公开(公告)号：CN112219263A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980028584.4

申请日：2019-11-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤由晴 ,  安喰彻 ,  白川彻 ,  高桥美咲 ,  三塚要 ,  吉村尚 ,  小野泽勇一 ,  泷下博 ,  吉田崇一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。

公开(公告)号：CN109755239A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811123099.9

申请日：2018-09-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 北村睦美 ,  白川彻

IPC: H01L27/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；阴极区，其形成于半导体基板的下表面；二极管部，其在半导体基板的下表面形成有阴极区；第一虚设沟槽部，其从半导体基板的上表面设置到漂移区，且一部分设置于二极管部，另一部分设置于二极管部外，在半导体基板的上表面以沿着预定的延伸方向延伸且连续的方式从二极管部设置到二极管部外；以及第一引出部，其设置于半导体基板的上表面，在二极管部外与第一虚设沟槽部电连接。

公开(公告)号：CN118216005A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202380014121.9

申请日：2023-05-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  三塚要

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；第一导电型的发射区，其与半导体基板的所述上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基区，其与所述发射区相接地设置；第二导电型的集电区，其设置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间；以及第一导电型的浮置区，其与所述集电区的上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述集电区的掺杂浓度高，所述集电区具有未被所述浮置区覆盖的第一区域、以及被所述浮置区覆盖的第二区域。

公开(公告)号：CN111684604B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201980011408.X

申请日：2019-07-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 尾崎大辅 ,  兼武昭德 ,  白川彻 ,  樱井洋辅

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备设置有晶体管部的半导体基板，晶体管部中的半导体基板具备：第一导电型的漂移区、设置于漂移区与半导体基板的上表面之间且掺杂浓度高于漂移区的第一导电型的积累区、设置于半导体基板的下表面与漂移区之间的第二导电型的集电区、以及从半导体基板的上表面起设置到比积累区深的位置并在半导体基板的上表面沿预先设定的延伸方向延伸而设置且沿与延伸方向正交的排列方向排列的多个栅极沟槽部和多个虚设沟槽部，晶体管部具有包括栅极沟槽部的第一区域和在排列方向上的单位长度内配置的虚设沟槽部的数量比第一区域多的第二区域。

公开(公告)号：CN115152034A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180016753.X

申请日：2021-04-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  阿形泰典 ,  三枝直树

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与发射电极分离；导线布线部，其与焊盘部的上表面的连接区域连接；布线层，其设置在半导体基板和焊盘部之间，且包括与连接区域重叠的区域；层间绝缘膜，其设置在布线层和焊盘部之间，且在连接区域的下方具有贯通孔；钨部，其设置在贯通孔的内部，且将布线层和焊盘部电连接，所述钨部包含钨；以及阻挡金属层，其设置为在连接区域的下方覆盖层间绝缘膜的上表面，且所述阻挡金属层包含钛。

公开(公告)号：CN107833914B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201710749648.2

申请日：2017-08-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  田中裕之

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。RC‑IGBT与具有IGBT部但不具有FWD部的半导体芯片相比，设置FWD部的部分使得半导体芯片的芯片面积变大。寻求缩小RC‑IGBT的半导体芯片的芯片面积。本发明的半导体装置具备：晶体管部，具有多个晶体管；续流二极管部，在俯视晶体管部的情况下，续流二极管部至少与晶体管部的一边对置，且设置于晶体管部的外侧；以及栅流道部和栅衬垫部，在俯视晶体管部的情况下，栅流道部和栅衬垫部与晶体管部接触地设置，并且不包围晶体管部的整个外侧。

公开(公告)号：CN114127930A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080047040.5

申请日：2020-11-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 尾崎大辅 ,  白川彻 ,  阿形泰典

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/06

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子注入的注入抑制区，二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。晶体管部和二极管部双方在半导体基板的表面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的表面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度高于基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，在注入抑制区不设置发射区和抽出区。

公开(公告)号：CN113921587A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110575884.3

申请日：2021-05-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  阿形泰典 ,  三塚要

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 提供一种半导体装置，其适当地调整有源区中的耐压。所述半导体装置具备有源区和边缘区域，并且具备：第1导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第2导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第2导电型的第1集电区，其在有源区中设置于漂移区的下方；以及第2导电型的第2集电区，其在边缘区域中设置于漂移区的下方，第1集电区的掺杂浓度大于第2集电区的掺杂浓度，在俯视时，第1集电区的面积与第2集电区的面积相同或大于第2集电区的面积。

公开(公告)号：CN112204726A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980034476.8

申请日：2019-11-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L29/739

Abstract: 有源区(1)具有分别配置有主IGBT(20)和感测IGBT(30)的第一单元区(2)、第二单元区(3)。第二单元区(3)具有配置有感测IGBT(30)的检测区域(4)和包围检测区域(4)的周围的提取区域(5)。在提取区域(5)中的半导体基板(7)上配置有与包含多晶硅的感测IGBT(30)连结的电阻部(17)。与感测IGBT(30)连结的电阻部(17)具有与感测IGBT(30)的栅电极连接的第一部分(17a)、以及将第一部分(17a)连结于栅极流道(15)的第二部分(17b)，并且构成第二部分(17b)的电阻值为10Ω以上且5000Ω以下的内置电阻。由此，能够改善包含感测IGBT(30)的电流感测部的ESD耐量的提高与瞬态感测电压的降低之间的权衡关系。

公开(公告)号：CN110770914A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880035386.6

申请日：2018-10-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三塚要 ,  高桥美咲 ,  白川彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

Abstract: 提供晶体管部和二极管部的导通特性优良的半导体装置。提供具有晶体管部与二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的第一阱区，其设置在半导体基板的上表面侧；第二导电型的阳极区，其在二极管部，设置在半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的第一高浓度区，其在阳极区与第一阱区之间，与第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高。