在SiC衬底上集成了肖特基二极管、MOSFET、电容器以及电感器的半导体装置。在SiC衬底10上,从下至上依次设置有:把含有高浓度的n型杂质(氮)的δ掺杂层12a和非掺杂层12b相互叠层在一起形成的第一叠层部12;把含有高浓度的p型杂质(铝)的δ掺杂层13a和非掺杂层13b相互叠层在一起形成的第二叠层部13。δ掺杂层的载流子扩散到非掺杂层。而且,由于非掺杂层中的杂质浓度较低,所以杂质离子的散乱减少,能得到低电阻和高耐压值。适合配置在使用温度、空间上的限制等非常苛刻的条件下。

公开(公告)号：CN104137266B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380010965.2

申请日：2013-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  内田正雄 ,  庭山雅彦 ,  楠本修

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。

公开(公告)号：CN104137266A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010965.2

申请日：2013-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  内田正雄 ,  庭山雅彦 ,  楠本修

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。

公开(公告)号：CN102473599B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180003211.5

申请日：2011-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  内田正雄 ,  高桥邦方

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0475 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片及其制造方法。本发明的半导体芯片是具备具有机械物性的各向异性的六方晶系的半导体层的半导体装置，从垂直于半导体芯片(21)的方向看时，半导体芯片(21)具有四角形的形状，该四角形具有第1边(1A)、和与第1边(1A)正交的第2边(1B)，第1边(1A)延伸的方向的热变形量和第2边(1B)延伸的方向的热变形量实质上相等。

公开(公告)号：CN103180959B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201180051610.9

申请日：2011-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  田中康太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法。从基板(101)的主面的法线方向看，半导体元件(100)包括单位单元区域(100ul)及位于单位单元区域与半导体元件的端部之间的末端区域(100f)，末端区域(100f)在第1碳化硅半导体层(102)具有配置为与漂移区域(102d)相接的第2导电型的环区域(103f)，环区域包括：与第1碳化硅半导体层的表面相接的高浓度环区域(103af)、及以比高浓度环区域低的浓度包含第2导电型的杂质且在底面与第1碳化硅半导体层相接的低浓度环区域(103bf)，高浓度环区域(103af)的侧面与漂移区域(102d)相接，从半导体基板主面的法线方向看，高浓度环区域与低浓度环区域具有相同的轮廓。

公开(公告)号：CN103069571A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201280002382.0

申请日：2012-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  庭山雅彦 ,  内田正雄 ,  工藤千秋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体元件，其具备：位于第1导电型的漂移层上的第2导电型的体区域；位于体区域上的第1导电型的杂质区域；贯通体区域及杂质区域并抵达漂移层的沟槽；配置于沟槽的表面上的栅极绝缘膜；以及配置于栅极绝缘膜上的栅电极，沟槽的表面包括第1侧面、及与第1侧面对置的第2侧面，体区域之中位于第1侧面的部分的至少一部分的第2导电型的掺杂物浓度要比体区域之中位于第2侧面的部分的第2导电型的掺杂物浓度更大。