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公开(公告)号:CN118284951A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202280077491.2
申请日:2022-10-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理腔室,包括一个或多个侧壁。位在该一个或多个侧壁内的支撑表面保持住工件。沿着该一个或多个侧壁设置的第一气体注射器在第一方向上注入第一气流,该第一方向大致与该工件的表面平行并横跨该工件的该表面。沿着该一个或多个侧壁与该第一气体注射器大致相对地设置的第一泵口抽出该第一气流。沿着该一个或多个侧壁设置的第二气体注射器在第二方向上注入第二气流,该第二方向大致与该工件的该表面平行并横跨该工件的该表面。沿着该一个或多个侧壁与该第二气体注射器大致相对地设置的第二泵口抽出该第二气流。传导性控制环调变所述泵口的传导性,并位在所述泵口的顶部处的等离子体屏附近。
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公开(公告)号:CN110945624B
公开(公告)日:2022-11-18
申请号:CN201880048120.5
申请日:2018-06-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于等离子体处理的处理工具包括腔室主体、工件支撑件、致动器、气体分配器、电极组件与第一RF电源,腔室主体具有内部空间,内部空间提供等离子体腔室,腔室主体具有顶板以及与顶板相对的一侧上的开口,工件支撑件固持工件,使得工件的前表面的至少一部分面向开口,致动器在腔室主体和工件支撑件之间产生相对运动,使得开口侧向地移动横越过工件,所述气体分配器将处理气体输送到所述等离子体腔室,所述电极组件包含多个共面丝,所述多个共面丝侧向地延伸通过所述工件支撑件和所述顶板之间的所述等离子体腔室,所述多个丝中的各个丝包含导体,所述第一RF电源向所述电极组件的所述导体提供第一RF功率以形成等离子体。
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公开(公告)号:CN110537242A
公开(公告)日:2019-12-03
申请号:CN201880026528.2
申请日:2018-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 等离子体反应器包括具有提供等离子体腔室的内部空间并且具有顶板的腔室主体、用于将处理气体输送至等离子体腔室的气体分配器、耦接至等离子体腔室以抽空腔室的泵、保持工件面向顶板的工件支撑件、包括绝缘框架和在顶板与工件支撑件之间横向延伸穿过等离子体腔室的线状物的腔室内电极组件(线状物包括至少部分地由从绝缘框架延伸的绝缘外壳围绕的导体)和向腔室内电极组件的导体供应第一RF功率的第一RF功率源。
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公开(公告)号:CN108538695A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810343864.1
申请日:2011-07-06
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本申请涉及衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法。本发明揭示一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积,该处理容积用于含有等离子体,该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积,该处理容积用于含有等离子体。该衬管组件设置在该处理容积内部,该衬管组件包含两个或两个以上狭槽,该狭槽在衬管组件上形成,该狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板,以在该腔室主体内部进行处理。本发明使用具有若干对称狭槽的衬管组件,可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。
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公开(公告)号:CN102576672A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080039319.5
申请日:2010-06-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 肯尼思·S·柯林斯 , 安德鲁·源 , 杰弗瑞·马丁·萨利纳斯 , 伊玛德·尤瑟夫 , 明·徐
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24 , H05H1/30
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32935
Abstract: 通过使高架RF源功率施加器绕倾斜轴倾斜来执行等离子体蚀刻速率分布中的歪斜校正,倾斜轴的角度是由处理数据中的歪斜来确定的。通过结合对浮置板进行支撑的精确的三个轴向运动伺服系统来提供运动的完全自由度,从该浮置板悬挂高架RF源功率施加器。
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公开(公告)号:CN101903558B
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN200880122060.3
申请日:2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/16 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底,该衬底的表面上具有涂层,且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大,其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说,金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号:CN101919026B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200980102522.X
申请日:2009-01-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 卡罗尔·贝拉 , 詹姆斯·D·卡尔杜齐 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 沙希·拉夫 , 肯尼思·S·柯林斯 , 安德鲁·阮 , 哈米德·努尔巴卡什
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/20 , H01L21/30
CPC classification number: H01J37/32834 , C23C16/4412 , H01L21/67017 , H01L21/67167 , H01L21/6719
Abstract: 在此提供处理基板的方法和设备。在某些具体实施方式中,用于处理基板的设备可包括处理腔室,所述处理腔室具有内容积和与该内容积耦接的排气系统。此排气系统包括多条第一通道,任一条第一通道具有入口,适以接收该处理腔室内容积中的废气。抽气室,所述抽气室耦接至多条第一通道中任一条通道,该抽气室设有抽气口,适以抽出该腔室中的废气。介于该多条第一通道的任一入口和抽气口之间的导率(conductance)为实质相等。
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公开(公告)号:CN102474973A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080032374.1
申请日:2010-07-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01P7/04
Abstract: 本文提供阻抗匹配网络的实施例。在一些实施例中,阻抗匹配网络可包括同轴共振器,该同轴共振器具有内导体与外导体。可提供调节电容器,其用以可改变地控制该同轴共振器的共振频率。该调节电容器可由第一调节电极、第二调节电极与中置电介质来形成,其中该第一调节电极由该内导体的一部分来形成。可提供负载电容器,其用以可改变地将来自该内导体的能量耦合到负载。该负载电容器可由该内导体、可调整负载电极与中置电介质来形成。
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公开(公告)号:CN102245540A
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN200980145269.6
申请日:2009-11-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C04B41/86 , C03C8/00 , C03C2214/20 , C04B41/009 , C04B41/5023 , H01J37/32477 , C04B41/4539 , C04B41/5055 , C04B35/10 , C04B35/00 , C04B35/14 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581
Abstract: 本发明的实施方式涉及含金属氧氟化物的釉料或含金属氟化物的釉料组合物、玻璃陶瓷组合物及其组合,其可用作抗等离子体固体基板或在其它基板上的抗等离子体保护涂层。本发明还描述制造各种结构的方法,所述方法包括掺入上述组合物,所述结构包括固体基板及在基板表面上的涂层,所述基板具有高于约1600℃的熔点,诸如为铝氧化物、铝氮化物、石英、硅碳化物、硅氮化物。
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公开(公告)号:CN102084020A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200980106482.6
申请日:2009-02-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C4/11 , Y10T428/24355 , Y10T428/24997
Abstract: 在高腐蚀性等离子体环境中进行半导体元件处理,常会出现微粒产生的问题。当上述等离子体为还原等离子体时,此问题更显严重。实验资料显示,在形成一种等离子体喷涂的含钇陶瓷(如氧化钇、Y2O3-ZrO2固溶体、YAG及YF3)时,当用于喷涂陶瓷的粉体进料的平均有效粒径范围介于约22μm至约0.1μm时,可提供一种低孔隙率的涂层,其具有平滑且紧实的表面。这些经喷涂的材料可降低在腐蚀性还原等离子体环境中的微粒产生。
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