公开(公告)号：CN102157450B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010254693.9

申请日：2010-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  夏兴国 ,  林浩勋 ,  赵治平 ,  苏钦豪 ,  郑锡圭

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板，于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管，且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管，且于第一类型晶体管上形成第二硅化物区域，第二硅化物具有不同于第一硅化物的至少一特性，因而允许在各别元件上形成特定的硅化物区域。当工艺成本保持在一最小值时，允许较大最佳化和工艺控制。

公开(公告)号：CN104916617A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410566501.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李立国 ,  刘永盛 ,  刘宜臻 ,  赖怡仁 ,  陈俊仁 ,  郑锡圭

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。