公开(公告)号：CN119767891A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411992297.4

申请日：2024-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴挺竹 ,  熊化欣 ,  刘涛铭 ,  刘雨轩 ,  苏毓涵 ,  廖新勤 ,  郭伟杰 ,  朱丽虹 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: H10H20/814 ,  H10H20/812 ,  H10H20/858 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种缓解电流拥挤效应的Micro‑LED器件及其制备方法，其外延结构由背面至正面按序包括衬底、缓冲层、n‑GaN层，多量子阱层和p‑GaN层，并通过正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面；p‑GaN层上设有电流扩展层，电流扩展层上设有p电极，n‑GaN层上设有n电极；其中p‑GaN层的正面于电流扩展层下方具有若干凹槽，凹槽内填充高反射率的金属导电材料，显著改善了电流在整个器件中的均匀分布，提高了器件的电流扩展能力，能够显著提升器件的稳定性、可靠性。