公开(公告)号：CN103811301A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310551934.X

申请日：2013-11-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  田中俊平 ,  高桥智一 ,  秋月伸也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/02005 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/6836

Abstract: 本发明提供晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆，该晶圆的加工方法在进行任意适当的加工工序前包括溶剂清洗工序，在该加工工序中，可适当地保持晶圆，并防止粘合片剥离后的残胶。本发明的晶圆的加工方法包括：粘合片粘贴工序，在具有包含辐射线固化型粘合剂的粘合剂层和基材的晶圆加工用粘合片上粘贴晶圆；辐射线照射工序，对该晶圆加工用粘合片的粘合剂层照射辐射线；清洗工序，用溶剂清洗该晶圆；以及加工工序，加工该晶圆。本发明的晶圆的加工方法中，在该清洗工序前进行该辐射线照射工序。

公开(公告)号：CN103779371A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310499119.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  福原淳仁 ,  杉村敏正 ,  高桥智一 ,  水野浩二

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，其能够以优异的生产效率制造具有贯通导电路径的半导体元件。本发明的制造方法包括：[工序A]，准备半导体晶圆，所述半导体晶圆具有形成有多个半导体元件的有源面、在与该有源面相反侧的面上形成的规定的图案的导电层、以及连接该有源面和其相反侧的面的贯通导电路径；[工序B]，在该导电层上形成焊料凸块；以及[工序C]，切割该半导体晶圆，其中，该[工序A]包括在具有形成有多个半导体元件的有源面的半导体晶圆的该有源面侧贴附有保护带的状态下，对与该有源面相反侧的面进行磨削的步骤，从该磨削起至[工序C]的切割为止在贴附该保护带的状态下进行。

公开(公告)号：CN103515279A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310247086.3

申请日：2013-06-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  宇圆田大介 ,  松村健

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/58 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L24/80 ,  H01L2924/0001

Abstract: 本发明提供能够实现生产效率进一步提高的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法，具有以下工序：将转印用基板和形成于功能层形成用基板上的功能层借助临时固定层进行贴合的工序；除去功能层形成用基板而使功能层露出的工序；在露出的功能层上贴合最终基板的工序；和将临时固定层和转印用基板从功能层分离的工序，其中，对于临时固定层而言，(A)在200℃保持1分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力为0.25kg/5×5mm以上，并且在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任意温度下保持3分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm；或者(B)在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮中浸渍60秒钟并且在150℃下干燥30分钟后的重量减少率为1.0重量％以上。

公开(公告)号：CN102468192A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110348623.4

申请日：2011-11-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 岩重朝仁 ,  市川智昭 ,  杉本直哉 ,  襖田光昭 ,  保手滨洋幸 ,  秋月伸也

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  C08G59/62 ,  C08G59/24

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08G59/5073 ,  C08G59/62 ,  C08G59/686 ,  C08L63/00 ,  H01L21/565 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供半导体装置的制法，其为不会降低成型性及固化性、高温高湿可靠性优异的半导体装置的制法，使用含下述(A)～(D)成分的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件树脂密封，在树脂密封后施加加热处理工序，此加热处理在下述(x)所示条件下进行。(A)下述通式(1)所示的环氧树脂。上述式(1)中，X为单键、-CH2-、-S-或-O-，R1～R4为-H或-CH3且相互可相同也可不同，(B)酚醛树脂。(C)胺系固化促进剂。(D)无机质填充剂。(x)由热处理时间(t分钟)与热处理温度(T℃)的关系满足t≥3.3×10-5exp(2871/T)的区域构成的热处理条件，其中，185℃≤热处理温度T℃≤300℃。

公开(公告)号：CN100391995C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200510078342.6

申请日：2005-05-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  丰田庆 ,  池村和弘 ,  石坂刚 ,  西冈务

IPC: C08G59/00

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种含有下列(A)组分、(B)组分、(C)组分、(D)组分的半导体密封用环氧树脂组合物：(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)固化促进剂；(D)用含有丙烯基或甲基丙烯基的有机硅烷偶合剂进行过表面处理的球状无机填充剂。

公开(公告)号：CN1315184C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200310114281.5

申请日：2003-11-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  池村和弘 ,  伊藤久贵 ,  内田贵大 ,  惠藤拓也 ,  西冈务 ,  嶋田克实

IPC: H01L23/29 ,  C08G59/00

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08G59/621 ,  C08K3/04 ,  C08K3/36 ,  C08K9/02 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及一种半导体包封用环氧树脂组合物，该组合物能够使半导体装置具有高度可靠性，即使减小其中的互连电极距离和导线距离中的节距也不会引起短路，本发明还涉及使用这种组合物的半导体装置。半导体包封用环氧树脂组合物含有以下组分(A)-(C)：(A)环氧树脂，(B)酚醛树脂和(C)在用环氧树脂组合物包封半导体的步骤中能够防止半导体短路的无机填料。