一种封装芯片及电流传感器

    公开(公告)号:CN116314059A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310465497.3

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种封装芯片及电流传感器,应用于芯片封装领域,该封装芯片包括:衬底、与衬底相同材质的保护层和在衬底一侧表面制备的有源区,有源区背向衬底的一侧,与保护层键合连接,保护层与衬底之间,在有源区侧面形成有隔离结构。本发明通过在衬底上制备的有源区,背向衬底的一侧连接保护层,并在保护层与衬底之间,有源区侧面形成有隔离结构,能够形成对有源区的绝缘隔离,当将形成的芯片结构连接到其他组件上时,无论是采用芯片引线键合或者是倒装焊焊接等方式,在芯片正面或背面都无需额外引入绝缘材料,通过有源区背向衬底的一侧与保护层键合连接,能够减少异种材料使用,提高绝缘性能的同时,提高了器件的可靠性。

    一种除法器及除法处理方法

    公开(公告)号:CN113391787B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110655921.1

    申请日:2021-06-11

    Abstract: 本申请公开了一种除法器及除法处理方法,包括:预处理模块,用于将被除数左移小数位宽加1个比特得到第一数据,将除数左移数据位宽个比特得到第二数据;数据位宽为小数位宽与输入数据位宽之和;迭代运算模块执行:步骤01:比较第一数据以及第二数据的大小,若第一数据小于第二数据,则将第一数据存入预设寄存器,否则,第一数据减去第二数据将差值加1的结果存入寄存器;步骤02:判断步骤01的执行次数是否达到数据位宽次,若否,则将寄存器的值左移1个比特并赋值给第一数据,重新执行步骤01,若是,则将寄存器的值作为输出结果输入输出处理模块进行处理,能够实现任意整数的除法运算,且降低综合后电路面积。

    霍尔传感器集成芯片灵敏度和零点温漂的补偿电路及方法

    公开(公告)号:CN110542870B

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN201910729983.5

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 一种霍尔传感器集成芯片中灵敏度和零点温漂的补偿电路,其包括霍尔敏感元件、放大器、加法器、缓冲器、增益调整模块、零点调整模块、温度传感器、应力传感器、ADC(模拟数字转换器)、控制处理电路、第一DAC、第二DAC、出厂温度补偿系数存储器、出厂应力补偿系数存储器、用户增益校正值存储器、用户零点偏移校正值存储器。还相应提供了一种霍尔传感器集成芯片中灵敏度和零点温漂的补偿电路。本发明大大提升了灵敏度和零点温漂补偿的精度,提升了传感器的性能指标,同时满足客户在传感器生产或使用过程中进行灵敏度和零点的温度补偿的需求,不仅实现了灵敏度的温度补偿,而且实现了零点温漂的补偿。还可以快速响应外部磁场的变化。

    一种磁通门芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN111470470A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010509797.3

    申请日:2020-06-08

    Abstract: 本发明提供了一种磁通门芯片的制备方法,属于磁通门传感器技术领域,包括:首先选取两片高阻硅片,其中一片表面电镀铁磁芯,另一片表面开设铁磁芯腔,然后两片高阻硅片上下键合,接着在两片高阻硅片的相对一侧表面分别开设线圈槽、通槽以及电极窗口,形成硅片模具,最后在硅片模具表面填充合金。本发明提供的一种磁通门芯片的制备方法,通过电镀,后键合,最后刻蚀,一方面,使得形成的磁通门芯片的厚度较薄,并满足足够的强度,另一方面能够实现磁通门芯片的大规模批量生产,提高工作效率,降低生产成本。

    一种微型磁通门传感器
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110146832A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910555343.7

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本发明提供了一种微型磁通门传感器,涉及磁场检测传感器技术领域,用以解决目前磁通门传感器体积尺寸大、批量生产成本高,装配误差较大,电路复杂,小型化难度大的问题,本微型磁通门传感器包括双铁芯组件、自振荡模块、电流叠加与放大模块以及电压采集模块;所述双铁芯组件包括第一铁芯和第二铁芯,所述第一铁芯上有第一绕组线圈,第二铁芯上有第二绕组线圈,所述第一绕组线圈和第二绕组线圈分别和自振荡模块的输入端连接,自振荡模块的输出端分别和电流叠加与放大模块以及电压采集模块连接。本磁通门传感器处理电路简单,不需要人为调试,容易集成化。

    一种带隔离功能的熔丝可编程控制电路

    公开(公告)号:CN118762737B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411240561.9

    申请日:2024-09-05

    Abstract: 一种带隔离功能的熔丝可编程控制电路,设置有电源隔离控制电路单元、熔丝电路单元以及地线隔离控制电路单元;电源隔离控制电路单元和地线隔离控制电路单元分别与熔丝电路单元连接。该带隔离功能的熔丝可编程控制电路在使用时通过电源隔离控制电路单元对电源隔离控制电路单元中编程电源的隔离和地线隔离控制电路单元对电源隔离控制电路单元中编程地线的隔离,避免芯片在上电过程中或使用过程中受电源毛刺干扰被异常熔断,提高熔丝编程的可靠性。

    一种带隔离功能的熔丝可编程控制电路

    公开(公告)号:CN118762737A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411240561.9

    申请日:2024-09-05

    Abstract: 一种带隔离功能的熔丝可编程控制电路,设置有电源隔离控制电路单元、熔丝电路单元以及地线隔离控制电路单元;电源隔离控制电路单元和地线隔离控制电路单元分别与熔丝电路单元连接。该带隔离功能的熔丝可编程控制电路在使用时通过电源隔离控制电路单元对电源隔离控制电路单元中编程电源的隔离和地线隔离控制电路单元对电源隔离控制电路单元中编程地线的隔离,避免芯片在上电过程中或使用过程中受电源毛刺干扰被异常熔断,提高熔丝编程的可靠性。

    一种单芯片集成3D霍尔器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN118434265B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410890900.1

    申请日:2024-07-04

    Abstract: 一种单芯片集成3D霍尔器件及制备方法,其中单芯片集成3D霍尔器件设置有:STI隔离槽、第一P型埋层、第二P型埋层、N型电极、氧化层、第三P型阱和金属层。该单芯片集成3D霍尔器件包括有4个第一N型电极和1个第二N型电极,其中4个第一N型电极中在检测垂直磁场时互相垂直的电极互为偏置电极和霍尔电压检测电极,在检测水平磁场时4个第一N型电极代表X或Y方向电流,当有垂直于电流方向的平行磁场穿过时,沿另一个垂直方向会产生感应电势,集中在第二N型电极,从而检测到Y或X方向磁场感应产生的霍尔电压。该器件在P型硅晶圆衬底中形成,其霍尔有源功能区的最大尺寸仅在30μm~50μm范围内,因此其尺寸非常小。

    一种运算放大电路失调电压的校准方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN113904632A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111186593.1

    申请日:2021-10-12

    Abstract: 本申请公开了一种运算放大电路失调电压的校准方法、装置、系统及计算机可读存储介质,补偿电路由电流校准电路和电阻校准电路构成,在根据实际失调电压和待补偿放大电路的允许失调电压的差值确定待补偿电压之后,根据待补偿电压的大小和极性确定补偿电路的电流校准电路中可变电流源的单位补偿电流的大小和方向,根据单位补偿电流和待补偿电压确定补偿电路的电阻校准电路的接入电阻,从接入电阻和流经接入电阻的电流两个角度进行修调,相较于传统的仅采用分压电阻修调的二进制电流补偿方案,校准手段更加灵活,明显减少了所需分压电阻的数量,即在同样的补偿精度下减小了补偿电路面积,可以获得更高的补偿精度,进而提高了对失调电压校准的线性度。

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