公开(公告)号：CN102250555B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201010179460.7

申请日：2010-05-17

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 金永锡 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一 ,  青山真沙美 ,  石黑邦彦 ,  铃木俊宏 ,  山川贵纪

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，通过使粘合剂层和粘接剂层之间的剥离容易，提高拾取工序的半导体芯片的拾取成功率，同时，可以防止由增大销的顶起力及顶起高度而引起的薄的半导体芯片的破损。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)、层叠于粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)为0.9(N)以下，且粘接剂层(13)的80℃时的胶粘力(A)和粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)的胶粘力比(A/B)在6.0以上且7.0以下的范围内。

公开(公告)号：CN102206469B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110080346.3

申请日：2011-03-31

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 三原尚明 ,  盛岛泰正

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种晶片加工用胶带，其具有适于通过扩张来截断接合剂层的工序的均匀扩张性，且在加热收缩工序中显示充分的收缩性，加热收缩工序后不会因松弛引起不良情况。作为通过扩张将接合剂层(13)沿芯片截断时所用的可扩张的晶片加工用胶带10的基材膜11，使用JIS K7206中规定的维氏软化点为50℃以上且不足90℃、热收缩所致的应力增大在9MPa以上的热塑性交联树脂。

公开(公告)号：CN103119112A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201080069208.9

申请日：2010-10-25

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 铃木俊宏 ,  石渡伸一 ,  盛岛泰正 ,  金永锡

IPC: C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/40 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供在制作预切割加工成与半导体晶片的形状对应的形状的晶片加工用带时的粘接剂层的卷绕步骤中，可以防止卷绕的粘接剂层断裂，并且可以提高经预切割加工的晶片加工用带的生产性的粘接膜，及使用该粘接膜所制作的晶片加工用带。相对于粘接剂层(12)自脱模薄膜(11)的每单位剥离力，粘接剂层(12)的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上，优选为100倍以上。

公开(公告)号：CN101814432B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010117459.1

申请日：2010-02-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 野村芳弘 ,  丸山弘光 ,  木村和宽 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L2224/29014

Abstract: 本发明提供不增加材料成本或制造工序，能够以简单的结构，充分地抑制向粘接剂层的转印痕的发生的晶片加工用薄膜。将晶片加工用薄膜(10)的标记部(13a)预切割如下，即：在标记部的外周(13c)中，至少在晶片加工用薄膜(10)以辊状卷绕时与粘接剂层(12)重叠的外周转印区域(13d)中，从使粘接剂层(12)的中心部到所述外周转印区域(13d)的距离为最短的长度设为r时，外周转印区域(13d)的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长，减轻施加于标记部(13a)的外周转印区域(13d)的应力，由此抑制转印痕的发生。

公开(公告)号：CN102031070A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010268836.1

申请日：2010-08-30

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 石黑邦彦 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供材料保管容易、生产效率高、粘接力的经时劣化少、保管容易的薄片状粘接剂及使用该薄片状粘接剂而制作的晶片加工用胶带。薄片状粘接剂12含有被热或高能量射线固化的固化树脂和使环氧基固化的环氧固化剂，所述固化树脂的一部分或全部为螯合物改性环氧树脂，所述固化树脂成分中含有10质量％以上的所述螯合物改性环氧树脂。

公开(公告)号：CN101864249A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010163964.X

申请日：2010-04-16

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 石黑邦彦 ,  石渡伸一 ,  盛岛泰正

IPC: C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种粘接膜及晶片加工用带，所述粘接膜可以将用于粘接剂层的树脂通用化为丙烯酸树脂等，可以确保晶片的贴合性，并且减少切割时的芯片破裂或芯片缺损等屑片。晶片加工用带10具有由基材膜12a和形成于其上的粘合剂层12b构成的粘合膜12、和层压在粘合膜12上的粘接剂层13。将粘接剂层13的密度设定为ρ(g/cm3)、粘接剂层13的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin(MPa)时，ρ×Gmin为0.2以上。通过组合Gmin和ρ这2个要素并使其相互补充，可以确保粘接剂层13对半导体晶片的贴合性，并且减少切割时的屑片。

公开(公告)号：CN101855311A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115666.4

申请日：2008-11-06

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大河原洋介 ,  丸山弘光 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J7/26 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2427/006

Abstract: 本发明的半导体晶片加工用粘合带，具有基材片(11)及设置在基材片(11)上的粘合剂层(12)，基材片(11)在应力-伸长率曲线中直至伸长率30％为止不存在屈服点，且断裂强度为10N/10mm以上、伸长率为200％以上。

公开(公告)号：CN1906737A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001569.9

申请日：2005-08-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 喜多贤二 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一 ,  矢吹朗

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B7/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2891 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 一种晶片加工用带(10)，其具有依次层压于基体膜(1)之上的中间树脂层(2)、可去除粘合剂层(3)、和如果必要时的粘合剂层(4)，其中中间树脂层80℃时的储存弹性模量大于可去除粘合剂层80℃时的储存弹性模量。

公开(公告)号：CN104428929A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036476.4

申请日：2013-07-11

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  株式会社UACJ制箔 ,  株式会社UACJ

Inventor： 加藤治 ,  盛岛泰正 ,  伊藤贵和 ,  原英和 ,  饭田恭宏 ,  片冈次雄 ,  井上光哉 ,  山部乡史 ,  本川幸翁 ,  齐藤聪平 ,  八重樫起郭

IPC: H01M4/66

CPC classification number: H01G11/68 ,  H01G11/28 ,  H01G11/56 ,  H01M4/13 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/668 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  H01M2200/106

Abstract: 本发明提供一种集电体，其具有在常温下确保充分的导电性、并且在温度上升时具有热膨胀的余地的PTC层。根据本发明，提供一种集电体，具备：导电性基材、和在该导电性基材的至少单面上设置的树脂层。该树脂层包含有机树脂和导电性粒子。该树脂层在该导电性基材上的附着量为0.5～20g/m2。该树脂层的表面的Rz(十点平均粗糙度)为0.4～10μm。该树脂层的表面的Sm(凹凸的平均间隔)为5～200μm。该树脂层的通过二端子法测定的平均电阻为0.5～50Ω。

公开(公告)号：CN104428928A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036431.7

申请日：2013-07-11

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  株式会社UACJ制箔 ,  株式会社UACJ

Inventor： 饭田恭宏 ,  盛岛泰正 ,  伊藤贵和 ,  原英和 ,  片冈次雄 ,  井上光哉 ,  山部乡史 ,  加藤治 ,  本川幸翁 ,  齐藤聪平 ,  八重樫起郭

IPC: H01M4/66 ,  H01G11/66 ,  H01M2/34

CPC classification number: H01G11/66 ,  H01C7/027 ,  H01G11/04 ,  H01G11/28 ,  H01G11/50 ,  H01G11/68 ,  H01G11/70 ,  H01M4/622 ,  H01M4/625 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M10/052 ,  H01M10/4235 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明提供在用于二次电池或电容器时高倍率特性优良且发挥充分的安全功能的集电体、和使用该集电体的电极、二次电池或电容器。本发明的集电体，其具备：金属箔、和在该金属箔的表面上形成的膜厚0.1μm～10μm的导电层。在此，该导电层包含导电性材料以及粘合剂材料。另外，该粘合剂材料的熔点为80℃～150℃。另外，该粘合剂材料在从常温至200℃的示差扫描式量热测定(DSC)中，在升温过程中吸热峰具有一个以上。另外，该粘合剂材料具有二个以上吸热峰的情况下，它们中的任意一个峰间之差也为15℃以上。另外，该粘合剂材料在降温过程中具有一个以上发热峰。另外，该粘合剂材料在发热峰为一个的情况下，该发热峰在50～120℃的范围内，该发热峰的半峰宽为10℃以下。另一方面，该粘合剂材料具有二个以上发热峰的情况下，这些发热峰中最大的发热峰在50～120℃的范围内，该发热峰的半峰宽为10℃以下。