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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110957332A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910089350.2
申请日：2019-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L25/16 , H01L23/66 , H01L23/58
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及三维集成芯片。该三维集成芯片包括第一集成芯片(IC)管芯和第二IC管芯。第一IC管芯具有第一图像传感器元件，该第一图像传感器元件配置为从第一波长范围内的电磁辐射产生电信号。第二IC管芯具有第二图像传感器元件，该第二图像传感器元件配置为从不同于第一波长范围的第二波长范围内的电磁辐射产生电信号。第一带通滤波器布置在第一IC管芯和第二IC管芯之间，并配置为反射第一波长范围内的电磁辐射。本发明的实施例还涉及用于堆叠传感器的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN222485203U
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202323453061.7
申请日：2023-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本实用新型提供一种影像传感器，包括半导体衬底、光侦测器、上部钝化层、中间钝化层以及背侧隔离结构。所述半导体衬底，具有前侧及背侧。所述光侦测器，位于所述半导体衬底内。所述上部钝化层，位于所述背侧上。所述中间钝化层，位于所述上部钝化层与所述背侧之间，其中所述中间钝化层所具有的折射率在所述半导体衬底的折射率与所述上部钝化层的折射率之间。所述背侧隔离结构，延伸至所述背侧中以在侧向上环绕所述光侦测器，所述背侧隔离结构包括芯体及位于所述芯体与所述半导体衬底之间的介电衬垫。所述芯体包括衬底嵌入式金属栅格，所述衬底嵌入式金属栅格穿过所述中间钝化层且延伸至所述半导体衬底中。
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公开(公告)号：CN222532121U
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202421172456.1
申请日：2024-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例涉及影像感测装置，其包括半导体主体内的锗传感器和形成在半导体主体的背侧中的超透镜。超透镜被构造为将红外光聚焦在锗传感器上，并且可能具有比等效微透镜更低的轮廓。可选地，超透镜与微透镜组合以获得所需的焦距。超透镜或超透镜与微透镜的组合克服了制造过程对微透镜焦距的限制，因此消除了对微透镜和锗传感器之间的间隔件的需要，或减少了间隔件的厚度。消除间隔件或减小其厚度可改善影像感测装置的角度响应。
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公开(公告)号：CN220693264U
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202321568375.9
申请日：2023-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N25/70 , H01L27/146 , H04N25/62
Abstract: 本实用新型提供一种光学结构。在一些实施例中，光学结构包括：衬底，具有前侧及与前侧相对的后侧；多个影像感测组件，布置于衬底内；以及深沟渠隔离(DTI)结构，设置于相邻的影像感测组件之间。DTI结构自衬底的后侧在衬底内延伸至第一深度且在侧向上环绕所述多个影像感测组件。光学结构还包括形成于衬底的后侧之上的光透射层。所述光透射层包括第一侧及与衬底的后侧相邻的第二侧。光学结构还包括位于光透射层中的隐埋栅格结构，所述隐埋栅格结构自光透射层的第一侧在光透射层内延伸至第二深度。
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公开(公告)号：CN220021113U
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202321148704.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种三芯片互补金属氧化物半导体影像传感器及用于形成影像传感器的方法。影像传感器包括第一芯片，第一芯片包括多个影像感测组件；转移晶体管及扩散阱对应于多个影像感测组件；接地节点由多个影像感测组件共享；以及深沟渠隔离结构自被共享的接地节点延伸且位于多个影像感测组件中相邻的影像感测组件之间。影像传感器更包括结合至第一芯片且包括源极随耦器、重设晶体管、列选择晶体管及像素内电路的第二芯片，源极随耦器电性耦合至扩散阱。影像传感器更包括结合至第二芯片且包括专用电路的第三芯片，专用电路电性耦合至像素内电路。
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