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公开(公告)号：CN111316401B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201880069448.5
申请日：2018-10-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B7/023 , B32B7/06 , B32B27/00 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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公开(公告)号：CN116997861A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021830.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: [课题]本发明的目的是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜。[解决手段]含有具有式(1)、式(2)、式(3)和式(4)(省略)所表示的重复单元中的至少一种重复单元的聚合物及溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物具有高耐蚀刻性、良好的干式蚀刻速度比和光学常数，进而，即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜，可达成更微细的基板加工。
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公开(公告)号：CN116057095A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057444.7
申请日：2021-08-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G12/08
Abstract: 提供能够发挥污染装置的升华物量的减少、被覆膜的面内均匀涂布性的改善、并且对也被用于抗蚀剂下层膜的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶剂、以及包含下述式(1)所示的单元结构(A)的聚合物。(在式(1)中，Ar1和Ar2各自表示苯环或萘环，R1和R2各自为取代Ar1和Ar2的环上的氢原子的基团，R4选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，R5选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数。)。
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公开(公告)号：CN113906077A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。
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公开(公告)号：CN111758075A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980014513.9
申请日：2019-02-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供形成下述抗蚀剂下层膜的组合物，上述抗蚀剂下层膜在将光致抗蚀剂组合物、不同的抗蚀剂下层膜叠层时不容易发生混合，通过提高聚合物的热回流性从而改善了烧成时对图案的填充性。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有结构基(C)的酚醛清漆树脂，上述结构基(C)通过包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的芳香族化合物(A)的芳香族环、与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基反应而形成。上述结构基(C)为下述式(1)，[在式(1)中，R1为包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的2价基团。]。上述R1为从下述式(2)所示的化合物的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。上述R1为从N,N’‑二苯基‑1,4‑苯二胺的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118507421A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410586917.8
申请日：2018-10-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J161/06 , C09J183/04 , C09J183/07
Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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公开(公告)号：CN116635442A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180086546.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G10/02
Abstract: 本发明的课题是提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，能够形成对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，平坦且进一步具有优异的硬度的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)或式(2)所示的化合物与下述式(3)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。
OHC‑X‑CHO (3)。-
公开(公告)号：CN116419937A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180076716.8
申请日：2021-11-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G65/38
Abstract: 提供能够响应即使不包含酸催化剂、交联剂也在低温下自固化、可以减少升华物量、可以获得弯曲耐性高的高硬度的膜这样的要求，并且，也可以作为交联剂而利用，如果作为交联剂利用则与现有的交联剂相比，显示高平坦化和高耐热性，而且，埋入性与现有品同等，光学常数、蚀刻耐性能够通过单体的选择而自由地变更的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(X)以及溶剂，上述聚合物(X)包含具有ROCH2‑基(R为一价有机基、氢原子或它们的混合)的芳香族化合物A、与不同于A的碳原子数120以下的芳香族化合物B经由连接基‑O‑交替地结合而得的重复结构单元，并且上述重复结构单元中相对于1个A结合了1～6个B。
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公开(公告)号：CN109154778B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201780030002.7
申请日：2017-05-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)和/或式(1b)所示的重复结构单元的聚合物、和溶剂。[式(1a)和(1b)中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基或杂环基，R4表示氢原子、苯基或萘基，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，p表示3～500的整数，X表示苯环，与该苯环结合的2个‑C(CH3)2‑基处于间位或对位的关系。]
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公开(公告)号：CN110809738B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201880041969.X
申请日：2018-06-22
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供包含涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，在所形成的抗蚀剂下层膜中，将该具有高低差的部分和该不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(Iso‑dense偏差)(逆高低差)降低5nm以上的方法。解决手段是一种降低抗蚀剂下层膜的高低差(Iso‑dense偏差)的方法，其包含下述工序：向包含(A)聚合物和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物中进一步添加(C)氟系表面活性剂的工序；以及将添加了(C)氟系表面活性剂的该组合物涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，从而将该具有高低差的部分与不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(逆高低差)降低5nm以上。
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