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公开(公告)号：CN113129955A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011608336.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁存储器器件包括：磁隧道结(MTJ)堆叠件；自旋轨道扭矩(SOT)感应布线，设置在MTJ堆叠件上方；第一端子，耦合至SOT感应布线的第一端；第二端子，耦合至SOT感应布线的第二端；以及选择器层，耦合至第一端子。本发明的实施例还涉及磁存储器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112447220A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010877393.X
申请日：2020-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种存储器器件，所述存储器器件包括排列在衬底之上的自旋轨道力矩(SOT)层。磁性隧道结(MTJ)结构可排列在SOT层之上。MTJ结构包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的扩散障壁层。第一导电配线排列在SOT层下方且耦合到SOT层。第二导电配线排列在SOT层下方且耦合到SOT层。第三导电配线排列在MTJ结构之上。存储器器件还包括排列在第一导电配线与SOT层之间的第一选择器结构。
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公开(公告)号：CN110957420A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910927819.5
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁性随机存取记忆体辅助装置和其制造方法。本案提供一种磁性随机存取记忆体辅助的非挥发性霍尔效应装置，该装置包括安置在基板上的自旋轨道扭矩层，以及安置在该自旋轨道扭矩层上的磁性层。金属氧化层安置在该磁性层上。自旋轨道扭矩层的多个部分从磁性层及金属氧化层向外延伸，所述多个部分位于在平面图中的第一方向的相对侧及第二方向的相对侧上，其中第二方向垂直于第一方向。
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公开(公告)号：CN113129955B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202011608336.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁存储器器件包括：磁隧道结(MTJ)堆叠件；自旋轨道扭矩(SOT)感应布线，设置在MTJ堆叠件上方；第一端子，耦合至SOT感应布线的第一端；第二端子，耦合至SOT感应布线的第二端；以及选择器层，耦合至第一端子。本发明的实施例还涉及磁存储器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111129288B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911036404.5
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 自旋轨道转矩(Spin‑Orbit‑Torque，SOT)磁性装置，包含底金属层、第一磁性层、间隙壁层及第二磁性层。第一磁性层作为自由磁性层，第一磁性层设置于该底金属层上。间隙壁层设置于第一磁性层上。第二磁性层设置于间隙壁层上。第一磁性层包含下磁性层、中层和上磁性层，且中层是由非磁性层所制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114665008A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210197132.2
申请日：2022-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种存储器装置。存储器装置包括基底、自旋轨道扭矩层和磁性穿隧接面。磁性穿隧接面与自旋轨道扭矩层堆叠于基底之上，且包括合成自由层、阻障层和参考层。合成自由层包括合成反铁磁结构、第一间隔件层和自由层，其中合成反铁磁结构设置在自旋轨道扭矩层和自由层之间。阻障层设置在合成自由层旁。参考层设置在阻障层旁。
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公开(公告)号：CN114664879A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111127724.9
申请日：2021-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/22
Abstract: 提供一种存储器件及其形成方法。存储器件包括：选择器；磁性隧道结(MTJ)结构，设置在选择器上；自旋轨道扭矩(SOT)层，设置在选择器与MTJ结构之间，其中SOT层具有与选择器的侧壁对准的侧壁；晶体管，其中晶体管具有电耦合到MTJ结构的漏极；字线，电耦合到晶体管的栅极；位线，电耦合到SOT层；第一源极线，电耦合到晶体管的源极；以及第二源极线，电耦合到选择器，其中晶体管被配置成控制在位线与第二源极线之间流动的写入信号，且控制在位线与第一源极线之间流动的读取信号。
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公开(公告)号：CN113990365A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110238778.6
申请日：2021-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本揭露提供一种存储器器件及一种存储器电路。存储器器件包括自旋轨道力矩(spin‑orbit torque，SOT)层、磁性穿遂结(magnetic tunnel junction，MTJ)、读取字线、选择器以及写入字线。MTJ站立在SOT层上。读取字线电连接到MTJ。写入字线通过选择器连接到SOT层。当选择器接通时写入字线电连接到SOT层，且当选择器处于断开状态时写入字线与SOT层电隔离。
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公开(公告)号：CN113540148A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110726349.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/22
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113299821A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110476411.8
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应结构，该结构可以被应变和无种子并形成有垂直磁各向异性。磁隧道结(MTJ)堆叠件设置在SOT感应结构上。间隔层可以使SOT感应结构与MTJ堆叠件之间的层解耦或使MTJ堆叠件内的层解耦。SOT感应结构的一端可以耦合至第一晶体管，而SOT感应结构的另一端耦合至第二晶体管。
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