公开(公告)号：CN113253562B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202010913267.5

申请日：2020-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  钱志道 ,  陈明威 ,  连大成

IPC: G03F1/24

Abstract: 本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。

公开(公告)号：CN110967917B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN201910909214.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  王子奕

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。

公开(公告)号：CN113138528B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202011388345.0

申请日：2020-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/68

Abstract: 本揭露提供一种极紫外(extreme ultra violet；EUV)光罩与其制造方法。例如：此极紫外光罩包含基材、形成于基材上的多层镜面层、形成于多层镜面层上的金属覆盖层、以及形成于金属覆盖层之上的多层吸收层。此多层吸收层包含蚀刻至多层吸收层中的特征，以在半导体元件上定义结构。

公开(公告)号：CN114993991A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202110851395.6

申请日：2021-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建诚 ,  林秉勳 ,  李环陵 ,  连大成 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G01N21/45

Abstract: 一种遮罩特征分析的方法及设备，遮罩特征分析的方法包含量测用于微影的反射或透射遮罩的干涉信号、以及基于干涉信号确定反射或透射遮罩的品质指标。一种遮罩特征分析的设备包含光源、光学光栅及光学侦测器阵列。光源经配置以用光照射反射或透射遮罩，由此产生遮罩反射或遮罩透射光。光学光栅经配置以将遮罩反射或遮罩透射光转换为干涉图案。光学侦测器阵列经配置以通过量测干涉图案来产生干涉信号。

公开(公告)号：CN114967318A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210080721.2

申请日：2022-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林秉勳 ,  许倍诚 ,  余青芳 ,  连大成 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G03F1/24

Abstract: 提供了一种极紫外光罩和形成极紫外光罩的方法，极紫外光罩包括基板、位于基板上的反射多层堆叠及位于反射多层堆叠上的覆盖层。在反射多层堆叠上形成覆盖层之前，对反射多层堆叠进行处理。通过离子辅助离子束沉积或离子辅助溅射制程形成覆盖层。

公开(公告)号：CN113253567A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110130691.7

申请日：2021-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  郑浩平 ,  连大成

IPC: G03F1/82

Abstract: 本申请涉及用于光掩模的清洁方法及其装置。在清洁光掩模的方法中，将光掩模放置在支撑件上，使得经图案化的表面朝下，并且将粘合剂片施加到光掩模的背面表面的边缘。

公开(公告)号：CN113053734A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110225684.5

申请日：2021-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  王子奕 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  李信昌 ,  李环陵

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开提供了一种光罩的形成方法。此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。

公开(公告)号：CN107015431B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201611063636.6

申请日：2016-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  林云跃 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林志诚 ,  陈政宏

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。

公开(公告)号：CN110967916A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910807763.X

申请日：2019-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  王子奕

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及制造EUV光掩模的方法。在一种制造光掩模的方法中，在待蚀刻的光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层。光掩模包括背部导电层。通过等离子体蚀刻来蚀刻目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀背部导电层。

公开(公告)号：CN110647006A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910389687.5

申请日：2019-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  连大成 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G03F1/36

Abstract: 本公开提供掩模制造方法。在一些实施例中，用于形成集成电路装置的布局被接收。布局包括印刷特征组。布局的区域被识别。区域与印刷特征组相距一距离，使得与区域中的特征相关联的曝光区不影响与打印特征组相关联的曝光区组。多个非打印特征被插入到区域。基于布局制造掩模。