公开(公告)号：CN221149944U

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202320964816.0

申请日：2023-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李名哲 ,  吴国铭 ,  陈昇照 ,  陈品孜

IPC: H01L21/67

Abstract: 在一些实施例中，本实用新型是关于一种双修整刀片工具，其包括：一壳体。一晶圆卡盘位于所述壳体内，用于容纳晶圆堆栈。一控制电路配置为控制所述晶圆卡盘。一具有第一刀片宽度的第一修整刀片，位于所述晶圆卡盘上方的所述壳体内，并配置为按照所述控制电路指示在所述晶圆堆栈的中心部分和周边部分之间切割环状沟渠。以及一具有第二刀片宽度的第二修整刀片，位于所述晶圆卡盘上方的所述壳体内，并配置为按照所述控制电路的指示移除所述晶圆堆栈中的所述周边部分，所述第二刀片宽度大于所述第一刀片宽度。

公开(公告)号：CN222282000U

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202420943221.1

申请日：2024-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨明宪 ,  周俊豪 ,  魏嘉余 ,  李国政 ,  程仲良 ,  陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露揭示一种晶圆堆叠。晶圆堆叠包含第一晶圆元件、第二晶圆元件及第三晶圆元件的晶圆堆叠。第一晶圆元件包含前侧及背侧。晶圆堆叠亦包含具有前侧及背侧的第二晶圆元件，使得第二晶圆元件的前侧接合至第一晶圆元件的前侧。此外，晶圆堆叠包含具有前侧及背侧的第三晶圆元件，使得第三晶圆元件的前侧接合至第二晶圆元件的背侧。第一晶圆元件包含一或多个光电二极管形成于背侧上的复合金属网格阵列。

公开(公告)号：CN222261055U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420465551.4

申请日：2024-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨哲维 ,  吴国铭 ,  陈昇照 ,  蔡正原 ,  萧豪毅 ,  喻中一

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/00

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体装置包括：第一接合层；基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第一层，在第一接合层和第一集成电路之间，其中第一集成电路与第一集成电路管芯相关联；第二接合层，与第一接合层接合；以及基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第二层，在第二接合层和第二集成电路之间，其中第二集成电路与第二集成电路管芯相关联。所述接合结构可包括增强的黏合性能及增强的减振性能。降低侧向应力、增强黏合性能及减振性能可降低在使两个集成电路管芯中的变薄的减薄操作期间接合界面破裂或剥离的可能性。