-
公开(公告)号：CN119816040A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411768104.7
申请日：2024-12-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/858 , H10H20/857 , H10H29/85 , H10H29/30
Abstract: 本发明涉及一种具有散热通道的Micro‑LED基板的制造方法，属于半导体显示技术领域，通过在阵列基板的显示区域中刻蚀出散热通孔，往散热通孔中蒸镀第一导热材料，在阵列基板上蒸镀金属层作为驱动电路和电极焊盘，将阵列芯片与阵列基板上对应的电极焊盘贴合，通过键合工艺固化粘性金属层，且在键合后封合键合后的阵列基板和阵列芯片的外周，通过在先或者先后的方式在阵列芯片与基板之间填充第二导热材料，从而使得显示基板内部的阵列中布设形成有散热通道，提高了热量传导的效率。
-
公开(公告)号：CN118248795A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410376894.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种磁场辅助式Micro‑LED自组装巨量转移方法，采用的目标基板表面具有凹槽，凹槽内依次设有金属电极和低熔点合金，Micro‑LED芯片背面设有疏水性低黏附层；将基板置于组装容器底部，向组装容器中加入组装液，调控组装液的温度和pH值，将Micro‑LED芯片倒入组装液中并均匀分散，通过施加磁场使Micro‑LED芯片沉降并一一对应的落入凹槽中，再采用热回流焊工艺在加压条件下对芯片进行位置校正。本发明保证了芯片之间的位置精度和对齐度，最大限度地避免芯片的损坏和失效，从而确保高精度、高速度和高效率的芯片转移，实现高一致性和高质量的色彩表现。
-
公开(公告)号：CN117253945A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311270490.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00 , B23K26/38 , B23K26/70 , B23K26/402 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种基于激光划片的MicroLED芯片阵列分离工艺，MicroLED芯片阵列设于衬底上并通过切割道间隔，芯片阵列背离衬底的一面与驱动基板键合，采用两步骤对切割道区域进行激光切割，一次激光切割于衬底形成两个切割槽并将两切割槽之间的衬底去除，另一次激光切割对驱动基板实现了切断，从而可以使衬底和驱动基板具有不一致的切割边缘，一方面不损伤驱动基板位于芯片之外的连接电极，另一方面留出了位置便于后续通过连接电极进行探针电测扎针或金属连线。
-
公开(公告)号：CN114744100A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210295814.7
申请日：2022-03-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面预处理的量子点图案制备方法，是在预处理后的基板表面形成由亲水性物质组成的第一图案和由疏水性物质组成的第二图案，第二图案设于第一图案外围并与第一图案的边缘相配合，量子点溶液沉积于第一图案上；图案通过模板采用压印工艺制得。本发明通过利用亲、疏水物质的相关特性并对待沉积量子点溶液的区域进行图案化处理，可使沉积的量子点颜色转换层的形状更加规则、高度更加可控，不易出现因量子点溶液的流动而导致的颜色转换层图案的形变。量子点颜色转换层图案的规则、整齐化有利于窄半高宽、高色品质出光的实现。
-
公开(公告)号：CN118571998A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410698550.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于同侧电极的垂直堆叠式全彩化Micro‑LED器件及其制备方法，其在一个衬底上进行第一发光单元、第二发光单元的显示，并键合堆叠第三发光单元，通过外露台面使三个发光单元的电极同侧引出，并形成各发光单元相应的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域，实现一个Micro LED芯片中集成多个单色像素单元，无需通过巨量转移工艺集成多个单色像素，便于应用于显示设备的生产。电极在同侧引出，确保顶层发光单元在实现垂直结构LED电流扩散的同时仍可以采用正装LED的封装方式进行封装。本发明可以根据不同的应用需求在同一芯片上制定出不同发光比例的RGB三色子像素，提升全彩化显示器件的色纯度，便于商业化应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597302B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210169794.9
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种量子点色转换层的制备方法，通过制作微流控芯片，在微流控芯片的微通道内引入了凹槽和疏水性物质，解决了制备颜色转换层中易出现的量子点层厚度及形状不可控、混色等现象。同时，通过对封装层的设计使颜色转换层激发光的品质得到有效提升，防止光串扰的发生。本发明还公开了通过上述制备方法得到的量子点色转换层及其在MicroLED显示器件中的应用。
-
公开(公告)号：CN116825933A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310783420.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了基于开放式微流控技术的Micro‑LED全彩化显示器件制备方法，其量子点色转换层的制备中，是将具有凹槽阵列的基板进行疏液处理，然后采用具有镂空的微通道的基板与具有凹槽阵列的基板键合形成微通道通路，量子点注入微通道通路，溶剂挥发后自发浓缩于凹槽阵列中；将量子点色转换层与Micro‑LED发光芯片阵列和滤光片封装层键合，其中滤光片封装层的滤光片阵列之间设置遮蔽层。本发明可以快速沉积不同厚度且不同颜色的量子点，同时有效防止光窜扰、提高色彩纯度。
-
公开(公告)号：CN116741897A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310717239.X
申请日：2023-06-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电泳沉积量子点制备全彩器件色转换层的方法，于透明基板上形成透明电极层，透明电极包括电极总条和若干间隔排列的电极指条，电极指条的末端与电极总条相连；于透明电极层上形成图案化绝缘层来于电极指条形成分隔的量子点待沉积区域，在量子点待沉积区域之间形成不透光导电金属层，然后通过电泳工艺使带电量子点选择性沉积于量子点待沉积区域中。本发明可实现快速大面积量子点的均匀选择性沉积，且通过电极连接吸附相反电性量子点沉积到预设图案化阵列区域，避免了表面残留，量子点图案可控，可靠性高，显示性能更佳。
-
公开(公告)号：CN116314544A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310188414.0
申请日：2023-03-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro‑LED全彩化器件。本发明方法利用原子层沉积技术，在量子点发光层表面沉积抗蚀保护层，可有效提高量子点发光层的光电性能和环境稳定性，避免后序因光刻技术和刻蚀技术对量子点发光层造成不必要的损伤。利用本发明方法制备的高性能荧光色转换层，与Micro‑LED发光芯片阵列相结合，实现性能优异的Micro‑LED全彩化器件。该技术方案要求简单、技术难度低、制备速度快、基底选择多样性，且有利于大规模生产与制造。此外，所制备的荧光色转换层对外界环境变化(光照、湿度、温度等)具有优异的稳定性，可大大提高器件的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN115986036A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211441087.7
申请日：2022-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术和量子点配体工程光刻技术的Micro‑LED全彩化显示器件结构与制备方法，是通过将量子点溶液在衬底上的微通道中通入并沉积后，通过光刻技术实现基于量子点配体工程的色转换层的阵列化，再将其与下面的Micro‑LED芯片阵列，Micro‑LED驱动层和上面相应的彩色滤光片阵列一一对应，实现Micro‑LED全彩化发光器件的制备，突破了传统量子点光刻技术制备色转换层方法造成的原料利用率低和成本高、基于微流控技术的色转换层图案化设计方案中的制备过程复杂等问题。本发明制备工艺简单、原材料利用率高，提高色转换效率的同时保留了传统光刻技术高分辨率的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.019 seconds)
