公开(公告)号：CN102250555B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201010179460.7

申请日：2010-05-17

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 金永锡 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一 ,  青山真沙美 ,  石黑邦彦 ,  铃木俊宏 ,  山川贵纪

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，通过使粘合剂层和粘接剂层之间的剥离容易，提高拾取工序的半导体芯片的拾取成功率，同时，可以防止由增大销的顶起力及顶起高度而引起的薄的半导体芯片的破损。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)、层叠于粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)为0.9(N)以下，且粘接剂层(13)的80℃时的胶粘力(A)和粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)的胶粘力比(A/B)在6.0以上且7.0以下的范围内。

公开(公告)号：CN119054050A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202480001615.8

申请日：2024-03-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 山川贵纪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/22 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38

Abstract: 一种切割用粘合带，其为在基材膜上具有粘合剂层的切割用粘合带，其中，所述基材膜的熔点为150℃以下，所述基材膜的与所述粘合剂层相反侧的面A的表面粗糙度Ra为0.10μm以下，该面A的针入温度为80℃以上。

公开(公告)号：CN102250555A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010179460.7

申请日：2010-05-17

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 金永锡 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一 ,  青山真沙美 ,  石黑邦彦 ,  铃木俊宏 ,  山川贵纪

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，通过使粘合剂层和粘接剂层之间的剥离容易，提高拾取工序的半导体芯片的拾取成功率，同时，可以防止由增大销的顶起力及顶起高度而引起的薄的半导体芯片的破损。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)、层叠于粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)为0.9(N)以下，且粘接剂层(13)的80℃时的胶粘力(A)和粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)的胶粘力比(A/B)在6.0以上且7.0以下的范围内。

公开(公告)号：CN1993809B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580026540.6

申请日：2005-08-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 盛岛泰正 ,  喜多贤二 ,  石渡伸一 ,  山川贵纪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1062 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2852 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 一种晶片加工带，包括形成于基底膜(1)上的可移除的粘合剂层(2)与粘接剂层(3)。在抛光工艺中，在所述带粘合到具有突起金属电极(4)的晶片电路基板的状态下，研磨晶片电路基板(5)的背面。在划片工艺中，将该晶片电路基板分为芯片。在拾取该分开的芯片中，其中在该粘接剂层(3)从基底膜(1)剥离而接合到芯片的状态下拾取所述芯片。

公开(公告)号：CN1993809A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026540.6

申请日：2005-08-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 盛岛泰正 ,  喜多贤二 ,  石渡伸一 ,  山川贵纪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1062 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2852 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 一种晶片加工带，包括形成于基底膜(1)上的可移除的粘合剂层(2)与粘接剂层(3)。在抛光工艺中，在所述带粘合到具有突起金属电极(4)的晶片电路基板的状态下，研磨晶片电路基板(5)的背面。在划片工艺中，将该晶片电路基板分为芯片。在拾取该分开的芯片中，其中在该粘接剂层(3)从基底膜(1)剥离而接合到芯片的状态下拾取所述芯片。