公开(公告)号：CN118571998A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410698550.9

申请日：2024-05-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  刘涛铭 ,  张哲宁 ,  刘时彪 ,  郭伟杰 ,  朱丽虹 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明公开了一种基于同侧电极的垂直堆叠式全彩化Micro‑LED器件及其制备方法，其在一个衬底上进行第一发光单元、第二发光单元的显示，并键合堆叠第三发光单元，通过外露台面使三个发光单元的电极同侧引出，并形成各发光单元相应的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域，实现一个Micro LED芯片中集成多个单色像素单元，无需通过巨量转移工艺集成多个单色像素，便于应用于显示设备的生产。电极在同侧引出，确保顶层发光单元在实现垂直结构LED电流扩散的同时仍可以采用正装LED的封装方式进行封装。本发明可以根据不同的应用需求在同一芯片上制定出不同发光比例的RGB三色子像素，提升全彩化显示器件的色纯度，便于商业化应用。

公开(公告)号：CN118281125A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410425843.X

申请日：2024-04-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  刘涛铭 ,  刘时彪 ,  张哲宁 ,  苏毓涵 ,  郭伟杰 ,  陈国龙 ,  朱丽虹 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于通孔电极的垂直堆叠式全彩化Micro‑LED器件及其制备方法，采用垂直堆叠的芯片结构，垂直堆叠的芯片结构按序包括第一发光单元、第一隧道结、第二发光单元、第二隧道结和第三发光单元，第一发光单元、第二发光单元的第一电极分别通过导电通孔引出至第三发光单元一侧表面并与第三发光单元的第一电极形成共电极，第二发光单元、第三发光单元的第二电极分别通过导电通孔引出至第一发光单元一侧表面并与第一发光单元的第二电极彼此独立。本发明采用垂直堆叠结构设计三色外延片层，使正负电极分别位于上下两侧并能实现单独点亮每个发光单元的功能，缓解了电流拥挤现象，能够显著提升全彩化显示器件的性能。

公开(公告)号：CN117913078A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410086587.6

申请日：2024-01-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吕毅军 ,  刘涛铭 ,  张哲宁 ,  任英哲 ,  吴挺竹 ,  苏毓涵 ,  陈忠

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/58 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L25/00

Abstract: 本发明公开了一种垂直堆叠式Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法，包括由下至上堆叠的第一发光单元芯片、第二发光单元芯片和第三发光单元芯片，顶面为出光面，第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元上下对应设置，第二发光单元芯片和第三发光单元芯片的基板底面分别设有与发光单元一一对应的凹形微透镜结构。第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的p电极通过垂直互联结构连接并共同引出。本发明提高了全彩化器件的出光率和光利用效率，提升了亮度，并且简化了结构。

公开(公告)号：CN118248795A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410376894.8

申请日：2024-03-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  张哲宁 ,  苏毓涵 ,  刘时彪 ,  郭文安 ,  郭伟杰 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L21/68 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种磁场辅助式Micro‑LED自组装巨量转移方法，采用的目标基板表面具有凹槽，凹槽内依次设有金属电极和低熔点合金，Micro‑LED芯片背面设有疏水性低黏附层；将基板置于组装容器底部，向组装容器中加入组装液，调控组装液的温度和pH值，将Micro‑LED芯片倒入组装液中并均匀分散，通过施加磁场使Micro‑LED芯片沉降并一一对应的落入凹槽中，再采用热回流焊工艺在加压条件下对芯片进行位置校正。本发明保证了芯片之间的位置精度和对齐度，最大限度地避免芯片的损坏和失效，从而确保高精度、高速度和高效率的芯片转移，实现高一致性和高质量的色彩表现。

公开(公告)号：CN117253945A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311270490.2

申请日：2023-09-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  任英哲 ,  刘时彪 ,  王树立 ,  郭文安 ,  张哲宁 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H01L33/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70 ,  B23K26/402 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开了一种基于激光划片的MicroLED芯片阵列分离工艺，MicroLED芯片阵列设于衬底上并通过切割道间隔，芯片阵列背离衬底的一面与驱动基板键合，采用两步骤对切割道区域进行激光切割，一次激光切割于衬底形成两个切割槽并将两切割槽之间的衬底去除，另一次激光切割对驱动基板实现了切断，从而可以使衬底和驱动基板具有不一致的切割边缘，一方面不损伤驱动基板位于芯片之外的连接电极，另一方面留出了位置便于后续通过连接电极进行探针电测扎针或金属连线。