公开(公告)号：CN117712263A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410010767.6

申请日：2024-01-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  刘涛铭 ,  刘时彪 ,  郭文安 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种提升光提取效率的Micro‑LED器件结构及制作方法，其结构的外延层由背面至正面按序包括n‑GaN层、MQW和p‑GaN层，并通过由正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面，第一电流扩展层设于发光台面的p‑GaN层上，p电极和n电极分别设于第一电流扩展层和n‑GaN层上，钝化层、反射层和绝缘层按序覆盖器件结构的正面，p电极和n电极分别通过贯穿钝化层、反射层和绝缘层的键合金属引出；n‑GaN层在发光台面区域通过蚀刻形成若干通孔，第二电流扩展层填充于通孔中。本发明通过减小电流密度差异，提高电子在材料中的迁移率，以改善电流在器件中的分布，降低电流密度，并减缓电流拥挤效应。从而大幅度提升器件性能。

公开(公告)号：CN118571998A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410698550.9

申请日：2024-05-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  刘涛铭 ,  张哲宁 ,  刘时彪 ,  郭伟杰 ,  朱丽虹 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明公开了一种基于同侧电极的垂直堆叠式全彩化Micro‑LED器件及其制备方法，其在一个衬底上进行第一发光单元、第二发光单元的显示，并键合堆叠第三发光单元，通过外露台面使三个发光单元的电极同侧引出，并形成各发光单元相应的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域，实现一个Micro LED芯片中集成多个单色像素单元，无需通过巨量转移工艺集成多个单色像素，便于应用于显示设备的生产。电极在同侧引出，确保顶层发光单元在实现垂直结构LED电流扩散的同时仍可以采用正装LED的封装方式进行封装。本发明可以根据不同的应用需求在同一芯片上制定出不同发光比例的RGB三色子像素，提升全彩化显示器件的色纯度，便于商业化应用。

公开(公告)号：CN118281125A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410425843.X

申请日：2024-04-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  刘涛铭 ,  刘时彪 ,  张哲宁 ,  苏毓涵 ,  郭伟杰 ,  陈国龙 ,  朱丽虹 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于通孔电极的垂直堆叠式全彩化Micro‑LED器件及其制备方法，采用垂直堆叠的芯片结构，垂直堆叠的芯片结构按序包括第一发光单元、第一隧道结、第二发光单元、第二隧道结和第三发光单元，第一发光单元、第二发光单元的第一电极分别通过导电通孔引出至第三发光单元一侧表面并与第三发光单元的第一电极形成共电极，第二发光单元、第三发光单元的第二电极分别通过导电通孔引出至第一发光单元一侧表面并与第一发光单元的第二电极彼此独立。本发明采用垂直堆叠结构设计三色外延片层，使正负电极分别位于上下两侧并能实现单独点亮每个发光单元的功能，缓解了电流拥挤现象，能够显著提升全彩化显示器件的性能。

公开(公告)号：CN117913078A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410086587.6

申请日：2024-01-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吕毅军 ,  刘涛铭 ,  张哲宁 ,  任英哲 ,  吴挺竹 ,  苏毓涵 ,  陈忠

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/58 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L25/00

Abstract: 本发明公开了一种垂直堆叠式Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法，包括由下至上堆叠的第一发光单元芯片、第二发光单元芯片和第三发光单元芯片，顶面为出光面，第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元上下对应设置，第二发光单元芯片和第三发光单元芯片的基板底面分别设有与发光单元一一对应的凹形微透镜结构。第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的p电极通过垂直互联结构连接并共同引出。本发明提高了全彩化器件的出光率和光利用效率，提升了亮度，并且简化了结构。

公开(公告)号：CN119767891A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411992297.4

申请日：2024-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  熊化欣 ,  刘涛铭 ,  刘雨轩 ,  苏毓涵 ,  廖新勤 ,  郭伟杰 ,  朱丽虹 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H10H20/814 ,  H10H20/812 ,  H10H20/858 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种缓解电流拥挤效应的Micro‑LED器件及其制备方法，其外延结构由背面至正面按序包括衬底、缓冲层、n‑GaN层，多量子阱层和p‑GaN层，并通过正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面；p‑GaN层上设有电流扩展层，电流扩展层上设有p电极，n‑GaN层上设有n电极；其中p‑GaN层的正面于电流扩展层下方具有若干凹槽，凹槽内填充高反射率的金属导电材料，显著改善了电流在整个器件中的均匀分布，提高了器件的电流扩展能力，能够显著提升器件的稳定性、可靠性。